"sputtering 실험조건"의 검색결과 입니다.

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스퍼터링 ITO 박막 4-point probe 4 point probe mos capacitor DSSC 보고서 fto ito 투과율 ITO Scribing

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"sputtering 실험조건" 검색결과 21-40 / 171건

실리콘 웨이퍼 표준 세정, Cr증착, photolithography 공정 최종보고서

하였는데, PVD 장비에는 evaporator와 sputter가 있다. 두 가지 PVD 장비를 다음의 차이점을 통해 간략히 정리한다.표3. sputter 와 evaporator의 장단점s ... 고 이온화 시켜 플라즈마상태를 계속적으로 유지시키게 도와준다.그림1. sputter 공정 개략도위의 그림은 가장 간단한 DC sputter의 공정 개략도이다. 만약 타겟이 금속 ... 이 아니고 부도체라면 전자가 방출될 수 없기 때문에 계속적으로 플라즈마상태를 유지하지 못해 계속적으로 sputtering이 되지 못할 것이다. 때문에 개발된 sputter를 RF s

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.04.01 | 수정일 2020.08.17

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ITO Film 제조 및 특성 평가 결과보고서

. Power: Sputtering 기계는 DC전원과 RF전원 두 가지가 있다.DC sputter장치구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.성막속도가 여러 종류 ... 의 금속에 대해 거의 일정하며, 전류량과 박막두께가거의 정비례하므로 조절이 쉽다.RF sputtering에 비해 성막속도가 크고, 박막의 균일도가 크다.또 구조가 간단하며, 성막속도 ... ~ 15m Torr)그리고 기판이 과열되기 쉽다는 단점이 있다.RF sputtering금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의sputtering이 가능하며 주로 13.56

리포트 | 20페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.03.01 | 수정일 2022.12.03

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RF Sputter를 이용한 InGaZnO(IGZO) 박막증착 레포트

RF Sputter를 이용한 InGaZnO(IGZO) 박막증착김OO1. 실험 제목 : rf sputter를 이용한 InGaZnO(IGZO) 박막증착2. 실험 목적 ... : flexible TCO 형태의 일원인 InGaZnO를 증착해보고 flexibility, 투명성, 전도성을 측정해 본다.3. 실험 원리a) rf sputteringrf sputtering ... 은 dc sputtering과 달리 금속외에 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 target에도 sputtering이 가능하다는 장점이 있으며 주로 13.56MHz의 고주파 전원

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.11.06

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학부생 연구프로그램 보고서

을 위한 sputtering 방법을 이용한 Mo 기판 제작1. 참여 목적 또는 필요성Introduction현대 사회는 기계화와 함께 지구온난화 등의 이유로 전기 사용량이 급격히 ... 하여 변환 효율을 20%까지 향상시키는데 성공했고 이로써 실리콘 태양전지와 비슷한 변환 효율에 도달했다.소다석회유리에 sputtering 방법으로 증착된 Mo 기판은 CIGS 태양전지 ... 하였다.2. 업무 수행의 경과 및 결과ExperimentalMo 기판은 RF sputtering 방법으로 소다석회유리 위에 증착하였다. 소다석회유리는 사이즈가 7.5㎝ × 2.5㎝이고

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.10.31

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[신소재기초실험]MOS 소자 형성 및 C-V 특성 평가

하다.(10 ～ 15m Torr)⑦ 기판이 과열되기 쉽다.sputtering 원리3. 실험 방법가. cleaning1) Piranha cleaningSi wafer를H _{2} SO ... , uttering의 특징을 보면 장점, 단점, 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.① 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.② 전류량과 박막두께 ... 가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.③ RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.④ 박막의 균일도가 크다⑤ Target의 재료가 금속으로 한정된다.⑥ 높은 Ar압력이 필요

리포트 | 10페이지 | 3,600원 | 등록일 2020.04.19 | 수정일 2020.08.13

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PVD 증착법 예비 보고서 [A+ 레포트]

ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서 “sputtering”이라고 말한다. 박막 증착에서 s ... puttering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다. Sputtering process의 가장 우수 ... 재료공학실험III20XXXXXXXX 홍길동1. Rotary pump진공펌프란, 기체를 압력이 낮은 곳에서 높은 곳으로 에너지를 소모하며 이동시키는 장치이다. 이러한 진공펌프

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01

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ITO Scribing & Cleaning 예비

물질g 공정이 들어간다. 기본적으로는 물, 용매, 초음파, UV 등으로 붙은 불순물을 제거하고, 이번 실험같이 더욱 큰 순도를 요하는 실험에서는 sputtering 등의 공정을 사용 ... 면 오존을 거쳐 활성 산소가 만들어지고, 이를 이용하여 불순물을 제거하는 원리이다.ITO glassITO glass는 투명 기판(glass)에 ITO 박막을 sputtering 기법 ... 하기도 한다. sputtering 기법은 반도체 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종이다. 챔버 내부를 진공 상태로 만들고, 아르곤을 챔버 내로 흘려 전압을 가한다. 음극

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.16

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2019 상반기 온세미컨덕터 공정 기술 자기소개서

의 공정 조건을 찾기 위해 움직이고, 이에 적합한 데이터를 분석한 적이 있습니다.실험 주제는 ‘Flexible Display 용 ITO 특성 연구’입니다. 전공 수업과 논문을 조사 ... 했습니다. 광투과도는 향상했지만 300W부터는 전기적 성질이 감소하는 것을 발견했습니다. 원인은 Re-sputtering으로 예상했고, 이에 RF Power를 증가하지 않고, 에너지 ... Fab을 인수하며, 수율 향상을 위해 움직이고 있습니다. 웨이퍼 크기가 커진 만큼 Warpage 등의 공정 이슈가 발생할 것입니다. 다양한 실험을 통해 기른 분석력을 바탕으로, 이러한 이슈를 해결하여 최적의 공정 조건을 함께 찾고 싶습니다.

자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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투명전극(ITO)과 진공펌프 및 게이지와 스퍼터링의 종류들과 원리

전자재료 물성실험 예비 레포트투명전극(ITO)과 진공펌프 및 게이지와 스퍼터링의 종류들과 원리목차1.투명전극1.1투명전극의 정의 및 조건1.2투명전극의 종류1.3투명전극의 원리2 ... puttering : RF보다 불리함-RF sputtering-a. 전도체, 절연체, 비금속, 유전체b. HIP 또는 sintered powderc. 성막속도 낮고, PAr에 민감d. 2∼5 ... mTorre. 크다 ⇒ 성막면적이 작다f. Reactive sputtering에 적합③DC/RF 마그네트론 스퍼터링 장치기존 스퍼터링 방법에 자기장을 사용하면 마그네트론이라는 단어

리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.07.03 | 수정일 2019.07.04

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[2019 A+ 인하대 공업화학실험] 패터닝 결과보고서 공화실 결보

고 etching 속도와 selectivity를 구하는 실험이다. 따라서 그 전까지 과정이 완료된 wafer을 이용한다.RIE (reactive-ion etching)안에 있는 두 판 ... 하는 추세를 보인다. 이는 C2F6가 증가할수록 Ar+의 물리적식각, 즉 sputtering가 감소한다. 또한 C2F6의 F라디칼이 CoTb와 CoZrNb에 붙어 Ar+의 충돌을 방해 ... 가 별로 변하지 않는다.이를 통해 이번 실험 조건에서 power을 늘리면 식각 속도가 증가할 것으로 예측된다. 또한 power가 일정 값 이후가 되면 포화상태가 돼 식각 속도가 별로

리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.04.13 | 수정일 2020.04.18

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[고분자공학실험]ITO Pattering 공정

의 PEGMEA 와 같은 solvent를 제거하고 세척 후 완전한 수분제거를 목적으로 후 열처리를 시켜줘야 하는데 (past-bake) 이러한 열처리를 통해 PR film이 강산 조건 ... . 특히 dry etching의 경우 이온 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)와 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering ... ITO Pattering 공정1. 실험 목적가. OLED / PLED / OTFT / OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO를 원하는 pattern으로 식각하는 법

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.12 | 수정일 2020.08.05

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ITO Patterning 예비

현GMEA와 같은 solvent를 제거하고 세척 후 완전한 수분제거를 목적으로 후 열처리를 시켜줘야 하는데(post-bake) 이러한 열처리를 통해 PR film이 강산 조건 ... .ITO 기판ITO glass는 투명 기판(glass)에 ITO 박막을 sputtering 기법으로 코팅한 것을 의미한다. ITO는 인듐(In), 주석(Tin), 산소(Oxygen)의 . ... 실험 목표? OLED/PLED/OTFT/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO를 원하는 pattern으로 식각하는 법을 습득한다.?Photo lithography

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.16

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PLED 소자 제작 실험 예비

beam 증발원, sputter 증발원 등이 주로 사용되고 있다.Glass cap 과 Glass cap을 이용한 EncapsulationMetal can 과 Metal can을 이용 ... 실험 목표? 고분자 발광물질을 이용하여 PLED의 제작 방법을 알아보고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다.실험 원리일반적으로 고분자는 반복단위인 ... 가 인접한 두 개의 탄소와 수소 원자 사이에 sp2 혼성궤도를 형성하여 σ-결합으로 이루어진 삼각형 평면을 이루고, 나머지 한 개의 전자가 그 평면에 수직한 Pz 궤도에 퍼져있

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.16

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패터닝 예비

은 물리적 작용에 의한 스퍼터링(sputtering)효과, 화학적 작용에 의한 라디칼 반응 그리고 물리적 작용과 화학적 작용의 혼합효과로 나누어 생각해 볼 수 있다. 현재 반도체 ... 공업화학실험Patterning and treatment of SiO2 thin films1. TitlePatterning and treatment of SiO2 thin ... are engraved on the thin films, examine the film surface and measure the change in thickness before

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.05

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태양전지 정의 및 이론 정리 만점 받은 레포트

로 이동하면서 아래에서 위로 단결정을 형성 시키는 방법.? 물리기상 증착(PVD ? Physical Vapor Deposition)- 스퍼터링(sputtering) 물리적 기상 ... 광 발전시스템은 태양 전지(solar cell)로 구성된 모듈(module)과 축전지 및 전력변환장치로 구성됨태양 전지의 역사? 1839년 프랑스의 물리학자 Edmond ... 다.? 기상조건에 따라 발전량이 변한다.? 축전기능이 없다.태양 전지의 이해? 반도체에 빛이 입사하면 흡수되어 빛과 반도체간 작용에 의해 전자와 정공의 발생? 전자와 정공의 이동? 전극

리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2019.02.28 | 수정일 2021.07.01

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현미경 관찰법 (OM, SEM, TEM)

증발 시켜 시편에 코팅을 하는 방법이다.fig8. sputtering method이상적인 코팅 조건은 열 또는 전기가 잘 통해야하고, 코팅 층의 구조적 특성이 나타나지 않아야 하 ... 용이 (3)전자빔 조건안정80Au-20Pd(1) Au의 장점을 모두 가짐 (2) 좀더 작은 grain sizeCr(1) 가장 작은 grain size (2) 독성이 존재Pt(1 ... 적으로 sputtering method와 evaporation 방법이 있다. 그 중 sputtering method가 일반적이다. sputtering method는 먼저 vacumm c

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.04.21

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OMO구조의 Metal층 두께에 따른 특성평가 예비보고서

.2.1원리스퍼터링(sputtering)이란 높은 에너지를 가진 입자,주로 이온이 고체표면에 충돌할 때 질량에 비례하여 표적물질의 입자가 충돌 이온으로부터 모멘텀 전달과정에 의해 열 ... 하여 증착이 되어지고 코팅이 이루어지게 된다.그러므로 박막은 타겟의 스퍼터링 수율(sputtering yield),타겟에서 기판으로의 기체유량,기판에서의 스퍼터링 계수(s ... 조건Ref선택조건산화물타깃ITOITO금속 타깃AgAl두께(nm)50/10/40증착파워(W)110기판거리(mm)70증착압력(Pa)1.01.03.실험예측-3.1금속 타깃에 따른결과

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.18

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인하대 기계공학종합설계 논문

조건에 따른 가공특성을 조사하고자 한다. 펄스전해가공의 가공특성을 결정짓는 중요한 인자 중에 On-time step, 올림/내림차순, 간극 변경에 대한 결과 값을 측정하여 실험 결과 ... etchingvapor plasma나 활성화된 기체에 의한 반응을 이용한 etching process을 의미한다. 종류로는 sputtering을 이용한 Sputter etching ... 를 분석하여 각 가공 조건에 따른 가공 경향을 파악한다.ABSTRACTAs the industry of the current various fields has been

논문 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.06.13

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재공실 - sputtering 결과보고서

RF Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해1. sputter의 각 부분의 명칭과 기능sputter system 위 그림처럼 크게 6개의 파트로 나눌 수 ... 와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion ... implantation)등이 발생한다. 스퍼터 증착한 타겟 물질을 기판 위에 침착시켜서 박막을 형성하는 것을 스퍼터 증착(sputter depostion)이라고 한다. 스퍼터 장치

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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[공학]Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성

실험제목Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성실험목적ITO조건에 따라 면저항 특성, 투과도, 두께, 면저항 등 여러 분석을 통해 ITO의 투명성과 전기도 ... 의 우수성을 알고보고 비교하고자 한다.실험장비ITO 타겟 기판(glass), 스퍼터링 장비, 4 Point probe, 알파 step, 비저항 측정기, 투과도 측정기, 비닐장갑 ... 다.◎ RF sputtering1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장점이 있다.2) 주파수가 50

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.18

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