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"금속배선 공정" 검색결과 281-300 / 618건

  • 마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조 결과
    마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조학과화학공학과학번이름실험조실험일제출일교수님조교1. 서론최근 전자, 정보통신 및 생명공학 산업의 급속한 발전으로 인해 나노기술에 대한 ... 재료 분야에서 가장 활발히 연구되고 있는 분야는 나노 금속재료 분야이다. 나노 금속 재료는 반도체의 잠재적인 응용이 가능하다고 알려져 있다.반도체의 nanosize ... (yelloside도 또한 전자파와 에너지의 전송에 두 도체가 필요하다고 느꼈기 때문에 홀로(hollow) 금속 튜브 안에서 전자파 전파의 가능성에 대해 조사하였다. 1897년에 Lord
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.08 | 수정일 2015.06.29
  • 도핑(doping)기술에 대한 레포트 A+
    불순물이 다른 표면에 닿음을 방지● 표면 유전체 : 산화막의 절연성으로 금속 배선이 실리콘에 닿음을 방지● 화학식 : Si+O2→SiO2● Predeposition 법 ... 게 알 수 있다.●ni = 고유 운반자 농도n? = 비고유반도체에서 전자의 농도p? = 비고유반도체에서 정공의 농도◈ 확산(Diffusion) 공정▣ 확산(Diffusion) 공정 ... ● 반도체 공정의 의미로서 확산이라 함은 전기로의 고온을 이용하여 고체 사태의 WAFER 표면에 필요한 불순물이나 산화막을 WAFER 표면에 주입시키는 것을 말
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.12
  • Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 예비
    를 통하여 박막재료 제조 공정의 이해를 돕는다.2. 이론전자 장치 중에는 MOS형 트랜지스터와 같이 Bulk 결정의 맨 끝 표면층만을 활성층으로 사용하는 것과Planar 트랜지스터 ... 에도 집적회로 디바이스에 있어서 배선간의 절연,또는 디바이스간의 전기적인 분리 등 디바이스의 구조재료로 사용되며, 또한 미세구조 디바이스를제작하는 단계에서 불순물의 확산과 이온주입, 또는 ... 을 저항측정치로부터 알 수 있게 된다.디바이스의 제조 프로세스에서는 디바이스 간 배선의 상호 절연과 디바이스 완성후의 보호막 형성과 같은 구조가 어느 정도 완성된 후에 절연막을 형성
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08
  • AL FORM(알루미늄 폼) 시공자료
    과 비교 ] 5. 장. 단점 분석 6. 재질 및 구성 7. 주요 자재의 구성 8.박리제 사용 9. 표준 공정 10. 사진 자료 부분ALUMINUM FORM은 WALL, SLAB, 계단 ... ALUMINUM FORM SYSTEM 검토 배경ALUMINUM FORM은 시공 품질의 고급화 요구 ( 정밀도 향상 ) - 견출 및 사춤등의 마감공정 간소화 2) 시공 현장의 인력 구성 변화 ... 에 대응 - 조공의 비율을 극대화 3) 절대 공기의 단축 - 6 ~ 7 일의 표준 공정 가능 4) 안전성 ( 작업의 안전성 충족 )1. 품질 향상 부분ALUMINUM FORM
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 47페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.28
  • MOS 트랜지스터
    개를 집적하는 SiGe BiCMOS의 생산기술을 2000년에 발표했다. IBM은 특히 구리 금속배선을 최초로 접합해 SiGe IC를 제조하는 데 성공했고, 이어 SOI, 임베디드 ... 는 산화막을 매개로 접촉한 제 3 전극(게이트)의 전압에 의해 제어된다. 게이트 부분은 금속(metal)-산화막(oxide)-반도체(semiconductor)의 3층으로 이루어지 ... 이 일어난다.* MOS의 구조그림 금속 산화막 반도체 구조금속 산화막 반도체 (MOS)의 구조는 반도체 기판위에 이산화 규소 (SiO2)로 된 공핍층과 금속층 (실제로 금속대신
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.09
  • 스퍼터링(sputtering)
    , 정밀 optic lens, 장식 내마모 내식성 기능막, 자외선 방지 필름 coating 등의 제작공정에 없어서는 안 될 공정이 바로 스퍼터링이다.1) 스퍼터링(sputtering ... )이란?Sputtering은 실로 많은 부분에 사용되어지는 없어서는 안 될 기술이라고 할 수 있다. 스퍼터링이란 간단히 말해 금속판에 아르곤 등의 불활성 원소를 부딪쳐서 금속 분자 ... 을 사용한다. 그런 의미에서 스퍼터 증착은 플라wm마 프로세스이다스퍼터 증착은 반도체 공업 등 첨단 산업 분야에서 널리 이용되고 있다. LSI,SLSI의마이크로 칩 배선은 알루미늄
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18
  • 시스템 반도체 분야의 현재 상황 및 특징
    이나 전도성막을 형성시킨다. 일종의 보호막 같은 역할을 한다.?13. 금속배선 (Metal Deposition)웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 금, 은, 알루미늄 선으로 연결시키는 공정 ... 등으로 성장의 한계에 봉착해 있다.국내 파운드리 또한 경쟁력이 부족하고 성장률도 매우 저조(세계시장 점유율 4% 미만)한 상태이다.현재 국내 파운드리(동부, 매그나칩)는 공정개발 ... 업체 1% 수준) 삼성은 자체 수요, 공정개발 능력(60nm급), 다양한 IP 보유 등에서 경쟁력을 갖고 있으나 대규모 설비투자에는 신중을 기하고 있는 상황이다. 하이닉스는 최근
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    | 리포트 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.04.27
  • 태양전지 종류별 기술개발 동향
    형성 3. 웨이퍼 표면 가공 4. 그리드 설계, 마스크 제작 5. 산화공정 6. 감광액 도포7. 노광과 현상 8. 식각 9. 확산 10. 증착과정 11. 금속배선 12. 태양전지 ... 다.(2) 실리콘 태양전지태양전지 산업 생산량의 80% 이상을 차지하고 있는 결정질 실리콘 태양전지의주요 공정은 1. 태양전지 재료 형성 및 다결정형성 2. 단결정 형성 및 웨이퍼 ... 의 전력 용량에 따라서 모듈화하는과정을 거친다.태양전지 각각에 배선재료인 탭을 달고,이를 연결하여 전기적 회로를 구성한다. 회로가 구성되면 태양광은 잘 투과하면서도 전기적으로는 절연 특성을 가지는 재료를 사용하여 봉인한다. 그 재료로 유리, 절연막이
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    | 리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.20
  • 비휘발성 메모리
    다. 따라서 기존에는 메모리 셀을 만들고 금속 배선을 이었는데, MRAM의 공정금속 배선을 만들고 그 위에 메모리 셀을 얹는 상당히 다른 공정 방식을 취하게 된다. 이때 MTJ ... 공정금속배선으로 쓰이는 알루미늄을 형성하는 온도보다 훨씬 낮아야 한다.메모리 셀의 기본적 원리가 자기장에 의한 자화를 이용한 것이기 때문에 각 셀 간의 자기장 간섭도 피할 수 ... 에 전류가 잘 흐르게 된다.FRAM은 다시 말해 DRAM 각 셀의 커패시터 유전체를 강유전 박막으로 대체한 것이기 때문에 (i) DRAM 공정과 호환성이 높아 쉽게 고집적화가 가능
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.25
  • 유기전자학(Organic Electronics)이란 무엇인가
    계 전체에서 절연체로 반도체 칩 회로집적(on-chip)에서 전형적으로 사용되는 실리콘 이산화물 유전체 절연체를 대체한다. IBM은 저저항성 금속으로 구리를 사용해서 알루미늄 배선 ... , 메모리 등이며, OTFT와 OLED는 이미 상용화 단계이다. 유기전자학의 의의는 기존의 금속전자학이 플래스틱전자학으로 전환됨을 뜻한다. 플래스틱과 함께 폴리머와 미분자도 함께 응용 ... 이나 실리콘과 같은 비유기 전도체들에 의존하는 전통적인 전자학이나 금속전자학(metal electronics)과는 다르다. 폴리머전자학(Polymer electronics)은 적층 전자학
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.11
  • 9. OUTER LEAD 표면처리(Plating or Solder dip)
    를 전기적으로 도통시키기 위해 배선기판 등에 접속된다.표면실장에서, OUTER LEAD 는 일반적으로 SOLDER 로 접속하기 때문에,OUTER LEAD 표면은 SOLDERING ... 이 가능한 상태로 되어 있어야 한다.OUTER LEAD 소재는 Fe-Ni 합금, Cu 합금 등이 사용되지만, IC 조립공정에서 가열에 의해 표면이 산화되기 때문에, 그 상태 그대로 ... 에, 표면처리피막의중요한 품질항목이다.피막특성에는, 피막형성시의 초기특성과 경시열화특성이 있고, 어느것이나 피막금속원소, 조성, 피막두께, 함유불순물, 형성방법 등이 영향을 준다.표면처리
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    | 리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.09.17
  • 실험10 트랜지스터 예비 레포트
    게르마늄과 실리콘 트랜지스터가 있다. 그리고 제조되는 공정에 의해서도 분류되는데 성장접합, 응용접합, 표류장, 메사, 에피텍셜, 메사 · 플라나 트랜지스터, 점 접촉 트랜지스터 등 ... 형 실리콘판 사이에 아주 얇은 N형의 실 리콘판을 두어서 만들어진 접합 트랜지스터이다. 3개의 단자는 각각의 반도체 결정에 접촉하는 각각의 금속판 에 연결되어서 밖으로 나온다. 왼 ... 트랜지스터의 배선기호가 그림A와 B에 보이는데 화살표가 있는 단자가 이미터이고 대칭으로 존재하는 단자가 컬렉터이다. PNP 트랜지스터는 이미터 화살이 베이스로 들어가고 NPN
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.29
  • 반도체 제조 공정
    을 위하여 이 전열층의 특정 부분(금속 배선과 저항기가 교차하는 곳)에 구멍을 뚫어야 한다. 이 공정 역시 위에 설명한 사진식각 공정에 의해 진행된다. 이후 전기 전도성이 매우 큰 금속 ... 배선층을 증착시키고 다시 사진식각 공정에 의해 원하지 않는 금속층 부분들을 식각해 냄으로써 저항기 IC의 웨이퍼 제조 공정(FAB 공정)이 완결된다. 이러한 FAB 공정 이후 ... 이 끝난 후에는 웨이퍼는 세정되고 감광막도 제거된다.이렇게 하여 저항기들이 웨이퍼 상에 형성되었지만 이들이 외부 전원에까지 연결되기 위해서는 금속 배선에 의한 연결(metal
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    | 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01
  • 분진폭발 실험
    외부에서 기계적인 작용을 가하는 공정이나 분체물질의 건조, 혼합, 분급, 계량등을 행하는 공정에 많이 발생한다. 분진의 발화폭발도 물질 자신이 상온에서 산화 발열하는 일부의 금속 ... 보다 작은 입자는 물질의 종류에 관계없이 분체라고 부른다. 그 중 75μm이하의 고체입자로서 공기 중에 떠 있는 분체를 분진이라 부른다. 이들은 항상 우리의 생활주변이나 생산공정 ... , 알루미늄브론즈 등의 금속성분진이 여기에 속한다. 가연성분진은 공기 중의 산소와 발열반응을 일으켜 폭발하는 분진으로 소맥분, 전분 등과 같은 곡물분진, 합성수지류, 화학약품 등 비
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.22 | 수정일 2022.03.10
  • IC회로 제작공정
    공정이다.17) 금속연결(Wire Bonding)- 칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.18) 성형(Molding)- 연결 금선 부분을 보호 ... ) 구리칩 배선기술- 반도체소자의 금속배선재료로서 알루미늄은 실리콘 산화막과의 부착성이 좋고 가공성이 뛰어나다는 점에서 저항율 특성이나 일렉트로마이그레이션 내성이 구리보다 약함 ... 는 구리배선은 알루미늄과는 달리 식각이 잘 되지 않아 원하는 패턴으로 만들어 내기가 곤란한 공정기술의 어려움과 구리물질이 지닌 유독성문제라고 할 수 있다. 그러한 구리배선의 문제를 해결
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.26
  • PVD와 CVD의 비교 및 분석
    (Physical vapor deposition)PVD 공정은 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, W, Pt등)의 입자를 진공중에서 여러 물리적인 방법에 의하 ... , 증기압, 장치구조, 전원출력 등의 물리적인 변수의 제어로 공정결과를 결정가능.5. 저온에서 가능하며, 정확한 합금성분 조절이 용이하다.6. Step Coverage, Grain ... 에 원하는 종류의 재료를 설치하게 되는 Target진공증착법- e-Beam을 이용한 진공증착저압하에서 열선으로 만들어진 도가니 안에 금속 물질을 넣어 놓고 열을 가하면 금속물이 융점
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15
  • 반도체제조공정
    . [2]2.1.4. 세척과 검사세척부문에서는 경면연마 과정을 거친 웨이퍼의 표면에 있는 오염물을 제거한다. 이 최신의 공정에서 웨이퍼에 있는 미립자 오염물, 금속, 유기 오염물질을 씻 ... 어낸다. 이 공정은 미립자, 금속, 유기물에 대하여 대단히 엄격한 규정을 적용하는 청정실 환경에서 이루어진다. 마지막 세척공정을 거친 웨이퍼들은 0.1크기의 미립자까지 검출할 수 ... 이 있다.2. 반도체의 제조기술 [2]반도체는 최초 웨이퍼 제작에서부터 최종완제품까지 크게 4가지 공정으로 구별할 수 있다. 즉 Silicon 원석에서 웨이퍼를 제작하는 웨이퍼 제조
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.09 | 수정일 2014.09.20
  • 위험성 평가-인쇄업
    인쇄업 - 위험성평가목차 1. 인쇄업 공정과정 및 위험요인 2. 4M 위험성평가 기법 적용 2 /10 3. 정량적 (FTA) 위험성평가 기법 적용1. 인쇄업이란 ? 3 /10 ... 종류 : 요판인쇄 , 철판인쇄 , 평판인쇄 , 금속판인쇄 , 목재인쇄 벽지 , 노트 , 장부 , 수첩 , 편지지 봉투 등의 인쇄물을 생산하는 업종 특징 : 원지를 원재료로 입고하 ... 여 수요자의 다양한 요구에 맞게 재단 , 접지 , 천공 등 인쇄 및 가공공정을 거쳐 최종 인쇄물을 생산2 . 인쇄업의 특징 4 /10 프레스작업 공정 이라 하며 잉크를 묻힌 인쇄판
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.11.26 | 수정일 2018.06.01
  • 디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정8
    문제 1번웨이퍼 금속화란무엇인가? 답: 물리적 공정의 화확약품을 사용해서 웨이퍼 위에 전도성을 띤 금속의 박막을 증착하는것문제 2번금속들의 유형을 쓰시오. 답: 1.전도성: 높 ... 이 있어야 한다. 반도체와 금속 접촉부들의 접촉 저항이 작아야한다. 3.증착: 상당히 낮은 온도의 공정에서 단일 구조와 구성이 쉽세 증착되어야 한다. 4.패터닝/평탄화 :밑에있 ... 는 유전체를 식각하지 않고 일반적인 알루미늄을 근거한 금속새선의 고해상도의 패터닝이다. 5.신뢰성 : 금속공정이 진행되는 동안 주기적인 온도 변화에 저항하기 위해서 상당히 부드럽
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20
  • 반도체의 역사와 정리
    1959년 페어차일드의 노이스와 무어가 플래너 공정을 이용하여 Si 산화막 위에 금속을 증 착하고 배선하는 방식으로 IC를 만들었다.1960년 MOFET 개발1963년 CMOS 공정기. ... Fairchild의 R.Noyce는 이들 능동소자와 수동소자를 연결하여. 즉 반도체 표면에 금속층을 입힌 후 PCB로 회로의 배선 모양을 만들 때처럼 필요 없는 금속부분을 녹여 없앰 ... 마다 저항값이 달라지는 현상이 있다는 사실을 설명 없이 보고하였다. 그가 실험에 사용한 구조는 반도체에 뽀족한 금속침을 용수철 형태로 접촉시킨 것으로서 이 구조는 오늘날 우리가 알
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.15
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2025년 10월 21일 화요일
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