총 288개
-
기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
-
이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
-
전자공학실험 7장 이미터 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였고, 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로의 동작 특성 실험회로 1에서 주어진 바이어스 조건은 능동 영역으로 동작함을 알...2025.01.15
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
-
microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
-
전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
-
실험 05_BJT 바이어스 회로 결과보고서2025.04.281. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 보고 1. 실험회로 1에서 V_BB 값이 4V, R_BB 저항값이 2kΩ, R_C는 v_o의 DC 값이 8V가 되도록 하는 저항값으로 둔다...2025.04.28
-
전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소오스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구성하고, 실험회로 2에서는 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구성하였습니다. 각 회로에서 MOSFET의 동작 영역을 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 실제 전압 이득을 측정하고, 부하 저항 RL을 변경하여 그 영향을 확인하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는...2025.01.15
-
실험 20_차동 증폭기 기초 실험 결과 보고서2025.04.281. 차동 증폭 회로 차동 증폭 회로(differential amplifier)는 출력이 단일한 단일 증폭 회로(single-ended amplifier)에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스(bypass) 및 커플링(coupling) 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀더 용이하여 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET 차동 증폭 회로 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기...2025.04.28
-
전자회로실험 A+ 14주차 결과보고서(Current Mirror)2025.05.101. NMOS Current Mirror NMOS Current Mirror 회로를 구성하고 입력 전류와 출력 전류를 측정하여 전류 전달 비율을 계산했습니다. 또한 저항을 단락시키면서 노드 D의 전압과 전류를 측정하여 출력 저항을 계산했습니다. 2. Cascode Current Mirror Cascode Current Mirror 회로를 구성하고 입력 전류와 출력 전류를 측정하여 전류 전달 비율을 계산했습니다. 또한 저항을 단락시키면서 노드 D의 전압과 전류 변화를 측정하여 출력 저항을 계산했습니다. 3. Wilson Current...2025.05.10
14 / 29
