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집적회로공정 금속배선 공정 반도체 8대공정 삼성전자 면접 sputtering 연마방법
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"금속배선 공정" 검색결과 221-240 / 618건

  • 자료 표지
    MOS 소자 형성 및 C-V특성 평가
    금속타겟에서 떨어지는 물질로 양극시편위를 덮는 것이다. 그래서 금속으로 시편을 덮게된다.이 공정에서는 플라즈마 빛이 형성되는데 그 이유는 Ar이 Ar+가 되면서 전자가 형성 ... 반도체위에 산화피막을 이용한 트랜지스터이다. 반도체 위에 산화피막을 형성하고 그 위에 금속게이트를 배치한구조이다. 가운데의 산화막은 절연체로서 유전율이 크며절연층의 두께에 따른 ... -type으로 도핑을 하여 5족형태로 만들어 (-)를 띄게 되는 두가지가 있다. 이번 실험에서는 P-type으로 도핑을 한 P-Si를 사용한다.1) Cleaning 공정처음에 Si웨이퍼
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.20
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    1. PACKAGE 개발설계 개요
    ,내습 LEVEL 등의 신뢰성 LEVEL 을 향상시킨다.⑨ PRINT 배선기판에의 실장을 보다 효율좋게 하기 위해 취급성을높힌다.⑩ SOLDER 접합시에 발생하는 응력을 흡수 ... ·PRINT 기판가공기술과 실장기술PACKAGE 설계○칫수설계·PACKAGE 외형칫수·LEAD FRAME PATTERN·반도체소자와 LEAD FRAME 의접합배선·MOLD 금형 ... 접합재료○PACKAGE 제조공정설계·제조장치·제조조건의 설정○PACKAGE 신뢰성평가·시작에 따른 설계특성의확인·시작에 따른 장기수명확인PACKAGE 요소기술○구조해석·제품신뢰
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    | 리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.09.17
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    silicon wafer 박막형성
    - Scuttering 방법을 통하여 금속박막을 형성하는 원리를 알고, 이 방법이 박막의 구조에 어떠한 작용을 주는지 알 수 있다.- 사진-식각 공정을 통하여 반도체의 금속배선 ... 적인 성질로 보호막으로서 최적이기 때문에 실리콘을 반도체 기판으로 많이 쓴다. 또한는 절연체로 전자의 이동을 막고, 전도도가 높은 알루미늄으로 박막을 만들어 금속배선으로서의 역할 ... 재료실험2 금속Scuttering 법을 이용한 Silicon wafer 표면의 Al-Cu(0.5wt%)-Si(1wt%) 박막형성과 저항 측정2010. 6. 14.1. Intro.
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    | 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.07.06
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    [LCD실험] TFT-LCD 분석
    의 크기가 정해지게 된다. 이렇게 sub pixel의 크기가 정해지게 되면, TFT의 전류 구동능력과 배선의 저항, Cs를 생성하기 위한 storage cap에 따라 TFT의 W/L ... 이 결정되게 된다.이때 photolithography 공정 margin과 ethching process 공정 margin 을 염두해 두고, TFT의 설계를 하고, simulation ... 을 하여야 한다.이렇게 제작된 TFT는 lcd의 성능을 위해 개구율을 최대로 하여야 하고, kickback 전압의 크기도 작아야 한다.소자 공정1. 세척(Cleaning)1) 유기
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    | 리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14
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    LTCC
    에 많은 걸림돌이 된다. LTCC는 말 그대로 저온에서 (Low temperature) 금속과 그 세라믹 기판이 한꺼번에 만들어지는 (Co-fire) 공정기술과 그 결과물들을 지칭 ... 를 이용하여 다수의 수동 소자 (L, R, C)와 배선 회로(Interconnection Circuit)를 그린 쉬트(Green-Sheet)라 부르는 소성되지 않은 유전체 세라믹 상 ... Ceramics) 는 고주파 통신용 수동소자에 많이 적용되고 있다. 보통 회로가 만들어질 때, 기판은 기판대로 만들고 그 위에 금속을 입히는 방식이 일반적이지만, 이런 방법은 집적 화
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.11
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  • 자료 표지
    반도체 제조공정
    과목명 : 1학년 콜로키움제목 : 반도체 제조공정제출일 : 10월 28일(2)조작성자 : 인치선조원 : 심윤우, 호종찬학번심윤우 :인치선 :호종찬 :반도체 제조 공정1. 반도체 ... 의 단결정 실리콘 막대를 만든다. 반도체는 일상생활에서 첨단 산업까지 우리사회를 받치는 기둥이 되고 있다.5. 반도체 제조공정우리나라의 반도체 산업은 1983년 메모리공정 사업 ... 를 축으로 하는 반도체 메모리분야에서는 공급능력이나 공정기술 그리고 가격 및 품질 면에서 세계최고의 경쟁력을 보유하게 되었다.그러면 여기서 반도체 소자의 제조공정에 대하여 알아보
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.05
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    반도체 제조과정
    기상증착 (Chemical vapor deposition)Gas간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정금속배선 ... layering)800~1200도 의 고온에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학 반응시켜 얇고균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성시키는 공정산화막은 웨이퍼 위에 그려질 배선 ... (Metalization)웨이퍼 위에 개별적으로 형성된 트랜지스터 등과 같은 개별소자간 금속선으로 연결시켜 회로를 구성하는 공정3) Assembly & Packaging 과정가공된 웨이퍼가 실제
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.09
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  • 자료 표지
    옥외관로공사에 대해
    옥외 관로 공사1. 관로포설1) 시공자는 단지조성 관련공사의 공법, 공정 등을 비교 파악하여야 한다.2) 터파기가) 황단도를 참조하여 단지 내 진입, 지중선로의 보도지하 및 차 ... 하여야 한다.나) 전선관의 연결부분은 물이 스며들지 않도록 커프링과 접착제를 사용하여 접합한다.다) 관을 절단하여 사용할 경우에는 전선을 배선할 때 전선에 손상이 없도록 자른 부분 ... 물 압력장소 1.2m, 기타 0.6m 이상 매설다) 금속제 제3종접지라) 암거시설 난연조치 또는 자동소화 설비시설마) 불연성, 자소성이 있는 전선 사용바) 중량물에 내압, 배수시설, 뚜껑 쉽게 개방 금지사) 아래 이격거리 이하시 견고한 내화성 격벽설치 또는 견고한 불연성,
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.10.01
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    웨이퍼 프로세스를 구성하는 기술
    하는 기술이 금속화(metalliaztion) 공정으로, 금속 배선을 위한 방법은 진공 증착 방법인 PVD(Physical vapor deposition) 공정이 주로 사용된다. 이 공정 ... 하여 원하는 물질이 만들어져 기판에 적층된다.6) 금속화 공정집적회로 공정의 마지막 과정으로 개별 소자의 제작이 끝나면 이들을 상호 접속하여 원하는 회로 기능을 갖도록 배선 ... . 이들의 기본 프로세스 상호의 관계는 사진 식각 기술과 에칭 기술을 여러 번 수행하면서 확산, 이온 주입, 산화, CVD, 증착 등의 공정이 반복적으로 수행되어 소자를 만들게 된다
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.25
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  • 자료 표지
    Cu 박막 전기적 특성 분석
    (1nm=10??m) ※ 구리의 비저항 1.67μΩ-㎝5. Data 분석(고찰) 및 결론이번 실험에서는 반도체 공정중 하나인 배선공정에서 구리의 전기적 특성에 영향을미치는 인자 ... 실험과제 : Cu film의 전기적 특성 분석 실험1. 실험목적전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. 하지만 최근의경향이 고집적화, 대면적 ... 의 해석을 본 그대로 판단할 수 있다.용도는 금속, 광물, 무기물, 세라믹, 시멘트, 유리, 플라스틱, 고무, 반도체 IC, 집적회로등의형태관찰, 품질관리에 2차 전자상, 원소분석
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.09.21 | 수정일 2015.09.17
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    ITRS
    된 미래 공정에 요구되는 것과 잠정적 해결책에 초점을 맞추고 있다. 이 FEP장의 목적은 위의 소자들과 관련된 재료와 핵심 front end 웨이퍼 제조공정기술을 위한 잠정적 해결 ... 책과 광범위한 미래의 요구사랑들을 정의하기 위한 장이다. 그러므로 이 로드맵은 도구와 재료, 뿐만 아니라 초기 실리콘 웨이퍼 기판의 단위, 집적공정과 접촉silicidation ... 공정을 통한 확장을 내포한다. 특별한 기술 범위는 초기재료, 표면 준비, 열적/박막, 도핑, MOSFET을 위한 front end 플라즈마 에칭뿐만 아니라 DRAM의 stack
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30
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    삼성전자 반도체산업 개발, 삼성전자 반도체산업 성공요인, 삼성전자 반도체산업 핵심역량, 삼성전자 반도체산업 기술흡수, 삼성전자 반도체산업 메모리제품,삼성전자 반도체산업 제고 방안
    하는 경우 보다 쉽고 정확하게 회로를 그릴 수 있다. 일단 구성도가 완성되면 配線이 시작되는데, 고집적 DRAM의 배선작업은 CAD에 의해 수행된다. 이 작업이 이루어지면 이어 ... 컴퓨터의 지원을 받아 확대된 배선도를 검사하는 과정이 수행된다. 검사가 끝난 후 최종정보는 자기테이프의 형태로 마스크제작설비에 보내진다. 이를 통해 마스크가 제작된다.웨이퍼가공 ... 라 불리는 높은 에너지빔을 노출된 부분에 주사하는 방식으로도 처리될 수 있다. 산화막층의 형성에서부터 불순물주입의 확산과정까지의 공정을 서로 다른 마스크기판에 여러 번 반복해야 원
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    | 리포트 | 15페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.07.24
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    품질경영 현대 자동차
    와 배선공사 등과 거주설비 공사, - 선체의 표면과 내면에 녹이 슬지 않도록 도장하는 작업선박 공정 (시운전)- 선박에 설치된 각종 장비의 성능을 개별적으로 시험. 선박 전체의 성능 ... 부품 업체들 관련 부품의 불량 납품을 실시간으로 파악해 조달하는 RFID 기반 실시간 협업 시스템불량항목세부항목불량갯수(설치전)불량갯수(설치후)의장공정배선및내장재조립650(13 ... 용방청유용량20리터20리터용도금속방청용금속방청용판매가격57,000원62,000원사용방법침전방식스프레이,로링방식◆ 도장공정①납품업체의 개선(2007년 기준)불량항목세부항목불량갯수(설치전
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    | 리포트 | 82페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.09.17
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  • 자료 표지
    반도체 제작 공정 Team Project
    8. 노광 9. 현상 10. 식각공정11. 이온주입 12. 화학 기상 증착 13. 금속배선 14. 웨이퍼 자동선별 15. 웨이퍼 절단 16. 웨이퍼 표면 연마 17. 금속 연결 ... 이나 절연막등을 형성하는 방법.13. 금속배선웨이퍼 표면에 형성된 각각의 회로를 금, 은, 알루미늄 선으로 연결시키는 공정. 금속에 전기적 충격을 주면 금속이 물방울처럼 증발 ... 어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 그려 넣게 됨17. 금속연결칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정 .18. 성형Molding 공정은 반도체 제조
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    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.27
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  • 자료 표지
    초고층 빌딩의 전기설계 계획
    건축물의 구조에큰 부담을 주게 된다. 온도 차가 크면 금속이 늘어나거나 수축되는 정도가달라 건축물이 뒤틀리게 된다. 이러한 요인들 때문에 초고층 빌딩을 지을때에는 건축물의 상단 ... 배선의 종합적인 검토가 필요하다.2) 건축적 특징초고층 빌딩은 수직형 빌딩으로서 자연 현상의 영향을 많이 받게 된다.자연현상으로는 태풍, 바람, 지진, 기후 등이 있다. 특히 바람 ... 한다.빌딩 옥상에 돌침형 피뢰침, 빌딩 측벽에 낙뢰보호용 피뢰침을 설치하고빌딩의 금속도체 간은 전기적으로 결합하는 등의 방식을 사용하여 낙뢰의피해에 대비하는 설계가 필요하다.초고층 건축
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.06.12
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    Ideal 반도체 설계
    (확산) 공정에 의해서도 이루어짐.12. 화학기상증착 : GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착(蒸着)하여 절연막 이나 전도성막을 형성시키는 공정.13. 금속 배선 ... 을 연마 하여 거울면처럼 만들어 주며, 이 연마된 면에 회로 패턴을 그려넣게 됨.17. 금속 연결 : 칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정.18 ... . 성형 : 칩과 연결금선부분을 보호 하기 위해 화학수지로 밀봉해주는 공정. 금속별 일함수물질일함수(eV)Na2.27Mg3.46Al3.74Ti4.09Cr4.51Mn3.95Fe4.36Co
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.03
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    반도체소자와공정-1
    제작할 수 있다.6) 박막 증착 공정금속배선(Metallization) wafer 표면에 형성된 각 회로를 Al, Cu등으로 연결시키는 공정이다. 물리 기상 증착법(PVD) 전자빔 ... 수 있다. 칩 집착(Die Bonding) 테스트를 거친 IC칩들을 자른 후 칩을 리드 프레임 위에 붙이는 공정 금속연결(Wire Bonding) 칩 내부의 외부연결단자와 리드 ... 반도체 소자와 공정OUTLINE1.반도체 소자 1) 바이폴라(TTL, ECL) 2) 유니폴라(NMOS, CMOS) 2.반도체 공정 1) wafer 제조 2) 산화 공정 3) 노광
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    | 리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.21
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    전기 통신 전기소방 공사 시공계획서
    개요 및 업무계획도 1-1. 공사개요 / 1-2 공사범위 오무 전기㈜ 2 공정표 2-1. 예정공정표 오무 전기㈜ 3 설치계획 3-1. 전등 ( Lighting) , 전력 ... ELEC ENG 주한미군기지 이전시설사업 지역분배노드 전기소방공사 Fire alarm2-1. 예정 공정표 2. 공정표 OMU ELEC ENG 주한미군기지 이전시설사업 지역분배노드 전기 ... , 통신 , 전기소방공사 중 Lighting, Power, Telecommunication, Fire alarm2. 공정표 2-1. 예정 공정표 ( 전등 , 전력공사 ) OMU
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    | 리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.02.28
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  • 자료 표지
    DRAM에 관한 레포트입니다.
    )▶현상(Development)2. DRAM - 제조공정▶식각(Etching)▶이온주입(Implantation)▶금속배선 식각▶Chip 자동선별 절단 및 접착▶완제품 완료▶금속배선2 ... . DRAM - 제조공정2. DRAM - 구조금속배선CapacitorMOS소자OxidePoly Si3. Capacitor란?50 70 90 110 140 170 21050 40 ... - 적용2. DRAM - 구조금속배선CapacitorMOS소자OxidePoly Si▶Si Wafer▶Reticle제작▶Oxidation▶P/R Coating▶노광(Exposure
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    | 리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.12
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  • 자료 표지
    반도체 제조 공정조사
    에 형성된 각 회로를 알루미늄 선으로 연결시키는 공정이며, 최근에는 알루미늄 대신에 구리선을 사용하는 배선방법이 개발되고 있다.8)금속배선 단계금속 배선 물질의 증착1)웨이퍼 자동 ... 프레임(lead frame)이나 PCB 등의 중앙에 붙이는 공정3)칩 집착(Die Attach)4)금속연결(Wire Bond)칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결 ... 목 차반도체란? 반도체 제조 공정 요약 웨이퍼 제조 마스트 제작 회로 설계 웨이퍼 가공 조립 및 검사1.반도체란?- 도체와 부도체의 중간적 성질 - 원래는 부도체 - 빛이나 열
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.03
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2025년 10월 21일 화요일
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