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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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표면 개질/표면처리 기술 (Self-assembled monolayer 자기조립막 처리 기술)2025.01.021. Self-assembled monolayer (SAM) Self-assembled monolayer (SAM)은 분자가 표면에 자동으로 배열되어 단일 분자 층을 형성하는 고유한 표면 처리 기술입니다. 이러한 층은 특별한 화합물들이 표면과 상호 작용함으로써 형성되며, 이는 주로 물리적, 화학적인 흡착, 또는 흡착배열로 구성됩니다. 일반적으로 SAM은 기능성인지 화합물로 이루어져 있으며 기능성인지 화합물은 자기 조립 능력을 가지고 있어 표면에 흩어진 상태로 놓여 있을 때 자발적으로 모여서 규칙적인 배열을 형성합니다. 이 자기 조립...2025.01.02
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Synthesis and structure of perovskite Ceramics2025.05.011. Perovskite Ceramics Perovskite는 ABX3의 구조를 갖는 물질로, 산화칼슘(CaTiO3)에서 처음 발견됐다. perovskite를 구성하는 A와 B는 양이온이고, X는 음이온이다. 일반적으로 X는 산소나 할로젠 원소이며, B은 배위수가 6인 금속이온이다. 원자의 크기는 A가 B보다 크며, 일반적인 입방 구조는 cuboctahedral 환경의 음이온과 A 양이온이 12배위, B 양이온이 6배위로 결합하고 있는 형태이다. 하지만 물질이 존재하는 환경이나, 두 양이온의 상대적인 크기에 따라서 unit cell...2025.05.01
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단국대 고분자공학 실험 및 설계1 ps-p2vp Orientation 및 Reconstruction & etching 레포트 [A+]2025.01.231. BCP Phase diagram BCP는 화학적으로 서로 다른 두 개 이상의 고분자 사슬이 공유 결합으로 연결된 구조로 이루어져 있다. 이는 sphere, cylinder, gyroid, and lamellae 등 다양한 형태 및 크기로 자기조립이 가능하며, 각 block의 부피 비율(f), 분자량(N), 플로리-허긴스 상호작용 파라미터(χ) 등의 조건에 영향을 받는다. 2. Solvent-Vapor Annealing Solvent-Vapor Annealing은 BCP 필름의 나노 구조 및 배향을 부여하기 위한 간단하고 효과적...2025.01.23
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 결과보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.04.291. Common Emitter Amplifier 본 실험에서는 Common emitter amplifer의 주파수 특성을 측정하였다. 첫 번째 실험에서는 설계실습 06에서 2차 설계를 완료한 common emitter amplifer를 구현하고, Bias를 측정하였다. Bias가 PSPICE의 결과와 오차율 1% 정도의 정확한 값을 보였지만, 는 13.3%의 큰 오차율을 보였고, 이는 [㎂]라는 매우 작은 단위 때문이라 생각하였다. 는 에 의존하므로 동일하게 큰 오차율을 보였다. max min는 2차 설계를 통해 을 연결하여 95...2025.04.29
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비금속 질화물 h-BN, g-C3N4, Si3N4, SiON, P3N5의 합성 및 특성 분석2025.01.021. hexagonal boron nitride (h-BN) h-BN은 고온, 고압에서 borazine, boron oxide, boric acid 등의 precursor를 사용하여 합성할 수 있다. 합성된 h-BN은 graphite와 유사한 층상 구조를 가지며, XRD, SSNMR 등의 분석을 통해 결정성과 구조를 확인할 수 있다. 2. graphitic carbon nitride (g-C3N4) g-C3N4는 cyanamide, 2-cyanoguanidine, melamine 등의 precursor를 열처리하여 합성할 수 있다....2025.01.02
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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08
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인하대 VLSI 설계 2주차 CMOS Process flow diagram 등 이론 수업 과제2025.05.031. CMOS Process flow diagram CMOS Process flow diagram을 다시 그려보고 설명하였습니다. CMOS 공정 흐름도를 통해 실리콘 칩 제조 과정을 자세히 살펴보았습니다. 모래에서 실리콘을 추출하고 잉곳을 만들어 웨이퍼를 제작하는 과정부터 포토리소그래피, 이온 주입, 에칭, 게이트 형성, 금속 증착 등 복잡한 공정 단계를 거쳐 최종적으로 완성된 프로세서를 만드는 과정을 이해할 수 있었습니다. 2. Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관 Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관을 방문하여 실리콘 칩...2025.05.03
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Metallization (반도체)2025.05.081. Contacts Contacts는 반도체 내부로 전기 신호가 들어가고 나오게 하는 역할을 합니다. Schottky 접합과 ohmic 접합이 있으며, Schottky 접합은 p-n 접합과 유사하고 ohmic 접합은 V=IR 관계를 따릅니다. 2. Interconnects Interconnects는 칩 내의 다양한 소자와 구성 요소를 연결하는 역할을 합니다. 박막 증착 기술로는 물리적 기상 증착(증발), 스퍼터링, 화학 기상 증착 등이 있습니다. 3. Physical Vapor Deposition (PVD) PVD는 진공 환경에서...2025.05.08
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Nanofabrication by Polymer Self-Assembly2025.01.241. Block Copolymers (BCPs) BCPs는 화학적으로 구별되는 단량체 단위가 중합체 사슬을 따라 개별 블록으로 그룹화되는 copolymer의 특정한 종류이다. 대량의 BCPs는 고분자 사슬을 결합하여 molecular scale(5-100nm)로 미세상 분리되어 복잡한 나노구조를 생성한다. 이번 실험에서는 BCPs로 Poly(styrene)-block-poly(4-vinylpyridine) (PS-b-P4VP)를 사용하였다. 2. Micelle/Inverse Micelle Micelle은 hydrophilic한 부분...2025.01.24