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전자회로실험 A+ 6주차 결과보고서(BJT Operations-Large/Small signal Operation)2025.05.101. BJT 회로의 Large/Small signal 분석 이 실험에서는 BJT 회로의 Large signal과 Small signal 분석 방법을 익히고, 실험을 통해 BJT의 VCE-IC 특성곡선을 측정하고 Small-signal 모델 파라미터를 계산하였다. 또한 Small-signal 이득을 측정하고 이론값과 비교하였다. 실험 결과, BJT 회로에서 Early 효과로 인해 VCE가 증가함에 따라 IC가 조금씩 증가하는 것을 확인하였다. 또한 Small-signal 모델에서 계산한 이득과 실험으로 측정한 이득을 비교하여 바이어스...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
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중앙대 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 예비보고서2025.05.051. 구동회로 측정 함수발생기는 예를 들어 5 Vpp square pulse를 선택하면, 부하가 50 Ω일 때 평균이 0 V이고 +2.5 V, -2.5 V의 펄스를 생성한다. 설계한 구동회로에 1Hz, 5 Vdc square pulse (50%)를 인가하려면 함수발생기의 전압(Vpp), OFFSET을 어떻게 조정해야 하는가? 제시문에 따르면 함수발생기는 전면 출력에 5 Vpp square pulse를 선택한 경우 그 절반을 각각 양수 및 음수의 진폭으로 가지는 펄스를 생성한다. 함수발생기의 실제 출력은 전면의 화면에 표시된 Vpp ...2025.05.05
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. FET 전류원 FET 전류원 실험에서 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐르는 특성을 확인했다. 표 13-1의 측정값에서 20Ω부터 3.6kΩ까지의 다양한 부하저항에서 전류값이 안정적으로 유지되었으며, 이는 ID=IDSS 식으로 표현된다. 완전히 이상적인 전류원은 아니지만 필요한 전류량을 공급할 수 있는 실용적인 전류원으로 간주할 수 있다. 2. BJT 전류원 BJT 전류원은 부하저항에 관계없이 약 1mA의 일정한 전류를 유지한다. 이는 BJT가 정상 동작하기 위해 일정한 베이스-에미터 전압이 필요하기 때문...2025.11.16
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BJT와 MOSFET을 사용한 LED 구동 스위치 회로 설계2025.11.121. BJT 스위치 회로 설계 2N3904 BJT를 사용하여 TTL 레벨(5V)의 구동신호로 LED를 제어하는 회로를 설계한다. BJT가 포화영역에서 동작하도록 VCE(sat)=0.2V, VBE(sat)=0.85V, βforced=10으로 설정하여 20mA의 LED 구동전류를 확보한다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter 출력에 연결된 경우 두 가지 구성을 비교 분석하며, 각 경우의 저항값 계산 및 소비전력을 측정한다. 2. MOSFET 스위치 회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 입력저항 100kΩ에서 ...2025.11.12
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쌍극성 접합 트렌지스터(BJT) 특성 실험2025.11.161. 쌍극성 접합 트렌지스터(BJT) 구조 및 단자 BJT는 베이스, 컬렉터, 에미터 세 개의 단자를 가진 반도체 소자입니다. 실험에서 저항 측정을 통해 베이스 단자를 구분하였으며, DMM 측정값이 개방으로 나타나 NPN 트렌지스터임을 확인했습니다. 트렌지스터의 재료는 실리콘이며, 양음 순서의 저항 측정으로 단자 배치를 파악할 수 있습니다. 2. BJT의 베타값(β) 특성 및 VCE의 영향 VCE가 증가하면 컬렉터와 베이스 사이의 전위차가 증가하여 pn 접합 영역의 유효 길이가 줄어들고, 이로 인해 전하 수가 감소하여 전류 증폭 효...2025.11.16
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.111. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하려 한다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하기 위해서는 적절한 저항 값 R1, R2, RC를 설정해야 한다. 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R1, R2, RC를 구한다. LED가 ON될 때 회로의 총 소비전력도 계산한다. 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R3를 구하고, ...2025.01.11
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기초전자실험_9장_BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스_결과레포트2025.04.301. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로는 하나의 전원을 사용하여 바이어스 전압을 얻고 전류를 공급하는 회로입니다. 동작점의 전류와 전압 값들이 전원 전압과 부하 저항에 직접적인 영향을 받아 안정도가 좋지 않습니다. 안정성을 높이기 위해 부하 저항 값을 줄이게 되는데, 이 경우 전압 이득이 감소하게 되어 주로 스위치 회로에 사용됩니다. 2. 전압분배기 바이어스 회로 전압분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 전원 전압을 분배하는 바이어스 회로입니다. 비교적 구조가 복잡하지만 전압 이득 때문에 증폭기에 가장 폭넓게 사용되는 회로...2025.04.30
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