"박막공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 반도체 증착 OLED 반도체 공정실험 박막공정 cvd 페로브스카이트 가공단가 나노소자> 무기공업화학

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"박막공정" 검색결과 1,701-1,720 / 3,367건

PVD와 CVD

전달과정과는 별도로 기판에서의 종착조건을 제어함으로써 박막의 성질 및 구조 등을 변화시키는 기술 Energetic beam assistance Atomic layer ... hot가열되어 증발한다. 이 때 위 부분에 위치한 기판에 박막이 형성된다..장점 -증착속도가 빠르다.(50Å/sec 가능) -고융점 재료의 증착이 가능하다. -Multiple ... 전위차에 의해 cathode(target)쪽으로 가 되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 뛰어나와 기판에 박막을 형성한다. 장점 여러 가지 다른 재료

리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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화학공학과의 미래와 전망에 대한 발표자료(PPT)

을 처리할 수 있는 플라즈마 화학증착장치에서 증착된다. 대형 기판에 균일한 박막을 입히기 위해서는 장치를 어떻게 설계하는지가 중요하다. 화학 증착 공정은 정보전자소자에 사용되는 수많 ... 화학공학의 미래와 전망개요화학공학이란? 화학공학이 가진 고부가 가치 기술들 화학공학의 미래와 전망화학 공학이란?“화학제품의 제조공정을 능률적 ·경제적으로 만들기 위한 화학 ... 으로 환경오염 문제가 심각 폐기물을 소각하는 소각로의 설계와 운전, 폐수 처리를 위한 광촉매 화학공정과 생물학적 처리공정 개발, 오존층 파괴의 주범인 염화불화탄소(CFC) 대체물질 개발

리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.01

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SPUTTER

chamber conductance 와 관계됨.타겟 재질 (Ag, NiCr)접착막용 박막 공정 추가.타겟 냉각수 온도 (18~20℃)공정에 영향 있음. 냉각수 온도는 유지 관리 ... beamMolecualr beamIon platingLaser ablatingRadio-FrequencyDCMagnetron박막 증착 법의 종류PLASMA 란?플라즈마란? 일반적으로 물질의 상태 ... 을 금속박막인 경우 Ar gas 를 주입하면서 1~10mTorr 압력상태에서 타겟에 음의 전압(400~800V) 을 인가하여 glow discharge를 발생시킴. Cathode

리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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OLED_display

OLED 기술의 특징과 장단점1) 저분자 OLED와 고분자 OLED의 비교2) 고분자 OLED의 장점3) OLED가 극복해야 할 단점3. OLED 생산공정1) 구동방식에 따른 ... 분류2) OLED 제조공정3) 패턴형성 및 에칭 공정4. E-Book 과 OLED1) E-book 개발상의 과제2) E-book 과 OLED기술의 접목3) 고분자 태양전지5. 가격 ... 제조 공정이 달라진다. 우리가 주목하는 고분자 LED의 경우 derivatives of poly(p-phenylene vinylene)과 polyfluorene 등이 쓰이

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.17

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7주차 결과 전자전기컴퓨터설계실험3(2014.05.02.)

실리콘 (없는 문서)" 폴리실리콘 (다결정 실리콘; 게이트에 폴리실리콘이 쓰이는 이유는 아래의 게이트 항목을 참조할 것)의 레이어이지만 전통적인 이산화 실리콘의 저항층 박막에 의하 ... 공정은 불편하여최근에는 모든 MOSFET은 Poly Silicon을 Metal층 대신으로 편리하게 사용하고 있다.Polysilicon 전극을 사용하지만, 그러나 관습적으로 MOS라고

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.07.01 | 수정일 2014.07.03

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TFT 공정 기술

들로 연결되어 있다. 이것은 고분자 박막의 형성에서부터 rubbing 공정, 그리고 진공을 이용한 액정 주입 공정 등 광범위한 분야의 지식과 기술을 필요로 한다.TFT-LCD ... 는 Unuformity 불량을 일으킨다.TFT 기판이나 C/F 기판의 제조 기술에서 TFT-Array를 형성하는 공정은 Silicon 반도체 제조공정과 유사하다. 즉, 박막증착(Th in ... TFT-LCD 제작 공정은 액정 cell 제작 공정 (TFT 기판과 color filter기판을 합착) 후에 구동 회로를 부착하여 신호 구동이 가능한 액정 cell 상태로 제작

리포트 | 40페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.21

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수소 열처리 온도에 따른 AZO(Al-doped Zinc Oxide)의 구조적, 광학적, 전기적 특성 변화

성에 따른 제조 시 어려움으로 인해 현재까지는 n형 ZnO 박막이 전도성 기판 위에 성장되어 소자 응용에 사용되고 있다. 전도성 기판으로써 Si의 경우 낮은 가격 및 공정의 용이 ... 투명전도성산화물 박막 (Transparent Conducting Oxides, TCOs)인 ZnO는 우수한 전기적 및 광학적 특성을 가지기 때문에 유기발광소자, 광다이오드 및 ... 태양전지와 같은 광전자소자의 응용에 많은 연구가 진행되고 있다. 최근에는 ZnO 동종접합을 만들고자 많은 연구가 진행되고 있으나 p형 ZnO 박막의 높은 불순물과 낮은 용해

논문 | 1페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.07.17 | 수정일 2016.11.25

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Photo lithography(포토 리소그래피)

한 Lithography로 물질 위에 빛을 사용하여 패턴을 남긴다. 반도체에서는 회로를 빛을 이용하여 박막이 형성된 웨이퍼에 입히는 공정이다. 미세한 패턴을 사용하는 것이 집적 ... 공정에서는 집적회로제조과정에서 마스크(mask)상의 회로패턴을 웨이퍼(wafer)의 위에 옮기는 공정이다. 시스템 집적 반도체를 포함한 기억소자, 마이크로프로세서 등의 실리콘 ... 도 향상에 직접적인 영향을 미친다.2. Photo Lithography의 공정우선 일반적으로 wafer cleaning과 barrier layer formation은 Photo

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.20

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mlcc

MLCC에서 중요한 성형 및 소성공정의 기술 및 설비 이용현황과 현황과제에 대해 알아보자박막 세라믹 시트 성형기세라믹 시트 성형기술과 설비개발의 역사각종 기재 (종이, 플라스틱 필름 ... 기술 개발을 위해서는 박층화를 위한 유전체/내부전극 재료의 개발이 선행이 되어야 하고 이를 제품화 할 수 있는 공정기술과 설비기술의 완벽한 조화가 이루어져야 한다. 그럼 이제 ... , 금속박, PET Film 등) 위에 소정 재료의 막을 형성하는 기술 중에는 최근의 초박막화에 대한 수요로 인한 스퍼터링과 같은 물리적 또는 화학적 증착 기술이 있으나, 본 보고서

리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.09

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화학생물공학 동양제철화학 폴리 실리콘 생성 공정 현장실습

후 Cl을 H로 치환공정 필요정제상압증류(필요시 흡착공정 추가)냉동 상태에서 증류석출온도850~1,150℃550~850℃이론적 Si수율22~25mol%~100mol%석출반응의 특징 ... Heterogeneous석출반응 중심열분해 반응 → 분말생성 심각recycle 공정석출공정 offgas 리사이클 부담합성공정에서의 리사이클 부담장점* 저장(액체상태)면에서 유리 ... * 높은 시장 지배력 * fumed silica 등과 같은 부산물 제조* FBR에 의한 입자제품 생산에 유리 * 부식문제(장치오염) 부담이 적다 * 반도체/LCD/박막태양전지용 가스

리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.08

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투습방수 섬유에 대한 PPT 발표자료 입니다.

기 어려움.전기 방사뻣뻣한 촉감을 가짐. 직물에 비해 방수성이 우수함. 낮은 투습성과 공기 투과도로 쾌적성이 떨어짐. 가공으로 인해 소재의 중량이 상당히 증가함.유연하고 초박막, 초경량 ... 하며 문에 작업공정이 짧은 장점이 있다. 핫멜트형 : 열가소성 수지로써 상온에서 용매가 포함되어 있지 않은 100% 고형 물질로 열에 의해 용융되어 피착제에 도포된 후 냉각, 고화 되 ... 을 나타낸다. 3. 상온에서 열가소성 수지가 되고 가열에 의해 용융되며 냉각에 의해 고화 접착 되어 경화속도가 빠르다. 4. 처리되는 원단 또는 필름이 공정 정에 열에 의한 변형이 없

리포트 | 37페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.03.30 | 수정일 2020.07.31

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MOSFET_최종

은 더 이상 기대할 수 없을 것으로 예측된다. 따라서 향후 반도체 소자 크기 감소를 지속하면서 성능을 개선시키기 위해서는 기존과는 다른 CMOS 공정 및 구조, 물질 등에 대한 개발 ... 기 위해 poly-Si의 doping농도를 증가하게 되면 기판으로 사용되는 p형 poly-Si의 주요 dopant인 B(boron)이 열처리 되는 동안에 SiO2 유전박막을 통과에 Si ... 은 SOI 박막을 증착하고, 그 양쪽에 동일한 두께를 갖는 소스와 드레인을 형성하여 표면 누설 경로를 차단하였다. 트랜지스터의 채널층이 매우 얇아서 겨우 반전층을 형성할 두께 정도

리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.12

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박막재료의 표면처리 및 식각실험(예비)

1. 실험제목SiO2 박막의 식각 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠 지는데 첫째로 증착 ... 공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 ... 실험 에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.3. 실험내용가장

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.28

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플라즈마

-out된 원자 및 분자가 기판에 도달되어 박막이 형성되는 장치로서 비교적 경제적이며, 양질의 박막을 제조할 수 있는 공정이다. 본 연구실에서는 이 장치를 사용하여 산화물 및 금속 ... 화되지 않은 자연상태의 원자나 분자로 구성되어 있다.공정에서 사용하는 있는 플라즈마의 경우 이온화정도를 보면 0.1 torr의 압력에서 전자수는~전자 /이고 , 양이온도 전자와 같 ... 의 표면에 분포된 전하 때문에 형성된 축전 전기장에 의해서 플라즈마가 발생되고 유지된다. 매엽식 공정장치에서 CCP는 웨이퍼 등의 시료가 위치하는 하부 전극과 가스 주입을 위한 샤워

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.01

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삼성코닝

Ⅰ. 기업소개1. 개념 설명)* TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display:박막 트랜지스터 액정 표시장치): 액정의 변화와 편광 ... 게 확보할 수 있다는 이점이 합작을 추진하게 된 동기가 되었다.-삼성코닝삼성코닝은 공정 노하우와 기술을 배우고자 하였으며 실제로 2년여에 걸친 개발기간 동안 여러 가지 용해 및 ... 성형 실험을 함으로써 많은 공정 노하우와 기술을 축적할 수 있었다. 또한 공동개발을 통해 세계 최첨단 정밀박판유리 제조공법을 자체적으로 개발하고 확보하였으며 국내 평판디스플레이 산업

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.30

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Sol-Gel법에 의한 SiO2 Gel 제조(실험)

-------------------11.2.3 졸-겔(Sol-Gel)법 --------------------------21.2.4 졸-겔 공정의 장 · 단점 ------------ ... -OF FIGURESFigure 1. 졸-겔 공정 -----------------------------------------2Figure 2. 졸-겔 반응 과정 ---------- ... 의 gel로 되는 반응이다.Figure 1. 졸-겔 공정졸-겔법에서 물과 알콕사이드의 비율, 용액의PH, 용매의 종류 및 양등 여러 가지 요소 등으로 반응속도 및 최종구조물의 구조

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.17

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경사기능재료 결과보고서 (세라믹 재료 함유)

최종 결과 보고서소재제조공정설계- ZrO₂- Ni계 경사기능재료 제조 -목 차Ⅰ. 서 론1-1 주제1-2 주제선정이유1-3 BrainstormingⅡ. 본론(실험목적 및 이론)2 ... 의 내열기능재료는 내부에 두 종류 이상의 성분이 거시적인 조성기울기를 찾는 재료를 일컫는다. 경사기능재료 양단에 조성기울기를 가짐으로써 일반적인 접한 계면의 생성을 방지하고 제조공정 중 ... 는 장치이다. 주로 금속 등의 도체, IC, 산화물 등의 반도체, 고분자 재료나 세라믹 등의 절연물의 고체, 분말, 박막시료가 표본이 된다. 주로 2차전자가 시료의 형태관찰, 반사전자

리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.07.21

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FTIR실험보고서

Spectroscopy)을 사용하여 고체재료의 특성들 즉, 물질의 구조, 전하농도, 박막층 두께 등을 조사하는 기술을 습득한다.2. 실험 이론가. FT-IR 기기의 작동원리- 최근 다른 분광법 ... 를 반복하게 된다.마. 시료 제조법- 박막법 시료 : 고분자 시료를 적당한 용매에 용해시켜 그 용액을 수은, 유리판, 금속판 또는 플라스틱판 등의 위에 흘려 용매만을 증발시킨 후 완성 ... 된 박막을 정당한 holder에 끼워서 측정한다.- KBr 정제법 시료 : 고체시료 0.5mg, KBr분말(200mesh 이하) 150mg을 평취하여 마뇌막자 사발에 우선 시료를 넣

리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.10.05 | 수정일 2020.07.08

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금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

도분포를 가져야 한다.표 1에 지금까지 알려진 질화알루미늄의 분말합성법과 박막합성법(화학증착법)을 실었다. 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 ... ℃이상의 높은 질화반응 온도가 요구되며, 또한 α-알루미나와 탄소분말과의 균질혼합, 잔류탄소의 하소 등과 같은 추가적인 공정과정이 요구된다. 열탄소환원질화법이 직접질화법에 비해 합성 ... 된 질화알루미늄의 순도, 습기에 대한 안정성, 소결성 등에서 뛰어난 것으로 알려져 있다.열탄소환원질화법의 경우 공정상에 여러가지 어려운 점이 있는데, 그 중의 하나는 α-알루미나

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

며, 좁은 입도분포를 가져야 한다.표 1에 지금까지 알려진 질화알루미늄의 분말합성법과 박막합성법(화학증착법)을 실었다. 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법 ... 에 1700℃이상의 높은 질화반응 온도가 요구되며, 또한 α-알루미나와 탄소분말과의 균질혼합, 잔류탄소의 하소 등과 같은 추가적인 공정과정이 요구된다. 열탄소환원질화법이 직접질화법 ... 에 비해 합성된 질화알루미늄의 순도, 습기에 대한 안정성, 소결성 등에서 뛰어난 것으로 알려져 있다.열탄소환원질화법의 경우 공정상에 여러가지 어려운 점이 있는데, 그 중의 하나

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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