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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 결과 보고서2025.04.281. 차동 증폭 회로 차동 증폭 회로(differential amplifier)는 출력이 단일한 단일 증폭 회로(single-ended amplifier)에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스(bypass) 및 커플링(coupling) 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀더 용이하여 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET 차동 증폭 회로 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기...2025.04.28
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. 전류원 회로 회로이론에서 부하에 무관하게 일정한 전류를 공급하는 전류원을 사용한다. JFET 전류원에서는 충분한 전압 VDD가 공급될 때 VGS=0V이므로 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐른다. BJT 전류원 회로에서는 에미터 저항 RE가 베이스 저항들에 비해 B배 크므로 RE의 영향을 무시할 수 있어 VB가 일정한 전압이 된다. 에미터 전압과 전류는 VE=VB-0.7V, IE=(VE-(-10))/RE≈IL로 표현된다. 2. 전류 미러 회로 전류 미러 회로는 저항 Rx를 흐르는 전류가 부하 RL에 똑같이...2025.11.16
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 입력단, 증폭단, 출력 특성으로 구성되어 있다. 입력단의 MOSFET M_1은 소스 팔로워 역할을 하며, 증폭단의 MOSFET M_2는 캐스코드 역할을 한다. 캐스코드 구조는 출력 저항을 크게 만들어 전압 이득을 향상시키며, 채널 길이 변조 효과를 최소화하여 넓은 대역폭에서 동작할 수 있다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있다. 2. 실험 절차 및 결과 실험에서는 V_GG 값을 변화시키며 출력 전압을 측정하였고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 출력 ...2025.01.29
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전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역방향 바이어스 상태에 있어야 한다. 게이트에 양의 전압이 인가되면 n형 채널이 형...2025.01.13
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로 예비보고서2025.04.271. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 실습에 필요한 준비물과 회로 설계 과정, 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 MOSFET(Metal-Ox...2025.04.27
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 IREF = 10 mA인 단일 Current Mirror를 설계한다. M1, M2는 동일한 트랜지스터이며 Gate와 Source 단자를 공유한다. Data sheet에서 Vth = 2.1 V, VGS = 2.41 V를 구하고, R1 = 759Ω으로 계산된다. M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건은 VDS ≥ 0.31 V이며, RL의 최대값은 969Ω이다. PSPICE 시뮬레이션 결과 IREF = 10.09 mA, IO = 1...2025.11.13
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기초전자회로실험 (전체리포트)2025.01.181. 전자회로 기본 실험 이번 실험에서는 전자회로의 기본적인 계측기 사용법과 직병렬 회로, 다이오드 회로 설계 및 기판 납땜 실습을 진행했습니다. 저항, 멀티미터, 파워서플라이, 브레드보드 등의 기본 소자와 회로 구성 방법을 익혔고, 전압 분배 법칙, 전류 분배 법칙, KVL, KCL 등 전자회로의 기본 이론을 학습했습니다. 또한 다이오드의 특성과 정류 회로에 대해서도 실험을 진행했습니다. 2. 트랜지스터 특성 실험 2주차에는 트랜지스터의 종류와 리드선 확인, 트랜지스터 회로 구성 및 전압/전류 측정 실험을 진행했습니다. 트랜지스터...2025.01.18
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.211. BJT 구동 회로 설계 BJT를 이용하여 LED 구동 회로를 설계하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter에 연결된 경우에 대해 각각 IB, IE, IC, VB, VC, R1, R2를 계산하고 총 소비전력을 구하였습니다. 또한 구동 신호 VIN이 5V(High)일 때와 0V(Low)일 때의 동작을 분석하였습니다. 2. MOSFET 구동 회로 설계 MOSFET을 이용한 LED 구동 회로를 설계하였습니다. MOSFET의 datasheet를 참고하여 적절한 RD(ON)을 선정하고, MOSFET의 Triode ...2025.01.21
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디지털집적회로설계 실습 2주차 보고서2025.11.131. NMOS 레이아웃 설계 Magic layout 도구를 사용하여 NMOS 트랜지스터를 설계한다. n-diffusion(초록색)을 21x8 크기로 생성하고, ndc(하늘색) 8x8을 양 끝에 배치한다. 빨간색 poly silicon을 중앙에 배치하여 위아래로 4칸이 나오도록 구성한다. DRC(Design Rule Check)를 통해 설계 규칙 준수 여부를 확인한다. 2. PMOS 레이아웃 설계 PMOS 트랜지스터는 p-diffusion(주황색)을 21x8 크기로 배치하고, pdc(파란색) 8x8을 양쪽 끝에 배치한다. Poly를 ...2025.11.13
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