"sputtering 실험조건"의 검색결과 입니다.

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스퍼터링 ITO 박막 4-point probe 4 point probe mos capacitor DSSC 보고서 fto ito 투과율 ITO Scribing

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"sputtering 실험조건" 검색결과 41-60 / 171건

[공학]Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성

실험제목Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성실험목적ITO조건에 따라 면저항 특성, 투과도, 두께, 면저항 등 여러 분석을 통해 ITO의 투명성과 전기도 ... 의 우수성을 알고보고 비교하고자 한다.실험장비ITO 타겟 기판(glass), 스퍼터링 장비, 4 Point probe, 알파 step, 비저항 측정기, 투과도 측정기, 비닐장갑 ... 다.◎ RF sputtering1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장점이 있다.2) 주파수가 50

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.18

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2016년 하반기 동부하이텍 합격 자기소개서

는 과목이 없었기 때문에 많은 어려움을 겪었습니다. 하지만 세정, 증착, 코팅, 식각, 현상 등 한 가지 주제를 배울 때마다 조교님께 연관된 실험 기구와 원리에 대해 자세히 알려달 ... 와 낮은 열처리를 하니, M-O간의 결합력 증가 및 mobility 역시 향상 되었습니다. 지금도 온도를 150도로 낮춰보는 등 최적의 조건을 찾기 위해 연구하고 있습니다.2. 본인 ... 던 중, 이번 학기 ‘반도체전자재료특론’ 과목에서 ‘실제로 대부분의 기업들은 TFT 생산을 위한 Photolithograpy 과정 중, 게이트, 소스, 드레인, 활성층은 s

자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.20

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PVD의 종류와 특성, 응용분야

situ observation)에 적합⑤열역학적으로 평형의 조건에서 되는 물질과 다른 결정구조를 지닌 물질이나 다른 성분비를 지닌 화합물 제조가 가능(3) PVD법의 단점①박막과 ... 함으로써 측정된다. 측정된 속도는 sensing device의 위치에 따라 달라지며 일반적으로 재현성이 없기 때문에 주어진 증착 조건에서 매번 측정하는 것이 바람직하며, 이것이 어려우 ... 기판 ＞ 870~900K성장속도 2 ~ 3Å/s아래 그림은 GaAsxP1-x를 만들 경우의 분자선 에피택시 장치의 예이다.Ⅱ. 스퍼터링(sputtering)이란?스퍼터링이란

리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29

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스퍼터링

스퍼터링 (sputtering)-결과 보고서-목차1.실험목적2.기초이론 및 원리3.준비 기구 및 장치4.실험과정5.실험결과6.토의 및 고찰7.인용 및 참고문헌1. 실험 목적 ... 으로서 TiO2의 표면적을 넓혀준다.에닥스 - 시편에 코팅 된 박막 물질을 분석하는 작업5. 실험 결과▶3조의 실험 조건3조TargetTiO2GasAr 30 sccmPressure10 ... 에 어떠한 상하관계가 있는지 공정변수와 관련지어 알아보도록 한다.2. 기초이론 및 원리1)스퍼터링(sputtering)이란?이온원자target surfaceㅡ 글로우 방전에서 발생

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)

반도체공정실험 3조1. Schematic diagram for the evaporator (vacuum system) and sputter deposition system1.1 ... 되고 비슷하며 균일한 성막 생성이 가능하고 step coverage가 좋은 반면 성막속도가 10A/sec 이하로 낮고 성막조건이 민감하고 서로 영향을 끼치는 단점이 있다.2. Plan ... 을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 한다.1.3. The evaporator (vacuum system) deposition system

리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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디스플레이 재료실험 기말레포트

UV-visible spectrometer를 이용하여 파장에 따른 투과도 값을 얻었다.SEM 결과로 박막의 두께와 미세구조를 관찰할 수 있었다.실험 시에 O2 0.3 sccm 조건 ... 에서 perovskite solar cells 제작용 기판에 sputtering이 잘 이루어지지 않았다. 이 때문에 J-V curve가 현저히 낮은 효율을 보이는 것으로 생각 ... RF스퍼터링으로 증착한 ITO 박막의 산소분압에 따른 특성 및 페로브스카이트 태양전지의 효율과 목 : 디스플레이재료실험과 제 명 : 기말레포트학 과 : 신소재공학부학 년 : 4

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.03.03 | 수정일 2017.05.09

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플라즈마 방전관 설계

하고 전류 방전이라 한다. V _{K}의 실험식은 다음과 같다.V _{K} =V _{O} +K {sqrt {j}} over {P _{O}}여기서 V _{O}, K는 기체 종류에 따라 정해 ... 의 에너지가 커지면 스퍼터링(sputtering)이 현저하게 된다. 스퍼터링 이란 가속된 원자나 분자가 공간속으로 튀어나가는 현상을 말한다. 이 현상은 박막의 제작 등에 널리 이용 ... 플라즈마 설계 과제◎설계 과제1. 다음 조건을 만족하는 DC글로우 방전관을 설계하라.(a) 방전 기체 : Ne(b) 최소방전 전압에서 구동(c) 방전관의 길이(L) : 0.1m

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30

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박막 증착에 관한 진공장비(시스템) 소개 및 원리 숙지

adhesioncostevaporation < sputtering < PLD < MBEfilm qualityevaporation < sputtering < PLD < MBEgrowth ... rateevaporation > sputtering > PLD > MBE① evaporationa. Thermal evaporation금속재료를 증착 시키기 위해 고진공(5x10-5 ... impedance라 하더라도 전극으로 사용할 수있으므로 양전극이 모두 도체일 필요는 없다. 효과적인 sputtering을 위해서는 coupled electrode의 키기

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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소재공정실험 박막 PVD와 CVD PPT [A+]

poorer adhesion better adhesion puttering S vsC hemical V apor D eposition rinciple of CVD P 화학기상증착법 이 ... 소재공정실험 PVD 와 CVD PVD 와 CVD PVD 와 CVD Thin film Process and analysis Thin film Process and analysis ... 시켜 기판에 증착 . vaporation E 1. 증착 하려는 source material 을 도가니에 넣고 가열 . 2. Source material 이 기체상태가 되어 기판의 표면

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.23

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sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정

한다.④develoter로 헹궈준다.⑤Al sputtering다음과 같은 조건으로 Sputtering을 실시한다. base P: 2x10^-5 torr working P: 2x10^-3 torr ... 의 이온화율 감소 → sputtering 속도 감소?기체 압력이 너무 높으면 - mean free path의 감소로 인한 scattering에 의해 에너지가 적어 증착속도 감소 ... 같이 작은 물방울이 형성되지 않는다.1) non-reactive process?불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering- target이나 기판에 직접적인 화합물

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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TFT(Thin Film Transister) 실험레포트

시키면 튀어나오는 Target의 원자를 기판에 증착하는 방식이다.기판에 Gate 전극을 증착할 때 먼저 Pre-sputtering을 실시하여 Target의 불순물을 제거하는 작업을 실시 ... 증착 속도도 증가하게 되지만, 일정 전압을 초과하면 증착 속도가 떨어지는 것을 확인 할 수 있다. 그리하여 우리는 실험에서 Sputter 공정 조건을 파워는 125W, 가스는 20

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.06.19 | 수정일 2017.10.16

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[고분자재료실험] 6. ITO Patterning - 예비

을 sputtering 방법으로 코팅한 유리를 말한다. 투명 plastic film 또는 sheet 기판에도 적용이 가능하다. (ITO란 Indium Tin Oxide의 약자 ... 예비레포트고분자 재료 실험 6주차6주차 : ITO Patterning소 속 :2014년 11월 18일 제출학 번 :제 출 자 :조 번 호 :실 험 자 :실 험 일 :1. 실험제목 ... /실험날짜 : 6. ITO Patterning / 2014년 11월 21일2. 실험조 및 실험자 :3. 실험목적 :? OLED/PLED/OTFT/OPV device의 투명전극

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.26

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진공 펌프 조사

저 진공 펌프로타리 펌프 Rotary pump대학실험실에서 가장 많이 사용되는 저진공펌프입니다.위 그림에서와 같이 고정된 정지자(stator)가 있고 그 속을 회전자(rotor ... 은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로 기체입자를 붙잡는다.3.터보분자펌프터보 분자 펌프는 블레이드의 회전에 의해 분자 ... 이 좋다. 진공작업도중에 벨트가 끊어지면 위험이 따를 수도 있기 때문이다. 로타리펌프의 경우 대부분 2 단계(stage) 과정을 채용하고 있다. 즉, 두 개의 pumping unit

리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.12.03

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AFM 실험결과보고서

이 가해지게 한다는 것을 아래 그림을 통하여 알 수 있다.5. 실험과정RF magnetron Sputtering system 실험 조건ParameterSubstrateFTO ... time10, 20, 30, 40 minRF magnetron Sputtering system 실험 방법# sample : FTO glass1. 시편세척: 에탄올 10분 아세톤 10분 ... . 저진공 (3x103 torr까지) : 20min5. Ar 퍼징 : Ar 60sccm - 10min6. pre - sputtering : 타겟의 산화물이나 이물질 등을 날려버리

리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.10.12

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면저항 측정기(4-point probe)의 이해와 방진복 체험

적 청정실이라 한다.-evaporation-진공 중에서 금속 증기를 증발시켜서 기판에 부착시키는 것으로 반도체나 메모리용 자기 박막 등의 제조에 이용됨.-sputtering ... 1. Title (실험 제목)-면저항 측정기(4-point probe)의 이해와 방진복 체험2. Objectives (실험 목적)- 웨이퍼 위에 증착된 물질의 면 저항을 측정 ... 하여 면저항 측정기의 원리를 이해한다.3. Experimental procedure (실험 방법)(1)웨이퍼 위에 박막으로 물질을 증착한다.(2)시편을 절단 후 면저항을 측정한다.(3

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16

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[고분자재료실험] 7. PLED소자제작 및 평가 - 예비

예비레포트고분자 재료 실험 7주차7주차 : PLED소자 제작 및 평가소 속 :2014년 12월 02일 제출학 번 :제 출 자 :조 번 호 :실 험 자 :실 험 일 :1. 실험제목 ... /실험날짜 : 7. PLED 소자 제작 및 평가 / 2014년 12월 02일2. 실험조 및 실험자 :3. 실험목적 :고분자 발광물질을 이용하여 PLED의 제작 방법을 알아보 ... 고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다.4. 실험이론 및 배경 :일반적으로 고분자는 반복단위인 단분자가 공유결합에 의해서 수십에서 수백 개가 서로 연결

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.26

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sputtering결과보고서

층을 sputtering하는 작업이 포함된 실험이었다. 이 실험에서는 노출시간에 따른 SI증착 층의 두께증가가 거의 직선적으로 나와 우리 실험과 차이점을 보이고 있다.2. Pd ... 여 sputtering작업을 할 수 있는 최상의 조건을 만들기 위함이다.이렇게 sputtering작업 전 모든 준비를 마치고 TiO2 23분, Pd (15초, 30초, 1분, 3분 ... ), 다시 TiO2 23분씩 sputtering을 하였다. Pd의 노출시간을 조건별로 달리 한 것은 빛의 투과도와 증착층의 두께 또 육안으로 관찰 가능한 투명도에 차이를 보기 위함이고

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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SiC박막 증착(RF Sputtering)

( ℃) Substrate RF Sputtering 3 00 4 Ar(50sccm) 3 500 Si ◆ 실험 방법( RF sputtering annealing) 1. silicon 기판을 알코올 , 증류 ... . Principle Experimental setup1. Research Background ◆ SiC(Silicon Carbide, 탄화규소 ) - 4 족 원소인 Si 와 C ... 하지 않음 ) 열 적 특성 내열성 고열충격저항성 전기적 특성 Wide bandgap semiconductor 절연파괴 , 전계강도 우수1. Research Background

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.21

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고진공 저진공 펌프에 대해 조사한 레포트 입니다.

Low & High vacuum pumpLow & High vacuum pump(저진공 펌프 & 고진공 펌프)제출일2015.05.28전공반도체 디스플레이학과과목반도체 공정 실험 ... - Rough vacuum 이라고도 하며, 기체의 분자 수량이 진공용기 내부 표면에 부착되어 있는 분자 수량보다 많은 상태.- Food processing, 증류, 박막증착(s ... puttering, LPCVD), 네온사인 등에 쓰인다.고진공 (High vacuum)- 기체의 평균 자유행로가 진공용기의 크기보다 긴 상태.- 분자 간의 충돌보다는 진공용기 내벽과의 충돌

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.05.30 | 수정일 2017.01.09

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Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의 후열처리 온도에 따른 Cu-silicide형성과 비저항에 미치는 영향의 특성평가실험

1. 실험목표Silicide 형성 기구 이해(kinetic, themodynamic)제조 방법(sputtering)의 이해응용 내용 이해(반도체 metallization)2 ... 금속 원자 한 개 승화시 필요한 에너지: 3~5eV)→ 대부분의 에너지가 열로 방출, 일부 에너지만이 스퍼터링에 이용.(3) 스퍼터율(sputter yield)스퍼터율: 하나의 양 ... 한 결정면에 대해서는 sputter yield 감소.② Target의 온도: sputter yield가 아주 높은 경우를 제외하고는 민감하지 않음.③ 이온의 입사각: Max s

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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