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"sputtering 실험조건" 검색결과 81-100 / 171건

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    펌프의종류 레포트
    으로 급격히 가속되어 배기 과정이 이루어지게 된다. 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter ... 펌프 등 대부분의 기계적인 펌프가 여기에 속한다.1) rotary pump로터리 펌프는 정지자(stator), 회전자(rotator) 그리고 vane에 의해 흡입(A), 압축(B ... 는 10Torr이하의 고진공 영역에서 일정한 배기량을 유지하므로, 고진공이 지속적으로 요구되는 전자 현미경이나 각종 반도체 생산 및 실험실 장비 등에 많이 쓰이고 있다3
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.23
  • 분광학적 분석 방법
    analyzer를검출기로 사용하며, 부도체 시료의 전기적 보정을 위한 electron -flood gun, 시료표면 cleaning을 위한 ion sputtering 기능이 있 ... 의 정량을 자동적으로 행할 수 있다.③ 시료구비조건: 고체분말 이어야 하며 정량분석을 위해서는의뢰자가 standard sample을 준비해야 한다.ⓔ FT-IR (적외선 분광광도계 ... , 미지 sample A와 B4. 실험방법◆ IR 스펙트럼의 측정① 실험전에 1시간 가량 기기를 충분히 가동시키며, 조교의 설명을 통해IR spectrophotometer의 원리와 조작
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.03
  • LG 디스플레이
    근무를 하며 DC magnetron sputtering을 이용하여 증착한 ZnO기반의 박막트렌지스터의 후열처리에 따른 특성을 비교하는 실험에 참여하여 웨이퍼를 직접 c ... leanning 해보고 마스크를 씌워 채널부와 단자부분을 주어진 조건에 맞게 증착해 보았습니다.증착 후 소자의 열처리 전과 후의 transfer 특성과 stability특성을 찍어보고 연구 ... 연구 및 실험을 도와주면서 디스플레이분야에 더욱더 관심을 가지게 되었습니다.특히나 TFT-LCD와 더불어 플렉서블 전자종이의 개발은 우리생활을 한 차원 향상시키는 핵심기술 이
    자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.09.11
  • 리소그라피와 패터닝
    음 레이저 패터닝Motivation - CVD PVD PVD : Physical Vapor Depostion Thermal evaporation DC or RF sputtering ... Pulsed Laser Depostion Ion Beam sputtering Molecular beam epitaxy CVD : Chemical Vapor Deposition ... mold 의 크기를 변화시켜 각종 패턴형성가능 향후전망반도체 제작공정 – 동아대학교 신소재공학과 재료공학실험실 web.skku.edu/~std/ newpages /Sputter
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.05
  • 부산대학교 졸업 논문 (Flexible Display용 PI기판 위 ITO 증착 시 Stage Temperature에 따른 특성 변화 연구)
    었을 수도 있으므로, pre-sputtering을 30분 동안 실시하였고, 증착이 완료된 시편은 알파스텝을 이용하여 두께를 측정했다. Table 3은 본 실험 결과 ITO 박막 ... puttering system이며, 측정 장비는 XRD, 4-point probe, UV-VIS spectrophotometer이다. XRD를 통해 결정성, 4-point probe ... 두께를 일정하게 증착할 필요가 있다. 이에 ITO 박막의 deposition rate를 알아보기 위해 사전 실험을 진행하였다. 증착 장비로는 DC/RF magnetron s
    논문 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18
  • 각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1
    의 불순물을 제거한다.2. 증착조건RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다.(working pressuertorr)3. 두께측정증착 ... 으로 급격히 가속되어 배기 과정이 이루어지게 된다. 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter ... 게 하는 데 이것이 sputtering 현상이다.Sputtering은 chamber내에 공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03
  • PLED 제작
    #12 : PLED 소자제작1. 실험목표고분자 발광물질을 이용하여 PLED의 제작 방법을 알아보고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다.2. 원 리 ... , electron beam 증발원, sputter 증발원 등이 주로 사용되고 있다.봉지 공정은 sealing cover 세정, 건조제와 필름 부착공정, UV sealant dispensing ... -ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)]이 물질은 hole-injecting buffer층으로 작용하는 물질이다. 유기물 소자의 낮은 효
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.15
  • SiO2 기판위애 증착된 알루미늄에 대한 보고서
    로 10?2~3torr를 뽑아낸 후 Turbo Pump로 10?5torr까지 진공을 얻은 후 Ar gas를 주입하여 Al을 sputtering 한다.- 각 조별 증착 실험 조건Ar ... Chamber내에 설치된 Shutter를 사용해 Shutter위에 Pre-sputtering을 실시해 target의 표면에 존재할 수 있는 산화막을 제거 시킨다.이번 실험의 목적중 하나인 ... 는 증착 현상들을 관찰 할 수 있다.Ⅱ 실험 조건- Sputter는 기본적으로 High Vacuum Condition(고진공상태)인 10? torr의 진공상태에서 실행되는 증착 기구
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.26
  • 물질 유전 상수 측정
    HF를 이용하여 자연 산화막을 제거한다.②게이트 유전체 증착- 열적산화를 통하여 웨이퍼에 산화막을 성장시키고, RF sputter를 이용하여 High-K dielectric을 증착 ... 고 Baking을 거쳐 UV를 통과시킨 후 현상과정을 거쳐 필요없는 부분을 제거한다.④증착- DC sputter를 이용하여 상부전극을 증착시킨다.⑤Lift-Off- 원하지 않는 부분 ... . 이때 C는 전하량, ε0는 진공유전율(8.85F/m), A는 전극의 면적, d는 산화막의 두께 그리고 εr은 물질의 유전상수이다. 실험조건은 원형전극은 직경이 80㎛이고, 산화
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.10
  • 정전분무증착, SOFC증착
    방법이 있다. 이런 증착방법을 하나하나씩 간단하게 알아보고자 한다.1. 스퍼터링법 (sputtering Method)이 방법은 고에너지를 가진 입자를 고체의 표면에 충돌시킨 다음 ... 에 따라 치밀한 조직을 갖는 박막을 형성하게 된다.스퍼트링의 종류에는 직류 스퍼트링(Direct current sputtering)과 라디오파 스퍼트링 (Radio Frequency ... sputtering)이 있다.직류 스퍼트링은 열전도도가 높은 타켓을 주로 사용하여 인가하는 전압에 따른 열충격이 작기 때문에 전압 인가 방법이 용이한 장점이 있지만, 타겟
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.01
  • 구리필름의 전기적 특성 분석 실험
    에 의해 실험적으로 확인 되었다. 그 후, 영국의 W.H. Bragg는 이것을 다른 각도로 해석하여 간단한 수식으로 회절에 필요한 조건을 Bragg's law (2 d Sin q ... 이상을 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어진다.3. 실험방법­ Cu 전기적 성질: 비저항, 접촉저항­ 증착방법: PVD(sputtering)CVD(thermal ... 박막의 형성 방법: PVD (물리적 기상증착)―Sputtering: 생성된 양이온이 증착하고자 하는 물질(target)과 충돌하고 이때 sputtering 된 입자들이 기판에 증착
    리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.17 | 수정일 2022.09.16
  • Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering
    putteringAIP and Magnetron sputtering 공정 조건입니다. Magnetron sputtering시 TiN은 DC Power를 사용하였고 WC는 RF Power ... 가n Sputtering Technique을 사용하기 위하여 특성을 고찰하고, 그 활용성을 모색한다. AIP and magnetron sputtering Mechanism의 이해 ... deg., Scan step : 0.02/sec (step delay : 1 sec)의 조건으로 X-선 회절 (XRD) 분석을 행하였다.나. 미세조직 관찰질화 처리된 각 시편
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07
  • [OLED, LED] Sputtering을 이용한 박막 증착
    , Diffussion Pump , 단차측정기(α-step), Glass3. 실험원리- 진공 PUMP의 종류 및 원리① 로타리 베인 펌프( Rotary Vane Pump )일반적으로 가장 ... 의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서 “sputtering”이라고 말한다. 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate ... 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해 왔으나 최근에는 엑시머 레이저
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.05
  • 반도체 집적소자 제조 단위공정 ( 금속박막공정, 사진공정, 식각공정 )
    , 우리는 PVD의 방법 중에서 sputtering을 사용한다. 이 기계는 학교 박막 실험실 내에 비치되어 있는 기계와 같다.Thin film deposition이라 함은 증착 ... 의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering, CVD(화학증착 ... 의 방다. 또한 step coverage가 좋아서 균일한 성막이 가능하다. sputter 방법이 갖는 단점인 낮은 성막 속도는 magnetron 이나 ECR (Electron
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.06
  • 열증착
    어, 시료체가 시료에 충돌하지 않도록 sputter 보다 높은 진공도(Pa)가 필요하다.진공 증착시, 증착상태에 관한 기본 공식들은 기체분자의 속도분포가 멕스월-볼츠만분포를 지닌다는 가정 ... upport재료 자체의 증기압이 높거나 분해가 쉽게 일어난다면 역시 오염물질을 방출하게 된다. EH한 support재료는 여러 가지 모양을 쉽게 만들 수 있어야 하며 가열 조건 ... 발생- e-beam source 위에 원자의 농도가 크므로 와류 또는 discharge 가 심하다.4) 진공증착의 특징- 막형성의 속도가 빠르다. (sputter보다 몇배 빠르
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.08
  • Solar Cell
    의 낮아지고 가시광선의 흡수율은 높아진다.② a-Si의 이중 또는 삼중접합 태양전지(가) a-Si 태S양전지의 효율은 단결정 또는 다결정 실리콘보다 낮으며 실험실에서 최대 12 ... 구조를 하고 있으며 CIGS가 태양광 흡수물체 역할을 한다. 박막 증착방법으로는 스퍼터링(sputtering), 잉크프린트, Electroplating 등이 개발되어 있 ... 기 때문에 Si태양전지는 효율에 한계가 있다. 또한 저에너지 파장의 빛은 열 소산이 발생하여 태양전지를 가열하게 되어 효율을 낮춘다. m-Si 태양전지의 최대효율은 표준시험 조건
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20
  • DSSC
    . 실험 목적2. 관련 이론1. TiO2 Interlayer2. DSSC 대 면적 모듈3. Bus Electrode참고 문헌1. 실험 목적dye-sensitized solar ... deposition(SPD), One-step cathodic electrodeposition, rf-magnetron sputtering, Chemical vapor dsposition 등이 있 ... 다.이런 차단층의 조건 또한 매우 중요한 인자가 된다. 너무 concentration이 작으면 효과가 미비하게 되고 적당한 점을 실험을 통해 구해야 한다.2. DSSC 대 면적
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25
  • Aluminium Sputtering
    측정을 하였다. 실험 결과, sputter system에서 power의 세기는 플라즈마 형태로 된 Ar 양이온이 갖게 되는 힘을 크게 하여 증착두께를 두껍게 하는 비례적인 결과 ... D.C. Magnetron Sputtering을 이용한 Al 박막 증착Key words : D.C. magnetron sputtering, Ohm's Law, Drude's ... theory, Sheet resistanceAbstractsD.C. magnetron sputter를 이용하여, P-type 100 si-wafer에 Aluminium을 power
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.25
  • 산화공정 (Oxidation)
    박막의 증착에 사용되며, 이에는 진공 증착(vacuum evaporation)법과 스퍼터링(sputtering)법 등이 있다. 반면 CVD법은 화학 반응을 수반하는 증착기술 ... 과목명마이크로팹 설계 실험성명 / 조박 준 영 / 4조실험제목Wafer Cleaning 공정산화 시간에 따른 SiO₂산화층 두께 비교실험목적1. Wafer Cleaning (Si ... 웨이퍼 준비 및 세척)2. Thermal Oxidation (시간에 따른 SiO₂산화층 두께 측정 및 비교)=>산화시간에 따라 SiO₂산화층 두깨를 비교해 본다.실험이론우리가 이번
    리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10
  • Pt(백금)도금과 응용
    을 이용해 제품 표면에 (부도체도 가능) 진공도금 - sputtering, Ion Planting, Ion Implantation 등 용융 도금 - 용융된 금속에 담그어 도금I. 백금 ... 도금의 개선방법에 대하여수용액에서 전해석출 백금과 백금 합금막을 광범위하게 사용하기 위해서 석출 과정에서 발생하는 여러가지 난제를 해결하기 위해서 최적의 반응조건이 필요 ... 한 전극 재료인 백금은 높은 촉매 활성도와 넓은 전류밀도에 대한 안정성을 가지나, 가격이 비싸 전극으로 사용하기에는 경제적인 부담이 커서 도금의 필요성이 증대될 수 밖에 없다.실험순서
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09
해캠 AI 챗봇과 대화하기
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2025년 09월 07일 일요일
AI 챗봇
안녕하세요. 해피캠퍼스 AI 챗봇입니다. 무엇이 궁금하신가요?
5:40 오전
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