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"박막공정" 검색결과 1,741-1,760 / 3,367건

  • CVD의 증착과정과 종류와분류 그리고 CVD의 장단점과 매커니즘
    의 표면이동속도에 영향을 미침으로써 막의 구조나 성질에 영향을 미친다. 다른 많은 박막제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산 ... 으로 많이 만들어지게 되었다.PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)얇은 박막들은 현 VLSI회로 제조 공정에서 디바이스 내에서 도체 ... 의 보호막 및 다중금속배선간의 공간 절연막으로 사용된다. PECVD에 의한 SiN 박막은 N2/SiH4 또는 NH3/SiH4 혼합가스를 이용한다. 공정변수인 입력 파워를 증가
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.04
  • FeRAM의 원리 및 특징
    적 피로성을 SBT등을 통하여 극복할 수 있다는 획기적 가능성을 제시한 결과이다. 그러나 SBT계 재료는 박막의 잔류분극이 PZT에 비해 월등히 작은 단점이 있다. 특히 박막공정 ... 전자에서는 세계 최초로 4M FeRAM을 개발하여 시장 개척에 적극 나서고 있다.FeRAM에 사용되는 주요 재료로서 PZT 막은 대부분 "Sol-Gel"이라는 간단한 제조공정을 사용 ... perovskite materials(ex. Pb(Zr,Ti)O3)등을 들 수 있다. 전자는 기록/삭제의 반복에 따른 피로(fatigue)가 없는 특성 때문에 많은 연구가 행하여졌으나, 공정
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17
  • 태양광 시장의 실태와 전망
    -Procurement-Construction)는 기자재를 구매하여 시공하는 서비스태양광발전 산업구조 현황모듈 제조 이전의 공정(폴리실리콘, 웨이퍼, 전지)은 설비투자가 큰 반면 ... , 진입장벽이 높은 고부가가치 산업으로 수출 산업화가 가능한 영역임. 모듈 제작 이후 공정은 인버터 등 부품 조달 비용과 인건비 부담이 커 수익성이 취약하며, 기술적 제약이 거의 없 ... 실리 설계, 시공 병행 중코오롱유기태양전지 관련 사업을 추진할 코오롱윈스 설립시공, 발전소 사업도 병행코닉시스템태양전지 시험생산라인 구축 박막, 플라스틱, 흑연 등의 태양전지 기술
    리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.19
  • [OLED, LED] 투명전극 IZO, ITO, ZnO 박막 특성 분석
    투명전극 IZO, ITO, ZnO 박막 특성 분석1. 실험목적투명전극으로 이용되는 IZO, ITO, ZnO의 특성을 알아보고 투명전극의 특성 평가요소인 transmittance ... 기판법은 열처리를 통해 ZnO 박막의 결함 형성 농도를 증가시켜 내부 결함에 의해 저항을 낮추는 것이다. 그러나 열처리에 의한 방법은 결함의 제어가 쉽지 않고 온도등의 외부 환경 ... 에 의한 박막의 특성 변화가 크다는 단점이 있다.③ IZO(indium zinc oxide)IZO(Indium Zinc Oxide)는 인듐산화물(In2O3)과 아연산화물(ZnO
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.19
  • 에어로겔 상용화 시장 및 연구자 조사
    신발 보온재, 살충제, 컴퓨터 소형화저유전 실리카 박막기술바이오 신기술의 새로운 시장 창출1. 단열재 분야(1) 상용화 시장1) (주)에어로겔 코리아에어로겔 블랑캣을 보냉용, 보온 ... (catalyst support) 및 가스 흡수제(absorbent) 등으로 다양하게 응용될 있음에도 불구하고, 아직까지는 공정이 간단하면서도 만족할만한 수준의 넓고 균일한 비표면
    리포트 | 11페이지 | 20,000원 | 등록일 2015.02.15 | 수정일 2015.02.17
  • 학업계획서
    까지 연구하고 공부한 것들을 바탕으로 공정적인 측면과 재료적인 측면으로 접근하여, 위에서 설명한 것과 같은 반도체소자에서 생기고 있는 문제점들과 한계를 극복하고, 차세대 반도체 소자 ... Sputter를 이용한 저온 소성용 유전박막제작에 참여하고 있습니다. 이밖에도 여러 실험 장비들을 익혀 견문을 넓히고 있습니다.
    자기소개서 | 1페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.10.27
  • 기계공학응용실험 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 예비보고서 (2)
    ① 마이크로 머시닝의 필요성 및 응용에 관하여 기술하시오⑴ 마이크로 머시닝의 필요성마이크로 금형 등의 부품 제작에 있어서 반도체 공정 기술은 재료의 재질 및 두께의 한계에 따라 ... 한 후 최종적으로 희생층을 식각하는 공정을 통해 표면으로부터 떠 있는 (Floated) 미세 구조물을 형성하는 방법이다. 즉 희생층, 구조층을 기판 위에 형성시킨 후 희생층을 식각 ... 하여 구조층만 남게 하는 방법이다. 1960년대에 미국에서 금속 박막을 이용하여 처음 시도되었고, 1980년대에 미국에서 실리콘 산화막을 희생층으로 사용하고 다결정 실리콘을 구조
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.10
  • 반도체 제작 공정 Team Project
    다. 즉, 투명한 석영 기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5배로 식각해 놓은 제품을 말한다.6. 산화 공정고온(800~1200 ... 반도체 제작 공정 Team Project목 차1. 단결정 성장 과정 2. 규소 봉 절단 3. 웨이퍼 표면 연마 4. 회로설계 5. 마스크 제작 6. 산화 공정 7. 감광액 도포 ... 8. 노광 9. 현상 10. 식각공정11. 이온주입 12. 화학 기상 증착 13. 금속배선 14. 웨이퍼 자동선별 15. 웨이퍼 절단 16. 웨이퍼 표면 연마 17. 금속 연결
    리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.27
  • 금속유기화학증착법(MOCVD)
    LED용 금속유기화학증착법 (MOCVD, Metal-Organic CVD)1. MOCVD 기술√ MOCVD법은 유기금속화합물과 수소화합물의 가스 열분해 반응에 의하여 반도체 박막 ... 을 기판위에 성장시키는 에피탁시 방법으로 1968년 GaAs 박막 성장을 시작으로 발전되어 많은 반도체의 성장에 응용되고 있다. 특히 1982년 MOCVD를 이용하여 제조한 수십 ... 나노크기의 저차원 물질에서 일반 벌크구조와는 다른 독특한 특성이 발견된 이래, MOCVD법은 3차원 에피탁시 공정 이외에도 다양한 저차원 나노구조체의 합성에도 응용되고 있
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29
  • 7세그먼트 LCD셀 제작을 위한 마스크 설계
    ※ 다음 단계로 넘어 갈 때 마다 1회 이상의 패턴형성공정 이 반복Photo Mask이론PART2. 이론적고찰☞ 투명한 석영기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하 여 반도체 집적회로 ... 를 이용한 설계 6 루비리스 용지에 옮기기 7. 2차 회의록 8. 필름으로 옮기고 최종적인 마스크필름 완성 9. LCD셀 제작공정 시퀀스도 10. 요 약1 주차2 주차3 주차PART1 ... 공정을 이해하고, Mask제작공정의 과정과 Photomask의 기능을 이해한다.LCD셀 제작공정과정PART2. 이론적고찰각각 단위공정과정의 패턴형성 개략도PART2. 이론적고찰
    리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.28
  • 플라즈마와 RF
    에 대한 측정 방법으로 금속-안테나 구조를 이용, 전하축적에 의한 산화막의 파괴특성을 평가하는 것이 일반화되고 있다.②플라즈마 CVD얇은 박막들은 현 VLSI회로 제조 공정 ... )은 후속열처리(900 ℃)공정에 의해 50-70 nm 정도까지 성장되어 저항이 낮아진다. 또한, W 박막의 저항은 가스조성비, 기판온도 등에 의해 조절되기도 한다. WSi2 ... 들이 플라즈마 상태라고 하면 이해하기가 쉬울 것이다. 이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착
    리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.23
  • Display
    AM 방식은 PM 방식의 비효율적인 '순차발광'의 단점을 없애기 위해 가로선과 세로선의 교차점에 박막 트랜지스터를 각각 형성하여 Dot 전부가 동시에 발광할 수 있도록 한 방식임 ... OLED 종류구동방식에 따라능동,수동 장단점PM OLEDAM OLED장점제조 공정이 단순 저 비용ROW line 증가에 따른 휘도저하가 없음 저 소비전력 고해상도 가능 대면적 가능 ... 단점전력소비가 커서 대면적 구현의 부적합 고 소비전력 ROW line 증가에 따른 휘도 저하복잡한 Process (픽셀 형성공정이 복잡) 고 비용OLED 개선 방향수면연장의 필요
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.21
  • Layer by layer-polyaniline(LbL) 을 이용한 HCN가스 검출 기체 센서의 개발
    에 원하는 성질을 가지는 물질을 붙여서 박막을 형성하는 모든 기술들을 총칭하는 말이다. •대부분 값싸고 쉽게 다양한 방법으로 2차원적 평면 구조(100나노미터 이하 크기의 표면)를 만들 ... Coating•균일한 층의 박막을 제조하는 값싸고 빠른 방법 중 하나이다. • 과량의 용액을 박막 위에서 고속으로 회전. 원심력을 이용하여 균일한 박막형성 • 박막의 두께는 회전속도 ... , 회전시간, 용액의 농도에 의해 결정 • 안경, 반도체 웨이퍼 제조 공정에 사용Dip CoatingCoating 법 - Coasting할 재료를 액체에 담군 후에 정해진 온도
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.04
  • 화학기상증착(cvd)
    tep coverage가 좋다.9. 기판을 in-situ etching 가능-CVD의 단점1. 반응 변수가 많다.2. 위험한 가스의 사용3. 장치가 복잡하다.*박막형성방법CVD 공정 ... (APCVD )o 대기압 공정o Particle contaminationo 제작용이, 박막 형성이 빠름o step coverage 불량CVD 공정의 초기 형태이며 Silicon 산화막 ... 도 증가o 웨이퍼 간격을 좁게하여 (3~6mm) 동일 공정에 많은 양의 박막 형성o 단점 (낮은 증착률 ; 높은 동작 온도)3) 플라즈마 보강 기상 증착 (PECVD : Plasma
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.28
  • 신소재 기초 실험 (산화 공정)
    한 절연체 (insulater)로 전류와 도핑 물질(dopant)의 이동을 막는데 사용 되는 물질로 고품질의 SiO2박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요 하다.2 ... 신소재 기초 실험OXIDATION(산화공정)1. 실험 목적반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200°C)에서 산소나 수증기(H2O)를 수입시키고 열을 가해 실리콘 ... 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)를 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화 막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.29
  • 태양에너지를 활용하는 사례에 대해
    , 피시장에 등장하고 있다. 후지 전기 시스템이 개발한 F-WAVE의 중량은 1kg/m제곱으로 결정계 태양전지 모듈이나 유리 기판을 사용한 박막 태양전지와 비교했을 때 1/10 이하 ... 모듈을 만드는 것이 가능해졌다.4. 태양열에너지1) 태양열에너지의 정의태양열에너지를 이용하는 기술로서 주로 건물의 냉난방 혹은 급탕과 산업공정에 필요한 열을 공급하는데 목적이 있
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.01.21 | 수정일 2015.01.24
  • RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory
    로 발전해 왔고 이에 따른 제품의 소형화 및 초고집적화가 이루어짐에 따라 박막 제조 공정 기술과 박막 재료의 특성평가에 대한 연구 또한 활발히 이루어지고 있다. 그러나 현재의 저장장치 ... accessmemory)공정은 1-Transistor/1Capacitor(1T1R)구조의 단위cell을 이루고 있는데, 소자의 크기가 작아짐에 따라,capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가 ... 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또한SRAM과 같은 빠른 읽기-쓰기가 가능하고, 기억소자가 간단한 구조를 가지기 때문에 공정상의 결함을 현저히 줄일 수 있어 생산단가가 현재
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31
  • DCJTB를 주입한 Alq3의 두께에 따른 백색 유기발광소자의 변화
    을 위한 공정은 순서에 따라 패턴 형성공정, 박막증착 공정, 봉지공정, 모듈조립 공정 등 크게 4가지 공정으로 나누며, 구동방법이 AM이냐 PM이냐에 따라 기판 위에 형성되는 소자 ... 되면 유기물질인 단분자/저분자/고분자 박막에 음극에서는 전자(-)가 전자 수송층의 도움으로 유기물질인 발광층으로 이동하고, 상대적으로 양극에서는 정공(+개념, 전자가 빠져나간 상태 ... 층이 polymer일 경우, OLED는 단순히 스크린 위에 프린트 하는 방법으로 색을 구현할 수 있다. LED가 점으로 이루어진 빛의 소스인 반면, OLED는 박막으로 이루어진
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.14
  • T5,크세논램프,EL램프,LED,유기발광다이오드
    다이오드(OLED : Organic Light-Emitting Diode)는 빛을 내는층이 유기화합물로 되어있는 박막 발광다이오드이다. LCD를 대체할“꿈의 디스플레이” 라고 각광 ... 전압을 인가함으로양극과 음극이 교차하는 부분(화소)에 빛을 발생시켜 화상을 표현하는방식.(1) 제조공정이 간단하기 때문에 제조원가의 절감효과가 있다.(2) 주로 3인치 이하 ... 속도의 지연, 전력소모량의 증가 등의 문제가 있다.나) 능동구동방식(AM : Active Matrix) : PM방식과 다르게 각 화소마다박막 트랜지스터, 즉 TFT를 배열하여 원
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.01
  • 디스플레이 원리 및 기술공정 조사에 관한 레포트
    수 있기 때문에 차세대 디스플레이로서 큰 기대가 모아지고 있다. 하지만 시중의 대부분은 비정질 실리콘이 사용되는데 그 이유는, 제조공정이 복잡하고 공정온도가 높으며 TFT특성의 불 ... 과 은 ITO(Indium-tin oxide) 박막이 사용되고 있는데, 각 화소별로 1개의 쌍이 형성되어 있다. 보조 전극은 전기 전도도가 높은 Ag와 같은 금속 후막이 약 8μm ... 되어 있으며, 이 유리 유전체 층은 다시 보호막으로 불리는 MgO 박막으로 코팅되어 있다. 배면 유리 기판에는 Ag address 전극이 전면판의 유지 전극과 수직하도록 형성
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.02
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2025년 08월 31일 일요일
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- 작별인사 독후감