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집적회로공정 금속배선 공정 반도체 8대공정 삼성전자 면접 sputtering 연마방법
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"금속배선 공정" 검색결과 201-220 / 618건

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    NMOS 트랜지스터 공정
    형성소스와 드레인 형성금속 배선 공정100 방향의 연마된 P형 실리콘 웨이퍼를 사용. 실리콘 표면에 SiO₂ 층을 성장시키고, 그 위에 Si₃N₄ 박막을 증착. 선택 산화 위해 질화 ... 커버리지를 좋게함. 드레인과 소스 확산 층을 금속 배선층과 연결 될 수 있도록 CVD 산화막에 감광막을 도포하고, 마스크 3을 사용하여 노광 및 식각 공정 하면, 드레인과 소스 ... 막(Si₃N₄) 위에 감광막(PR)을 도포하고, 마스크 1 을 가져다 노광 및 Si₃N₄ 식각 공정후 감광막과 질화막을 제거. 감광막 제거 후 고온에서 장시간 열 산
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.06.07
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    LTCC 신소재분야 PPT 입니다. Low Temperature Co-fired Ceramics
    에서 세라믹과 금속의 동시 소성방법을 이용하여 기판을 형성하는 기술 . 2. 현재 가장 대표적인 LTCC 재료는 Ceramic-Glass 복합재료 . 3. 저항체 내장이 가능 . 4 ... .Capacitor , Resistor, Inductor 등의 수동소자 및 배선의 기판내부 형성이 가능 . 5. 고집적화 , 경박 단소화 , 고 신뢰성 가능 .LTCC 의 특성 및 ... 를 떨어뜨리는 Glass/Ceramic 형태 두번째의 Glass/Ceramic 의 형태는 다층 회로 기판의 제작이 용이 . 재료 설계의 용이성이나 공정 특성이 양호한 편이라 많은 업체
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.12.20
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    SMT 표면실장기술
    ) 공정에서 땜납을 용융하여 전기적 접속을 얻는 기술이다.▶ PCB 위에 표면실장부품을 장착하는데 사용하는 기계장치, 넓게는 SMT Line 구성에 필요한 설비,부대장치들을 SMD라고 ... - 자동화에 따른 비용 절약 ( ½ ~ ¼ ) 3. 특성 향상 - 칩 부품은 리드선이 없고 부유용량 인덕턴스가 감소하고 고주파 특성이 향상 - 배선 길이가 짧아지며 컴퓨터 등에 있 ... 소형화 - 불량수정 및 재작업 난이 - 기판이 조밀해짐에 따라 더욱 작은 프로브가 요구되므로 테스트가 난이. 3. 도입 비용 - 공정의 시스템화로 인한 집중적인 투자경비 필요
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    | 리포트 | 25페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.10.15 | 수정일 2015.10.15
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    버스 덕트 시공의 기초
    공정에 맞춰 배선을 할 수 있어 공사 기간을 단축할 수 있다.버스 덕트는 접속부 수가 많다는 것이 단점으로 꼽힌다. 그러나 최근에는조이는 것을 빠뜨리거나 조임이 헐거워지는 것 ... 는 덕트에 제3종접지공사를 할 것-저압옥내 배선의 사용전압이 300V를 넘을 경우에는 특별제3종 접지공사를 할 것(다만 접촉방호조치(금속제로 방호조치를 하는 덕트와 전기적으로 접속 ... 은 장소 또는 물기가 있는 장소에 시설할 경우는옥외용 버스 덕트를 사용하여 버스 덕트 내부에 물이 침입하여 고이지 않도록 할 것접지-저압옥내 배선의 사용전압이 300V일 경우
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.07.28
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    산업재해에 관한 고찰 리포트 할인자료
    하다. 산업 재해의 종류에 따른 위험 요인 1. 화학적인 위험 : 화재 폭발( 가연성물질, 폭발성물질) 중독, 직업병(여러 가지 유독가스, 분진, 중금속), 대기오염(매연, 분진 ... . 전기 위험 : 감전 ( 배선 불량, 누전) 4. 시설 위험 : 붕괴, 침하, 낙반(구조물, 지반, 토사, 갱도) 안전 사고의 발생 원인 (1)인적 요인 -신체적 요인->체력부족 ... 조건(비, 안개.. 태풍 지진 우박) -인위적 환경-> 비포장도로, 좁은 도로, 신호등X, 조명, 시설노후, 좁은 출입구 -사회적 환경-> 기계, 기구적합, 정비 불량, 생산 공정
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,200원 (50%↓) 1100원 | 등록일 2016.05.21
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    IDEAL MOS DIODE
    , 은, 알루미늄 선으로 연결시키는 공정. 금속에 열을 가하거나 전기적 충격을 주면 금속이 기화되어 증발하여 Wafer에 종착된다. 종착된 metal layer를 mask를 사용 ... - 목차1. 서론- Ideal MOS diode의 조건 및 Energy band diagram- 일반 적인 MOS diode 제작 공정2. 본론- Metal 종류의 선택과 선택 ... 어 Minority carrier가 Majority carrier보다 표면에 더 많게 되는 영역을 "Inversion" 영역이라고 한다.2) 일반적인 MOS diode의 제작 공정
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.23
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    [미세조직] 구리, 구리합금, 가공경화, 열처리, 경도측정
    라고 한다. 그러므로 가공 경화란 금속을 가공?변형시켜 경도를 증가시키는 방법이다. 열처리에 의하여 강화시킬 수 없는 금속이나 합금의 강화에 공업적으로 중요한 공정이다. 다른 말 ... 하고 있는 구성요소, 특히 재료를 이루고 있는 조직에 대하여 알아야 한다. 전이금속 중 대표적인 재료인 구리(Cu)를 가지고 미세조직 관찰, 가공경화, 열처리(소둔), 경도 측정 ... , 충남 당진 등 여러 지역에 걸쳐서 생산이 가능한 광물이다. 10원짜리 동전과 전선에도 함유되어있는 구리는 다른 금속들과 합금이 용이해서 산업 전반에 걸쳐서 널리 쓰인다. 또, 독특
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.05.22
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    착공서류 - B은행 J출장소 개수공사 2주차 주말예정공정표
    예 정 공 정 표공사명 : 착공 2주차 주말예정공정표예정일3월25일 (금)26일 (토)27일 (일)비고공 종 ... *************2141618202224246810121416182022철거365부스철거.카운터 영업종료시부터 기존카운터철거후 신설.365"365철거 완료시부터 부스,벽체 신설.""금속,유리""365주출입구,상담실,화장실방화문,시간외통용문 ... ,후문 신설.""목공,도장""갱의실,상담실,객/영,365,후문방풍실 벽체공사. 광천정 도장작업.""전기,통신,설비""내장공사에 따른 배관배선,기구설치,365가동준비작업."청소청소작업
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    | 서식 | 1페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.10.28
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  • 자료 표지
    반도체 입문교제(Metal)
    METAL 공정외부 전원으로 부터 전류가 공급되어, 금속 배선을 통해 전류(전자)가 이동[ 반도체 공정에서 금속 배선이 사용되는 부위 ][ 반도체 완성품 ]♣ 용어 해설 1 ... 등)가 완성된 상태의 반도체 표면에, 금속 배선을 형성하기 위한 금속막(주로 알루미늄, AL)을 얇게 입히는 공정이다.♣ 용어 해설 1. PVD(Physical Vapor ... . Contact(콘택) : 금속 배선과 소자/Gate를 연결시키기 위해 절연막에 형성된 원형의 구멍, 주로 CVD W을 구멍에 채워 넣어 전류가 흐를수 있도록 한다. 2. VIA(비아
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    | 리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08
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    Color TFT-LCD 제조기술
    을 위한 별도의 CVD 공정이 사용되는 단점이 있다.신호배선은 상대적으로 비저항이 낮은 금속박막으로 형성해야 한다. 표 2.5에 나타낸 금속박막의 전기 화학적 특성에서와 같이 가장 ... 저항이 낮은 물질은 Cu이지만 TFT-LCD 제조에서는 박막형성 공정과 photolithography 공정이 상대적으로 쉽기 때문에 Al을 저 저항 배선재료로 가장 많이 사용 ... 한다. 그러나 Al을 게이트 신호배선으로 사용하려면 bottom gate TFT 구조의 게이트 신호배선은 TFT-Array 공정에서 가장 먼저 형성되기 때문에 Al 배선은 뒤따르
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    | 리포트 | 54페이지 | 8,000원 | 등록일 2011.11.01
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    [디스플레이공학] TFT-LCD 분해 및 광학현미경으로 심층분석 (LG,삼성,AUO)
    은 어떤 재료로 많이 쓰이고 있는가 ?TFT-LCD의 신호배선은 상대적으로 비저항이 낮은 금속박막으로 형성해야한다. 가장 비저항이 낮은 물질은 Cu(구리)이지만 TFT 제조 ... (형성)Gate Line, Data LineStorage Cap. (형성)배선 폭은 직선이 아니다. Data Line / Gate Line배선의 폭이 일정하지 않은 이유는 ?배선 ... 의 굴기가 일정하지 않는 이유는 RC-delay를 줄이기 위해서는 많은 Data나 gate에 많은 전류를 공급해야 된다. 하지만 전류 공급을 위해 너무 굵은 배선만 사용하게 되
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    | 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.01
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    메모리 플래쉬 소자의 제조방법
    연막 위에는 비아홀을 통해 소스 영역 및 드레인 영역(26)에 각각 연결되어 상부 금속 배선(도시하지 않음)과 연결하기 위한 플러그(32)가 형성되어 있다.층간 절연막(30) 위 ... 에는 금속 배선뿐 아니라 층간 절연막 및 하부 배선층과 접촉하는 플러그를 포함하는 금속 배선층이 더 형성될 수 있다.도 5a 내지 도 5c에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10) 위 ... 절연막(30)을 형성한 후 선택적 식각 공정으로 식각하여 비아홀(VH)을 형성한다. 그리고 비아홀(VH)을 메우도록 층간 절연막(30) 위에 금속막을 형성한 후 금속막을 화학
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.18
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    기계공학응용실험 MEMS 예비보고서
    ∼성막공정∼에칭∼가공(Dicing, Micro 가공, 초음파 가공)∼접합(가압, 땜납, 진공, 양극접합)∼조립배선(bonding, porting)∼시험(압력, 전기 특성)의 각 지역 ... 을 형성하는 각종 성막설비가 있으며 산화막, 금속막 등을 형성 할 수 있다. Si에의 도금 공정도 적용한다.⑤ 가공 공정가공공정에서는 다이서 가공, Micro 가공, 정밀 연삭장치 ... 다.⑥ 접합 공정땜납 재료를 이용한 금속접합 등을 진공 중, 가압 중 등에 서 실행한다. 또 Glass와 Silicon재료의 양극접합을 4이온 Wafer 일체로 접합할 수 있다.⑦ 조립
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.10
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    FPCB 세미나
    ) MILITARY (항공, 탱크, 미사일) 용도.내열성이 약하다. FLEXIBI LITY 가 약하다.(끊어짐) 배선 신뢰도가 떨어진다. 부품 탑재가 불가능하다.▶ FPC 탄생▶ 이 유 : 기존 ... WIRE 의 문제점.내열, 내화학, 내굴곡성이 우수하다.(내구성) 부품실장과 함께 3차원 배선이 가능하다. DYNAMIC APPLICATION이 가능하다.▶ FPC의 장점FPC ... 이 아니며 향후 응용분야 확대 필요.FPC Process FlowFPC Process FlowFPC 주요 공정 소개FPC 주요 공정 소개FPC 장점● 작고 가볍다. - 핸드폰, PDA
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    | 리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.01.14
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    반도체 솔라셀 기말발표
    CoatinPhotoresist Coating 부터 Photoresist Strip 의 단계을 다시 걸친다 .STEP 15. Metal Deposition and Etch – 금속배선 작업 ... 반도체 솔라셀 기말발표 - 반도체 공정 -반도체 제조공정의 분류 반도체는 최초 웨이퍼 제작에서부터 최종완제품까지 크게 4 가지 공정으로 구별 . 1. Silicon 원석 ... 에서 웨이퍼를 제작하는 웨이퍼 제조공정 2. 제조된 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성하는 웨이퍼 가공공정 3. 가공된 웨이퍼로 Chip 을 제작하는 Package 조립공정 4
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    | 리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.23
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    반도체 제조 공정에 대한 리포트
    의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 수증기 형태로 쏘아(증착) 절연막이나 전도성막을 형성시킨다. 일종의 보호막과 같은 역할을 한다.⑬ 금속배선(Metallization)공정 ... 웨이퍼 표면에 형성된 각각의 회로를 금, 은, 알루미늄 선으로 연결시키는 공정이다. 금속에 전기적 충격을 주면 금속이 물방울처럼 증발하는데 여기에 웨이퍼를 넣어 회로를 연결시킨다. 최근에는 알루미늄 대신에 구리선을 사용하는 배선방법이 개발되고 있다. ... 매우 중요한 공정의 하나이며, 특히 진동에 매우 민감하여 Basic Scheme 시 이를 반영한다)⑨ 현상(Development)공정화학 약품으로 배선이 될 부분의 PR을 없애주
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.07.02
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  • 자료 표지
    산화에대하여
    성으로 인해 금속배선이 실리콘에 닿는것을 막아준다. -Gate 산화막 MOSFET에서는 소스와 드레인 지역을 연결하는 채널을 형성하는 절하를 유기 시키기 위해 의도적으로 게이트 ... 을 얻는 열 산화 공정이주로 이용된다.산화막(SiO2)은 물성적으로 매우 안정되어 산화공정방법에 상관없이 거의 같은 성질과 우수한 Si/SiO2 의 2계면 특성을 보여준다. 1) 표면 ... 지역에 충분히 얇은 산화막을 기른다.2.산화층의 주요기능 3. 산화 공정의 종류열 산화법 이란? 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.27
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  • 자료 표지
    85화합물 반도체 공정(유전막 증착)
    증착속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정 전류량과 박막두께가 거의 정비례 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다 단점 Target 재료가 금속에 한정됨 - RF s ... wafershuttercruciblerotator용융점이 높은 금속 (W, Nb, Si..)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착 할 수 있는 장비 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작 ... Deposition)유전막이란?정전기장을 가할 때 전기 편극은 생기지만 이를 통해서 직류전류가 흐르지는 않게 하는 물질로 이루어진 막을 의미한다. 유전막의 역할 배선과 배선 사이를 차단
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    | 리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
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    PEALD, Plasma Enhanced 원자층 증착
    정적으로 공정 시간을 줄일 수 있는 ALD 공정 개발이 필요하다.이러한 문제점을 해결하기 위해 나타난 대안이 유기금속 (metal organic, MO) 스를 사용한 MOALD이 ... 로 Cu가 침투하게 되면 절연특성이 변하는 등 성능 저하의 원인이된다. 따라서Cu 배선의 증착 후 이루어지는 층간 절연막 증착 또는 패키징 등의 고온공정 시 Cu가 Si나 층간절연막 ... 계통 소스는 고체 상태이기 때문에 산업 현장에는 생산성이 낮아 적용하기가 힘든 단점이 있다. 그리고 공정 부산물로 나오는 HCL이 장비를 부식시키기 때문에 관리하는 것에서도 많
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05
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    표면공학 - 화학증착법 발표
    물질의 사용 배선의 저 저항화 배선의 다층화 대응능력 저결함 및 고신뢰화 대구경 웨이퍼에 대한 대응력 장치의 자동화실제로 현재 소자에 적용되고 있는 침적 공정중에서 배선형성을 위한 ... elongation 환경친화 - 챔버세정가스 , Scubber 기능강화MOCVD 기술 MOCVD 공정은 사용하는 전구체가 금속유기화합물인 경우를 일컫는다 .MOCVD 에 대한 연구는 이미 ... 에 의해 , 고체물질이 증기로부터 증착되어지는 공정 ☞ 피복력 이 우수하고 균일하며 복잡한 기판에 코팅이 가능 . 국부적 , 선택적 증착 가능 . ☞ 전자산업 , 내마모성 및 내식성
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    | 리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.10.14
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2025년 10월 21일 화요일
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- 작별인사 독후감
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