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"금속배선 공정" 검색결과 581-600 / 618건

  • [박막] 박막의 특성
    도 및 그것의 온도 의존성, 열처리 공정시의 안정성 등을 알아야 한다. 저항률의 조사는 이론적 및 실제적인 관점에서 모두 중요한 금속막의 구조적 및 전기적 특성을 고찰할 수 있 ... 마이그레이션은 전류나 전장에 의해 물질을 수송하는 현상이다. 이것은 1930년 이후 알려졌으며, 금속으로부터 불순물의 분리, 물질의 도핑 및 특별한 기술적 공정 등을 위해 사용 ... 에 부착되어 있는가를 나타내는 것이다. 이것은 기판과 막 사이의 성질과 결합력의 세기에 의존한다.부착성을 측정한 여러 가지 결과로부터 다음과 같은 결론을 얻을 수 있다.① 금속박막
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.05
  • 개성공단
    적황으로는 현제 100만평 개발은 부지조성 작업이 진행(2006년 3월 현재 종합공정률이 70%)중으로 2006년 말에 완료될 계획으로 있으며, 단 폐수처리장과 용수시설, 폐기물 ... 공기 근무복381,626부천공업전기공급, 제어장치Wire Harness(전기배선부품)452,438매직마이크로전자부품, 영상장비Lamp assembly(LCD 모니터용)301,220 ... 플라스틱제품반도체부품용기401,626호산에이스일반기계제조팬코일(공기청정기 부품)261,000신 원봉제의복의류37.92,438리빙아트기타금속제조주방기기451,0003차승인기업(04.10
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.16
  • 반도체공정
    .② 반도체는 결정구조의 결함유무에 따라 그 특성이 좌우되기 때문에 가공공정 중에서 표면처리에 의해 표면가공층이나 변형층을 제거해야 할 필요가 있다.③ 반도체 결정과 전극(금속)의 접속 ... 기술의 진보에 따라 특히, 반도체 제작공정, 생산공정에서 점점 고도의 표면처리기술이 요구되어지고 있다.< 그림 1. 표면처리시스템 >< 표면처리기술이 반도체에서 중요한 이유 ... >① 초고순도이며, 인위적으로 집어 넣는 불순물의 양을 콘트롤하여 일정한 특성을 부여하기 때문에 가공공정 중 표면처리에 의해 불순물의 반도체 결정에의 부착 및 확산을 방지해야 한다
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.10.15
  • 반도체 공정기술
    반도체 공정 기술(半導體 工程 技術)반도체 산업● 장치 산업적 특성(다양한 단위 공정)∵반도체의 진보가 장비의 기술적 진보에 크게 의존● 제품의 생명주기가 매우 짧다.(신제품생산 ... 다.④ 재료 물성의 제품 의존성이 크다.⑤ 반도체 제조 화학제품의 초고순도화☞반도체 재료의 소재 및 공정개발은 반도체 산업의 성장에가장 핵심적 역할●구성 : 산업적 측면① 반도체 제조업 ... (단점=> 섬유판 같은 회로기판 위에서 서로 배선, 납땜 으로 회로 구성. 부피가 크고, 가격이 비싸고, 조립이 번거로움)[ IC의 발명 ]● 1958년 Texas instrument
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.10.17
  • 몰드(Mold)금형ㆍ열가소성 수지ㆍ열경화성 수지-ROBOSHOT
    Ⅰ. Mold 금형의 종류와 특징에 대해 조사Mold란 주형으로 주형은 주조에 사용되는 형(틀)을 말하는 것이다. 주조는 캐비티 내에 액상의 금속을 주입한 후 응고시켜 원 ... 하는 형상의 제품을 얻는 공정이다. Mold 금형은 사형용 금형, 셀 몰드 금형, 인베스트먼트 금형, 중력주조형 금형, 진 공주조형 금형, 다이캐스팅 금형, 저압주조용 금형 등으로 나눌 ... 이 가능하다.- 얇은 주물의 생산이 가능하다.- 단가가 싸고 생산속도가 크다.- 치수의 정밀도가 높고 살결이 곱다.- 용융점이 낮은 금속이라야 한다.- 설비비와 금형제작비가 고가이
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.03 | 수정일 2022.03.07
  • 반도체에 사용되는 용어정리
    두 종류 이상의 금속이 용융하여 혼합되는 현상 또는 그 결과로 얻어진 혼합 금속을 말한다. 반도체 공정에 있어서 합금 과정은 n-Type 반도체인 Germaium(Ge)위에 Indium ... 43°C의 성질을 갖고 있는 화합물이다. 반도체 공정에서 표면 Cleaning 또는 Nitride Acid(HNO3), Hydrofluoric Acid(HF) 등과 함께 세정 ... 공정 등에서 Uniformity 등을 좋게 하는 완충 용액으로 사용된다.Active Element전자부품을 능동소자와 수동소자로 나누어 생각하는 경우가 있는데, 능동소자는 비선형
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    | 리포트 | 18페이지 | 무료 | 등록일 2000.11.29
  • [전자공학] IC(집적회로) 이야기
    에 있다.☞ 박막 혼성집적회로 : 절연물 기판 위에 금속·저항체·절연물의 박막을 입혀, 이에 의해서 회로소자 및 배선·단자(端子)를 실현하여 만든 집적회로.능동소자를 박막으로 실현 ... (evaporation) 공정이나 때려 내기(sputtering) 공정을 이용하여 금속층을 증착하고 원하는 연결이 그려진 마스크를 이용하여 식각해내면 그림 7(h)의 구조가 만들어진다. 마지막 ... ?: 고체의 일부에 용융영역을 만든다. 띠정제라고도 한다. 보통 두 성분 이상으로 된 금속의 융액을 냉각하여 응고시키면, 최초로 나오는 고체의 조성은 본래의 융액과 전혀 다르
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.11
  • 확산(Diffusion) 공정
    방지확산 장벽 : 증착 불순물이 다른 표면에 닿음을 방지표면 유전체 : 산화막의 절연성으로 금속 배선이 실리콘에 닿음을 방지2. 화학식 : Si+O2→SiO2..PAGE:50..PAG다. ... ..PAGE:1확산(Diffusion) 공정..PAGE:2확산(Diffusion) 공정확산의 목적확산의 개념도핑방법..PAGE:3확산의 목적PN접합을 만들기 위한 것일정한 종류 ... 의 캐리어와 일정한 비저항을얻기 위해금속과 실리콘의 접촉 저항을 낮추기 위해표면 전계 효과 소자의 특성 조절을 위해캐리어의 재결합을 증가시켜서 고속의 포화 개폐 소자를 만들기 위해
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 60페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.22
  • [생명공학] 생명공학산업의 전망과 동향
    관절, 인대. 인공 뼈, 인공 힘줄 등으로 점차 파트수가 늘어가고 소재과학 수준이 발달되고 있는 상황이다.인공장기를 만드는데 필수적인 생체재료는 종래 주류를 이루던 금속이나 세라믹 ... 전반에 걸쳐 응용될 것으로 전망되나 특히 전자소자 생체소재분야에 제일 먼저 실용화가 이루어질 것으로 예측된다. 정보통신 시스템이나 자동화 공정이 인공지능형으로 발전되어가고 있는 추세 ... 에로 한 분자배선을 작성하고 분자배선중의 단백질에 특이한 친화력을 가진 기능 분자단을 수식 또는 도입하므로써 분자단위에서 소자기능을 갖게 하려는 것이다. 바이오센서소자의 제작
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.12.16
  • [세라믹 재료] 바리스터(Varistor)
    에서도 배선 자체가 작은 인덕턴스로 작용하여 비슷한 이상전압 발생.써지의 발생과정써지흡수소자의 예써지의 발생Varistor 종류(1) 탄화규소(SiC)계 버리스터 (2) 산화아연 ... (Nb2O5) 또는 이산화규소를 혼합하여 환원성 분위기에서 소결하는데, 만들어진 세라믹스에 산화나트륨(Na2O)등의 금속산화물을 칠해서 열처리하여 입계층부분에 이 절연층을 확산 ... 면 갑자기 저항이 감소하여 전류가 흐르기 쉽게 되는데 이것은 동시에 BL형 축전기 역할도 한다.Varistor 전압-전류(I-V)특성곡선.Varistor 세라믹 제조공정 4단계첨가제
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    | 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.04.04 | 수정일 2015.09.09
  • [화학공학] 탄소나노튜브
    가 된다. 이에 따라 탄소 나노튜브는 금속과 같은 전기적 도체가 되기도 하고 또 전기가 잘 안 통하는 반도체가 되기도 한다.(2) 탄소나노튜브 종류나노튜브 한 개가 반도체가 될 수 ... 는 기술이 필요하다. 또 현재 Si 기판을 이용한 탄소나노튜브의 수직성장이 가능해지면 실리콘 기판위에서 기존의 실리콘 공정기술을 이용하여 Si-based optoelectronics ... 소자대신에 크기가 매우 작은 탄소나노튜브를 메모리소자에 응용할 경우 현재의 실리콘 공정기술에 의한 소자밀도의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대된다. 그러나 이러한 응용을 위해서
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.13
  • [반도체공정] NMOS 공정
    배선에 필요한 부위만 남기고 불필요한 부위의 금속을 제거하는 공정. 금속마스크를 이용 해당영역을 정의해 주고 나머지 부분을 식 각하게 되는데 AI의 식각은 Cl₂, BCl₃ ... Cut소자의 전극 연결을 위해 막과 N+의 영역(또는 Ploysilicon과 금속막)이 연결될 부위를 정의해 주기 위한 공정. 피면을 PR로 코딩한 다음 Contact Mask ... 간의 연결선 및 패드(Pad) 열결을 위해 금속 막을 증착하 는 공정. 금속은 1.5% Si 또는 0.5% Cu 등이 혼합된 Aluminum(AI)을 E-Beam(전자선) 증착법
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.11
  • [재료공학(고분자공학)] 감광성 고분자를 이용한 PR(Photoresist) 공정,고흡수성 수지를 이용한 흡수력 테스트
    재료실험실험보고서감광성 고분자를 이용한 PR(Photoresist) 공정고흡수성 수지를 이용한 흡수력 테스트실험 1. 감광성 고분자를 이용한 PR(Photoresist) 공정1 ... 와 가공 및, 반도체 소자에 이용되고 있다.따라서 본 실험에서는 감광성 고분자를 이용한 PR(Photoresist) 공정을 해 봄으로써 사용되는 고분자의 종류, 광원 등의 차이에 따른 ... 이용되는 외에, 장식품의 가공, 프린트 배선반의 제작, 도료 등 용도가 확대되고 있다. 자외선을 흡수하는 고분자, 빛에 의해 발색하는 고분자, 빛에 의해 분해가용화(分解可溶
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.23
  • Measurement of Wettability(물방울각 측정)
    을 표면에 증착할 수 있고 더 정확히 불순물의 양을 조절할 수 있다는 장점이 있다.앞에서 소개되었던 공정들은 반도체 회로를 제작할 때 기본적인 공정이다. 그 외에도 박막 증착이나 배선 ... 공정 중에 다른 불순물의 제거를 어렵게 한다. 또한 매우 얇은 산화막 제조공정시에 고른 산화막을 얻을 수 없다.금속 불순물의 경우 Si와 SiO2사이에 존재하면 절연막을 파괴 ... 시키고 회로 제조 수율을 절반 이하로 감소시키게 된다. 자연 산화막이 웨이퍼 표면에 존재할 경우 CVD나 Epitaxy공정등에 방해 요소가 되고 자연 산화막은 금속 불순물을 포함하여 수율
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.05.09
  • 진공증착 (Evaporation)
    기판상에 화학반응을 이용해 실리콘(SiO⁴) 등의 박막을 형성시키는 공정을 말한다.반도체기판상에 박막을 형성시키는 방법인 CVD는 기판표면의 배선.전극 등에 다른 종류의 가스와 고체 ... 1. 실험제목진공증착(Evaporation)2. 실험목적 및 필요성진공 증착법이란 진공 중에서 금속 화합물 또는 합금을 가열 증발시켜 증발 금속 또는 증발 금속 화합물을 목적 ... 물질의 표면에 붙게하여 얇은 피막을 형성시키는 방법을 말하며, 도금 물체는 금속이나 비금속 모두 가능합니다.{또한 진공증착, 특히 물리증착법(PVD)은 기존의 표면처리강판 제조기술인
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2002.04.10
  • D.C Magnetron Sputterimg 으로 증착한 Cu 박막 결과 보고서
    하고, 표면 거칠기는 감소할 것이다.1.3 구리 박막의 이용 분야1)반도체 공정에서 금속 배선의 재료로 소자가 1GB이상이 되면서, 알루미늄보다 비저항이 작은 Cu가 사용되고 있 ... COVERAGE)가 좋다.2.퇴적막의 치밀성이 우수하다.3.취급에 숙련을 필요로 하지 않는다.4.넓은 면적에서 균일한 박막 두께 증착 가능5.전처리 청결 공정 가능 [3]2.3 공정 변수1 ... 의 변화와 다양한 공정 조절 변수와의 관계를 이해하는 것이 필요하다. [4]2.4 Four Point Probe 이론4-four point probe 는 동일선상에 놓여진 텅스텐
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    | 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.07.17
  • 금속에 대하여
    금속의 특성 금속은 일반적으로 아래와 같은 특성을 지닌다. ① 고체상태에서 결정구조를 형성한다. ② 열 및 전기의 양도체이다. ③ 연성 및 전성을 갖는다. ④ 금속광택을 갖 ... 는다. ⑤ 상온에서 고체이다(수은(Hg) 제외) 금속의 종류는 매우 많아 현재 자연에 존재하는 92번까지의 원소중에서 금속원소는 68종, 비금속원소는 17종, 아금속원소는 7종이다 ... . 이들 금속원소들에 대해 중요한 성질인 금속의 용융온도를 비교해 보면 최고 텅스텐의 3410℃에서 최저는 상온에서 액체인 수은(Hg)의 -38.4℃까지의 넓은 분포를 보이고 있
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    | 리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.02
  • [무기재료공학] 요업공정 (대종버전)
    은 대부분의 다층공정의 전자 패키지에서 사용된다. 같은 온도에서 알루미나와 같은 소결물, 금속성 필름들은 텅스텐({W) 과 몰리브덴 ({Mo)으로 한정된다.. 열처리1 ... . 원료의 제조1. 채굴기계적분리, 화학적석출, 화학적침출, 열적변화에 의해 생성된 천연 원료의 채굴2. 분쇄(1) millball mill : 세라믹 공정에서 잘고 미세한 분쇄 ... 펀치에 붙여진 코어는 압력을 통해 구멍이 만들어지곤 했다.압력이 가해진 후 그 부분은 배출되고, 틀은 공정을 반복하기 위한 준비를 한다.복잡한 기하학과 실물보다 큰 직결 길이
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.03.12
  • [반도체공정] 확산공정
    로 나옴 방지확산 장벽 : 증착 불순물이 다른 표면에 닿음을 방지표면 유전체 : 산화막의 절연성으로 금속 배선이 실리콘에 닿음을 방지2. 화학식 : Si+O2→SiO2..PAGE:50다. ... ..PAGE:1확산(Diffusion) 공정청주대학교정보통신공학부97410235정 해 원..PAGE:2확산(Diffusion) 공정확산의 목적확산의 개념도핑방법..PAGE:3확산 ... 의 목적PN접합을 만들기 위한 것일정한 종류의 캐리어와 일정한 비저항을얻기 위해금속과 실리콘의 접촉 저항을 낮추기 위해표면 전계 효과 소자의 특성 조절을 위해캐리어의 재결합을 증가
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    | 리포트 | 60페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.03
  • [식품미생물] 식품공장의 미생물 관리
    하며 교차 오염을 방지하도록 각각 독립된 계통으로 환기- 급 기구는 냉각탑 등 미생물발생 요인이 되는 기기와 분리하여 배치- 급·배기구에는 자동개폐식 셔터나 도금한 금속 망을 설치 ... - 무균 작업구역의 급기는 제균 필터나 살균등을 붙인 덕트를 통해 살균 한 청정공기를 도입? 가열공정 등에서 나오는 여분의 증기, 열 등을 배출하기 위한 장치 구비- 열이 발생 ... 하는 가열공정에 국소 배기가 설치되어 있는 경우가 많은데 이 경우 배기량 이상의 급기가 되지 않아 음압이 걸려 외벽의 틈새나 인접 구역에 공기를 흡입하여 가열이 끝난 식품의 오염가능
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.19
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2025년 10월 21일 화요일
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