"sputtering 실험조건"의 검색결과 입니다.

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스퍼터링 ITO 박막 4-point probe 4 point probe mos capacitor DSSC 보고서 fto ito 투과율 ITO Scribing

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"sputtering 실험조건" 검색결과 141-160 / 171건

ESCA(XPS)원리와 특징

식성 등의 구조 해석 반도체 기술 개발을 위한 여러 가지 실험조건에 의한 표면, 계면 상태 규명 무기산화물, 촉매, 세라믹스 등의 산화상태 금속 표면에서 가스의 흡착 및 탈착 연구 ... 에 비해 경미하고, 화학상태분석, (반)정량 분석이 용이 Ion sputtering, 각도분해법으로 비파괴 깊이방향 분석 가능ESCA(XPS)의 장점 및 단점(2)단 점 분석속도가 비} ... : Quantum theory 1905, A. Einstein: Quantum theory로 광전효과 설명 1958, W. E. Spicer: UPS spectra와 DOS 관련주장

리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.11

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[공학]플라즈마

은 반도체공정, 전자부품 제조공정분야 및 금형, 공구류등에서 적용이 확대되고 있다. 국내에서의 코팅산업은 주로 도금법에 의한 습식 코팅과 sputtering, evaporation 등 ... (Tonks)는 플라스마 내에 강한 진동이 일어날 수 있음을 실험적으로 증명함으로써 그때까지 발견되었던 이상 현상들을 설명하였다. 플라스마와 플라스마 진동이라는 단어도 이때에 생겨났다.고온 ... 결합를 이용한 표면처리기술은 모재의 기계적 성질을 유지하며 표면특성만을 요구조건에 맞게 변화시키는 것으로 고내마모성 및 고내식성 등을 요구하는 자동차, 기계, 선박 등의 부품, 가공

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.11

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[공학기술]Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조

) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), s ... puttering, CVD(화학증착), MOCVD, MBE 등이 있다. Thin film deposition과 더불어 thin film process의 핵심이라 할 수 있 ... (CVD)로 분류될 수 있다. PVD는 CVD에 비해 작업조건이 깨끗하고, 진공상태에서 저항열이나 전자 beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 고체 상태의 물질

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.02

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[세라믹공학] RF Magnetron Sputtering 법에 의한 (Ba,Sr)TiO3 박막의 제조 및 전기적 특성평가

.5)TiO3의조성) 다양한 후열처리 조건에 따른 물성을 평가실험장치실험방법1.기판세척 2.시편후면에 Ag페이스트 바른 후 기판 홀더에 부착 3.R.P및 TMP 이용 진공을 1 ... 의 r.f power에서 플라즈마 발생시키고 증착압력에 맞춘 후 r.f power을 120W까지 증가 6.Pre-sputtering을 약 5분간 실시 후 서터를 열어 박막 증착 증착 ... pressure 10-2 torr Rf power 120W Substrate temperature Normal temperature Ar : O2 30 : 5 Pre-sputtering

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.16

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[화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서

etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 비선택 ... 1. 실험제목? 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험2. 실험목적? 여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째 ... 하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.3

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14

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[증착법] 증착법

putter etching으로 pre-cleaning이 가능하다.- {{ O}_{2 } , { N}_{2 }등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능 ... 하다.(단점) - 성막속도가 낮다(10Å/sec 이하)→ Magnetron sputtering으로 증가시킬 수 있다.- High energy deposition 이므로 박막의 불균일 ... puttering시 반응성 기체의 압력 결정- 위의 조건들로부터 각 경우의 성막속도 결정- 성막속도에 따른 성막시간 조절로 박막의 두께를 결정2) Sputtered 박막의 구조Sputter

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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[재료공학] Ag(Mg)/Si 의 증착 및 열처리

- exchange collisional cascade process이다. 이러한 sputtering은 단순한 한 번의 충돌로는 발생하지않으며 보통 여러번의 충돌이 일어나는 결과 ... 로 발생하게 된다.통계적인 분석에 따르면, 표면에서 5층 이상의 깊은 곳의 원자들은 sputtering에 의해 ejection되는 양이 거의 없다고들 알려져 있다. 또한 이러한 s ... 다.이러한 sputtering시 나오는 particle은 보통 thermally ejected particle보다 큰 에너지를 가진다. 우선 vacuum chamber내의 압력을 10

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.13

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진공펌프의 종류

한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로 기체입자를 붙잡는다. (새로운 티타늄 표면은 기체입자와 화합물을 형성하거나 증.) ... 면 압력이 낮아지므로 이런 것들도 펌프라고 부를 수 있다. 흡착 펌프(sorption pump)나 냉온 펌프 (cryopump), 이온 펌프(ion pump)가 이에 속한다.■ 진공 ... 펌프의 종류1. Positive displacement 펌프1) 로터리 펌프(rotary vane pump)그림2. 로터리 펌프의 내부구조 및 작동순서- 그림 2에 일반적으로 실험

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.19

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[반도체] rf 마그네틱 스퍼터링으로 증착된 Zno의 온도에 따른 변형거동

와 같은 결정 결함에 따른 비저항이 추가됨에 따라(Mathiessen’s low) 전체적인 비저항이 증가했다고 해석됐다.2. 결론RF Magneic sputter를 사용해 Al ... 이상의 온도에서는 결함의 생성으로 추정되는 변수로 인해 비저항이 다시 증가하였다.이상의 실험결과로부터 기판온도가 상온에서 250℃까지의 제한된 증착조건에서는 200℃전후의 온도 ... 조건에서 전기전도도가 가장 우수한 ZnO-Al 박막을 얻을수 있음을 확인하였다.3. 참고문헌Principles of Electronic Materials and Devices(S.O

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.01.13

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[전자재료실험]MOS캐패시터

) ZrO₂를 조건에 맞게 ALD(atomic layer deposition) 한다.3) 포토공정① 실리콘 표면처리(HMDS)② PR 코팅- 저속 : 500rpm (5sec) ... 화)④ 노광공정(UV-exposure) - 8초⑤ 현상(development)⑥ hard bake4) Pt sputter 공정5) C-V 및 I-V 측정4. 결과 및 고찰1) C/V 그래프2 곡선 ... 1. 실험 목표MOS를 직접 제작하고 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 두께에 따른 MOS 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 이론적 배경그림 1에 나타낸 바와 같이 p

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.06.20

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[공업화학실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

beam) 식각(혹은 이온빔 밀링(milling)), 스퍼터(sputter) 식각, 그리고 RF(radio-frequency) 식각 등이 있다.한편 화학적 건식 식각은 플라즈마 ... 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거■ 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠 지 는데 첫째로 증착공정 둘째 ... 로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.25

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sol-gel법을 이용한 ZnO나노분말 제조

은 에너지 절약형 창유리 코팅재료, 태양전지, 환원가스검출센서 등 그 응용범위가 매우 광범위 하다. ZnO 박막은 sputtering, spray pyrolysis ... 의 높은 반응성 및 고순도의 생성물을 얻을 수 있는 드의 장점을 지니고 있다. 이번 실험에서는 sol-gel을 이용하여 ZnO분말을 제조함으로써 sol-gel을 알아 보았다.1 ... . 실험장치 및 시약- spin coater, convection oven, glass substrate, beaker, acetone, methanol, DI water

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.25

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[고체및재료실험]표면관찰

의 전계분포 등이 크게 달라져 에칭이 진행되는 방법도 각양각색이며 장치의 구조도 그 동작조건에 따라 특이한 모양을 갖는다.그림 ion shower 방식의 sputter 에칭 장치 ... 가지 관찰에 용이하다. 이 실험은 steel의 annealing 유무에 따라 etching 시에 그 정도를 관찰하여 비교, 고찰 해 보고자 하는 실험이다.2. 기본 관련 이론1 ... polishing 등으로 나눌 수 있으며 grinding 시에는 emery paper를 사용하며 번호가 올라갈수록 거칠기는 낮아진다. 이 실험에서는 #800 → #1000 → #1200→

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.06

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[공학]전자재료

전자재료실험 예비보고서1.PVD (Physical Vapor Deposition ; 물리적 기상증착)과CVD (Chemical Vapor Deposition ; 화학적 기상증착 ... (Extremely dense structure) → 표면압축응력 부여평활표면 (Smooth surface)저마찰계수(Low coefficient of friction) → 마찰저항 감소화학 ... 적 안정성 및 비반응 (Chemically stable and inert)소착 및 융착 억제 (Low stick and weld)낮은 열전도도(Low Thermal c

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10 | 수정일 2024.01.14

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[광전자] 박막제조와 화학증착공정실험

다. Sputtering PVDsputtering이란고체의 표면에 고 에너지의 입자를 표면원자와 충돌시켜 고체 표면의 원자를 기판에 박막을 입히는 공정을 말한다. sputtering은 증발 증착보다 좀 ... 한다 .⑦ 전구체 Bubbler의 manual valve를 open한다.⑧ 실험 조건 Recipe를 작성, 수정, 확인하여 공정을 시작한다.⑨ 공정이 끝나면 전구체의 manual ... Cubic Centimeter per Minute)N2의 유량 : - 60 KPa대기압 : 0.076 Torr⑧ 전구체 Bubbler의 manual valve를 열고 실험 조건

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.08.23

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[재료공학실험] 진공과 pvd, cvd

에 의 향은 그대로 두고 수분만 제거하는 방법), 증류(distillation), 박막증착(sputtering, LPCVD : low pressure chemical vapor ... 론, 반응성 증발, 아크방전등 여러 가지가 있으며, 일반적으로 증기상 증발 (vapor evaporation), 이 온 스퍼터링 (ion sputtering), 이온도금 (ion ... 적게 들고 여러가지 종류의 원소및 화합물의 증착이 가능하며 공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아 니라 좋은 step coverage

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15

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[Nano] Growth of GaN nanorods by chemical vapor deposition

의 거리4. Discussion우리는 이번 실험에서 Si wafer에 sputter coating시킨 조건에 따라 nano-structure가 어떻게 되는지 알아보려고 했다. 그 결과 ... 를 이용하여 nanorods를 직접 키워 보는 과정에서 Si 기판에 Sputer를 이용하여 박막코팅을 하여, 각기 다른 조건(Si-Ni(10sec), Si-GaN-Ni(10, 30 ... Fig 2. data 들에 나와 있듯이 각 조건에 따라 nano-structure 들이 각기 형태나 구조가 다 다르다. 어떤 것은 수 micro 이상 GaN들이 성장을 하

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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[spin coating] spin coating

>< Fig.11 TiO2 900Oc >3. 토론Spin Coating은 전해질 박막을 코팅하는 여러 방법, 즉 EVD, plasma spraying, RF sputtering등에 비해 ... 다.실험에서, TiO2의 Phase transformation을 예상하며, 600, 900℃ 의 조건하에서 Sol을 Gel화하는 데서 열처리를 해주었다. TiO는 Rutile 상과 ... Spin Coating1. 실험방법실험에서 PVP(poly Vinyl Pyrrolidone를 각 0%, 10%, 30%, 50%씩 TiO2에 첨가하여 상이 변화하는 모습을 알아보

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.06.17

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[박막] RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ZnO박막에 관한 연구

, 군지연 특성을 고찰하였다.{Fig. 1 Schemic diagram of rf magnetron sputtering systems. B.G. : Baratron Gauge ... RF 전력 범위에서 알곤 압력의 증가에 따라서 증착속도는 감소하는 현상을 보인다.이같은 실험 결과로부터 본 실험의 조건은 알곤과 스퍼터링된 입자와의 산란이 지배적인 영역이라는 것 ... --------------------------- ⅱ제 1 장 서론 ------------------------------------------------- 1제 2 장 실험 방법

리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2004.12.05

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[반도체 제조공정] 반도체 제조공정

을 향상시키면 baking시 열에 의한 응력완화를 목적으로 하는 soft baking을 85℃에서 1분동안의 조건으로 baking한다.5. 노광PR이 도포된 웨이퍼를 contact ... 을 형성한다. 이러한 공정을 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering)이라고 한다. DC diode, RF diode, triode, magnetron, modified ... Ⅰ. 실험 목적MFM wafer를 제작하여 device의 구조 및 특성을 이해한다.반도체 공정의 metallization 공정시 wafer 위에 도포된 Photo Resist

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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