"sputtering 실험조건"의 검색결과 입니다.

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스퍼터링 ITO 박막 4-point probe 4 point probe mos capacitor DSSC 보고서 fto ito 투과율 ITO Scribing

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"sputtering 실험조건" 검색결과 121-140 / 171건

스퍼터링

스퍼터링(sputtering)1) 스퍼터링(sputtering)이란?Sputtering은 실로 많은 부분에 사용되어지는 없어서는 안 될 기술이라고 할 수 있다. 스퍼터링이란 ... 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 된다. 이러한 현상을 물리학에서는 “sputtering”이라고 말한다. 이 현상 ... 위에 물질이 증착되는 것이다. 타겟은 기판과 반대의 상황이 전개된다.② 바이어스 스퍼터링 시스템(bias sputtering system)도체 기판 위에 시편을 놓고 양극

리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.25

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박막의증착

에 sputtering 할 수 있다.?☞ 합금이나 화합물도 조성을 유지하면서 증착이 가능하다.☞ 증착시 증착물의 조성을 바꿀 수 있다.☞ 내화 재료의 증착.☞ 아연막의 증착 ... -beam, 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해왔으나? 최근에는 엑시머 (Excimer= excited ... 에 날아와 균일하게 증착되는 것이다.?????(A) Magnetron sputtering☞ Cathode에 영구 자석이 장착되어 타겟 표면과 평행한 방향으로 자장을 걸어 주는 s

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.26

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[금속재료공학]FCCL

㎖ 비이커), Pt망,피도금부품(플라스틱 Bar), 전류계, 가열팬, 집게, 가위, 투명테잎, 양면테잎5. 실험 방법? 초기 실험조건 (Ar 35scc,torr)을 조성한다.? PI ... 필름 위에 Cu를 Sputter한다.(100W, 10min, 500nm)? PI 필름 위에 buffer layer로 Cr(sputter) / Cu(Sputter) / Cu(도금 ... )(50W, 45sec, 10nm)? PI 필름 위에 buffer layer로 NiCr(sputter) / Cu(sputter) / Cu(도금)(50W, 4.5sec, 10nm)? s

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.08

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포토리소그라피(photolithograpy)공정의 기본과 금속배선공정인 무전해, 전해도금의 기초 및 원리

에서는 TFT-LCD의 제조 공정의 기초 단계 중 하나인 Photolithography 공정에 대하여 자세히 다루고, 다음으로 금속 전기 배선 기술인 sputtering 기술과 도금 ... 법인 무전해 도금과 전해 도금에 대하여 기술하도록 하겠다.Key Words : Photolithography, sputtering, electoplating, electoroless ... 하게 되는 현상을 말한다.그림 . Sputtering의 기본 원리(출처 : www.cstl.nist.gov)박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.17

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[신소재]진공증착법

으로 magnetron source: 앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 ‘racetrack'형태로 sputter erosion이 일어난다. → 고체 원판 ... 형 target에서 많은 양의 낭비가 있고, target을 가로질러 sputter된 atom의 밀도가 고리 모양의 분포가 된다. → deposition의 균일성과 target ... magnetic confinement and the resulting electron trajectories.-☞ magnetron sputtering system① electron s

리포트 | 102페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13

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xps 발표

태 분 석XPS 의 분석 및 응용 응용분야 금속재료의 표면산화상태 , 부식상태 , 부동태 피막 , 내식성 등의 구조 해석 반도체 기술 개발을 위한 여러 가지 실험조건에 의한 표면 ... 는 방법 . Kinetic Energy X -ray Binding Energy electron A + h ν → A + + e - 1 http://seallabs.com/howes1 ... level 의 전자들을 축출한다 . Ek = h ν – Eb – e Φ sp Two Types of Peaks found on Spectra Primary Electron

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.13

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금속재료실험 과제물

재료실험2 결과 리포트#1박막 증착 결과 리포트1. (a) 물리적 박막 증착 방법(PVD, Physical Vapor Deposition)과 화학적 박막 증착 방법(CVD ... , Dipping#참고문헌: 재료실험2 강의 자료 및 강의 내용2. 주변에서 볼 수 있는 플라즈마를 이용한 제품들을 나열해 보세요. (8개~10개 사이)1) 간략하게 그림첨부 후 옆 란 ... 과 Al2O3 박막을 증착하는 장비를 꾸미려 한다. sputtering target을 Ti target 과 Al2O3 target 을 사용할 경우 장비는 어떻게 꾸밀 것인가? 장비

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.12

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[공학기술]ion plating(이온도금)

는 각도는 실험 조건에 따라 다르지만 음극 표면을 기준으로 20°[ 38]와 60°[ 39]사이이다. Micro-droplet들의 형성을 억제하기 위해서는 spot을 빠른 속도로 이동시다. ... 면서 막을 증착하는 공정으로 증발 증착(evaporation)과 스퍼터링(sputtering)을 혼합한 증착 방법이다.이온 도금이라는 용어는 Mattox가 처음으로 도입하였지만[13 ... 으로 하여 스퍼터링(sputtering)이 이루어 지고 있다고 생각할 수 있다. 그러나 실제로 기판이 스퍼터링될 정도로 충돌하는이온의 에너지가 높지는 않다.이온 도금은 다음과 같

리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.08

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박막의 증착 실험

puttering 이라고 말한다. 박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있 ... 다.1 직류스퍼터링(DC sputtering)직류전원을이용한 sputtering 방법으로 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다. 성막속도가 여러 종류의 금속 ... 에 대해 거의 일정하며 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다. RF sputtering에 비해 성막속도가 크며 박막의 균일도가 크다. 높은에너지의 공정이므로 밀착 강도가 높

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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화상현미경

다. SEM은 작동 원리적 특징으로 전도체만 사용 가능하나 스퍼터링(sputtering)을 통하여 Au나 Pt를 코팅함으로써 금속뿐만 아니라 세라믹 폴리머, 생체재료, 바이러스등도 관찰 ... [경도실험/화상현미경관찰]경 도 실 험Ⅰ. 이 론경도란 소성 압흔에 대한 재료의 저항능력이므로 브리넬경도 시험에서는 압입자국의 직경크기로, 로크웰 경도 시험에서는 압입깊이의 크기 ... . 경도실험의 종류(1)긋기 시험(Scratch test) - Mors 표준물질을 사용하여 시편에 긋기 흔적을 만드는 방법이기 때 문에, 변형과 파괴가 동시에 포함되어 있는 판정기준이

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.08

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금속황화물 나노분말 제조

Ⅰ. 서 론1-1. 실험 목적Microwave 에너지를 이용하여 반도체산업 재료에 사용되는 CdS 나노분말을 합성한다1-2. 실험 배경CdS(cadmium sulfide)는 박막 ... 으로는 spray-pyrolysis, chemical deposition, sol-gel, sputtering 법과 thermal evaporation 법 등 다양한 방법들이 있 ... 정화되고 이에 녹는점이 감소하게 되는 것이다. 또한 고압 조건하에서 CdSe 나노 결정은 wurtzite 구조에서 rock salt 구조로 전이가 일어나는데 이러한 고체상 간

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.09

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Cu film의 전기적 특성 분석 실험

한 불순물로 이루어진다.3.실험 방법박막증착- PVD (Sputtering)두께: Cu 200nm실험순서 sputtering으로 Cu박막 증착①실리콘 웨이퍼를 자른다.②“아세톤+알 ... 이라는 가정을 독일의 Von Laue에 의해 실험적으로 확인 되었다. 그 후, 영국의 W.H. Bragg는 이것을 다른 각도로 해석하여 간단한 수식으로 회절에 필요한 조건 ... Cu film의 전기적 특성 분석 실험1.실험 목적Cu bulk 의 비저항은 1.67μΩ-cm 로서 Al bulk 에 비해 매우 낮아 RC delay로 인한 신호의 지연으로 응답

리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.04.15

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진공과 진공펌프에 대해서~

Deposition)스퍼터링 (sputtering)진공 증착법 (Evaporation)- CVD (Chemical Vapor Deposition)압력: LP-CVD (Low presure ... 한 펌프의 배기량을 선정하는 것이 중요하다. 진공 시스템의 조건이 배기시간에 현저한 영향을 미치므로 이 방법에서는 용기와 내용물에서 발생하는 가스의 양을 무시했을 경우이고 1Torr ... FL상의 O-ring seal(2) FEEDTHROUGH①Electrical FeedthroghCoaxial feedthrough : 신호의 전달을 위하여 사용Power

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17

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[재료공학] 박막 제조법

이 타겟 표면으로부터 나오게 된다. 이러한 electron은 chamber안의 sputtering gas(주로 Ar)를 때리게 되고 sputtering gas는 다시 타겟 표면을 때리 ... 에너지가 큰 경우는 그냥 반사되거나 흡착되는 이온은 줄어들고 타겟 표면의 원자들이 튀어나오게 된다. 타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 ... secondary electron 도 나오게 되는데 이들은 다시금 sputtering gas 를 때려 연쇄적인 반응을 일으켜 플라즈마를 발생시킨다. 그리고 sputter 되는 원자

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.27

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박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사

되는 소켓있다.장비KOH wet station?웨이퍼크기 : 2\", 4\", 6\"?사용 chemical : KOH, IPA?온도 조건 : 상온～120oC, 균일도 ± 0.5oC?시스템 ... 미세 패턴 구현에 있어서 어려운 단점이있다. 이러한 습식 식각과 비교하여 건식 식각은 플라즈마 내에 존재하는 양이온의 물리적인 sputtering 효과와 반응성 식각 가스의 라디칼 ... /1./실험제목/박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거/2./실험목적/여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠 지는데 첫째

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04

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[디스플레이공학]OLED실험 박막제조공정

, 3sec2nd step1500 rpm, 30sec3rd step4000 rpm, 1초* 2rd step의 설정조건을 1000rpm, 1500rpm으로 하여 실험을 한다.2rd ... 의 Glass③ 박막의 두께 측정을 위하여 Glass표면의 일부를 면봉과 메탄올을 이용하여 닦아준다.④ side 부분의 두께를 측정 ⑤ center 부분의 두께를 측정< 실험물질별 설정 조건 ... evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering, CVD(화학기상증착)법 등이 사용된다. 대표적으로 진공증착(CVD)이 많이 사용

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.05.06

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주사전자현미경

, platinum, 혹은 gold/palladium alloy의 금속을 sputter coating machine을 사용하여 coating인다. 금속 coating은 시편에 축적되는 고전압 ... 거리가 짧고 가능한 시료의 표면에 가깝게 위치한다. 시료로부터 렌즈까지의 거리가 짧을수록 더욱 짧을 spot를 형성할수 있으므로 resolution을 형성할수 있다.③Electron ... 는 파장이 백색과으로서 여러파장의 연속적으로 된 연속spectrum과 원소에 따라 고유이 파장을 가지는 특성 spectrum으로 되어있다.2.)SEM의 장점과 단점(1)장점▶초점

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.24

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[반도체]기판과 열처리에 따른 Co 박막의 비저항 및 내부조직 변화 관찰

되게 하거나 화학적 반응에 의해 달라 붙게 해서 시스템의 압력을 낮춤.흡착 (adsorption), 스퍼터 이온 (sputter-ion), 극저온 (cryogenic) 펌프- 기계식 ... 를 떼어 내어 Ti 화합물형태로 증착되어 제거된다. Po : 10-10 torr3. 실험조건- 기판 : SiO2가 100nm 성장된 Si, Si( p-type, (100) )- Co ... 기판과 열처리에 따른 Co 박막의 비저항 및내부조직 변화 관찰1. 실험목적화학적 기상 증착(CVD)방법을 통해 Co를 0.2Torr, 80℃, 2min동안 증착하여 두께 800

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10

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Solar cell of compound semiconductor(복합물 반도체 태양전지)

evaporation) 근접승화법(CSS ; Close-Spaced Sublimation) 스크린 프린팅(Screen printing) 스퍼터법(sputter) MOCVD(Metal ... Principals of solar cell[Solar cell of compound semiconductor]목 차Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 태양전지 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 태양전지 ... , Se → S 로 치환.  CIS, CIGS 로 표기 . ┏ CuGaSe2 : 1.6eV┓ ┗ CuGaS2 : 2.5eV┛ * CIS계 장점 - 장시간 신뢰성 (1988년 11월

리포트 | 28페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.04.24

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golf

거리 파악하는 실험을 하였고 클럽페이스에 다른 금속을 박든가 뼈 조각들을 클럽페이스에 단단히 끼워 넣음. 1900년이 되면서 금속헤드를 사용하게 되었고 헤드 표면에 홈을 낸 아이언 ... 으며, 토양자체가 모래로써 잔디를 키우는데 최상의 조건을 갖추고 있음. 최초의 골프게임은 지금같이 홀의 배치가 이루어지지 않음. 골퍼는 더 많은 홀을 Play하기 위해 Links ... (Address)골프의 기본 기술- You, seung oh soyou21@hanmail.net -볼을 칠 때 양발 위치를 정하는 것으로 몸의 움직임의 기본 Square stance

리포트 | 38페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09

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