DLP 프로젝터생산기술연구원 연수생 5기 진승현개요DLP란DLP구조동작원리발전과정장단점DLP란?Digital Light Processing 이미지 투사 기술 TI(Texas Instruments)DLP 구조http://www.sorishop.comDLP board디지털처리비디오 프로세서DVD인코더메모리스케일러DMDDMD 구조빛을 조절하는 스위치 1인치 내외의 반도체 48~190만 마이크로 미러 16마이크론 미러(0.1hair)http://www.clickrgb.com/pds_file/189486.pdfDMD 동작원리http://www.hpprojector.co.kr/Product/DLP-LCD.docDMD 동작원리ONOFF10μs 동작 10ms 색 재현 1500 그레이계단 62ms 인간 인식http://www.hpprojector.co.kr/Product/DLP-LCD.docDMD 동작원리DMD 동작원리http://www.hpprojector.co.kr/Product/DLP-LCD.docColor 구현http://www.hpprojector.co.kr/Product/DLP-LCD.doc1 DMD 시스템http://www.dlp.com/dlp_technology/images/downloads/1_chip.zip$3500~$15,000, 360rps3 DMD 시스템http://www.dlp.com/dlp_technology/images/downloads/3_chip.zip$30,000DLP 영상http://www.dlp.com/dlp_technology/dlp_technology_overview.aspDMD 발전1976년 아이디어 1977년 이론화 1987년 TI의 Larry Hornbech이 개발 1992년 프로젝터 개발 1996년 시제품(DMD) 개발 1999년 시제품(프로젝터) 개발DMD칩의 종류200?년±12도13.68μm1920*1080리얼 HD 패널2002년±12도13.68μm1280*720S-XGA (DDR Component)2002년±12도13.68μm1280*1024HD2(720P) (DDR Component)2001년±12도13.68μm800*6000.55 SVGA (DDR Component)2001년±12도13.68μm1024*7680.7 XGA (DDR Component)2001년±10도13.8μm1280*10240.9 S-XGA2001년±10도17μ848*4800.7 SVGA2001년±10도13.8μm1280*720HD1(720P)2000년±10도13.8μm1280*720HD1(720P/rear)2000년±10도13.8μm1024*7680.7 XGA1999년±10도17μm1280*10241.1 S-XGA1998년±10도17μm1024*7680.9 XGA1996년±10도17μm800*6000.7 S-VGA개발시기미세거울 각도픽셀 피치해상도종 류http://www.sorishop.comDLP 장단점http://blog.naver.com/yoggol/100006215682SXGA(1280x1024)UXGA(1600x1200)해상도칼라유니포머티원색표현력, 밝기,빛효율, 명암비, 눈피로도시야각지자기 영향수명신뢰도소형, 경량화내구성영상반응속도화질가격DLPLCD항목해상도 기준1920 x 1200WUXGA1600 x 1024WSXGA1280 x 768WXGA1400 x 1050SXGA+352 x 288CIF (Common Intermediate Format)176 x 144QCIF ( Quarter Common Intermediate Format)비정규 해상도1600 x 1200UXGA (Ultra Extended Graphics Array)1280 x 1024SXGA (Super Extended Graphics Array)1024 x 768XGA (Extended Graphics Array)800 x 600SVGA (Super Video Graphics Array)640 x 480VGA (Video Graphics Array)320 x 240QVGA (Quarter Video Graphics Array)정규 해상도: http://kmh.yeungnam-c.ac.kr/PcNcMicro/vga/VIDEO.HTMSD, HD720p : 해상도↓, 순차주사(progressive)1080i : 해상도↑, 비월주사(interlaced)720p (1280 x 720) 16:91080i(1920 x 1080) 16:9HD(High Definition) : 고화질480i (640 x 480) 4:3480p (704 x 480) 4:3SD(Standard Definition) : 표준화질: http://kmh.yeungnam-c.ac.kr/PcNcMicro/vga/VIDEO.HTM{nameOfApplication=Show}
I. 예비과제(1) 실험 목적이 무엇인가?-제너 다이오드의 순방향 및 역방향의 전압-전류 특성을 측정에 의하여 구하고 제너 다이오드의 응용회로 중 전압 조정기에 대해 실험하는 것입니다.(2)제너 다이오드의 원리는 무엇인가?-일반적인 다이오드는 항복영역(breakdown region)에서 파괴되기 때문에 이 영역에서는 사용할 수가 없다. 그래서 이 영역(breakdown region)에서도 잘 사용할 수 있게 만든 다이오드가 제너다이오드이다. 역방향으로 전압을 가했을 경우에 어떤 전압에서 안정하는 성질을 가졌는데 이 성질을 이용하여 일정한 전압을 얻기 위해 사용된다.(3) 애벌런치 항복과 제너 항복을 비교 설명하라.다이오드가 역방향으로 바이어스 될 때 소수 캐리어는 항복점 아래에서 아주 작은 역방향 전류를 발생시킨다. 역방향 전압이 항복전압을 초과하면 소수 캐리어는 그들의 정상적인 궤도로부터 가전자를 밀어내기를 충분한 에너지를 갖게된다. 이렇게 자유로워진 가전자들은 이제 자유전자가 되고 마치 바위나 눈이 흘러내리는 것처럼 다른 가전자들을 밀어낸다. 이러한 과정이 급속히 되풀이되어 전계 방향으로 움직이는 전자가 등비급수 적으로 증대하고 결과적으로 자유전자의 사태 현상은 큰 역방향 전류를 발생시킨다.다이오드는 제너 효과라는 또 다른 방식에 의해서도 항복된다. 역방향으로 바이어스 된 다이오드의 접합 양단에 걸리는 전장은 강하게 도핑 된 다이오드에서 아주 강해진다. 만약 전장이 충분히 강하다면(약 300.000[V/cm]) 가전자들을 그들의 궤도에서 끌어내게 된다. 이것이 큰 역방향 전류를 발생시킨다. 제너 효과는 가전자를 밀어내는 강한 전장의 발산, 고전계 방출(High Field Emission)이라고 부르기도 한다.전자사태 모형(4) 제너 다이오드의 동작 조건을 설명하라.(부하저항과 입력전압이 고정된 경우에 대하여)제너다이오드의 "on"상태제너 다이오드를 정상으로 동작시키기 위해서는 역방향으로 바이어스를 걸어주어야 하며 항복현상을 발생시키기 위해서 전원 전압 Vi 은 제너 다이오드 항복전압 Vz 보다 크지 않으면 안된다.(5) 실험회로를 관찰하면서 실험 방법을 요약하라.1. 그림 20-2의 회로를 구성한다.2. 위에서 주어진 전압값에 따른 전류량을 측정한다.3. 전압값에 따른 전류값은 나눈 부하를 측정한다.4. 그림 20-2의 다이오드 방향을 바꾸어 위의 2.3.의 과정을 반복한다.4. 그림 20-3의 회로를 구성한다.5. Iz가 10mA일때의 전압 Vaa를 측정하고 이 전압에서의 Vab와 It를 측정한다.6. 측정된 Vab값에 1.02배 값을 주었을 때의 Iz와 It와 Vaa를 측정한다.7. 측정된 Vab값에 0.98배 값을 주었을 때의 Iz와 It와 Vaa를 측정한다.II. 실험결과(1) 표20-2 제너 다이오드의 역방향 특성Vab(V)I(mA)Rz(Ω)Vab(V)I(mA)Rz(Ω)Vab(V)I(mA)Rz(Ω)0001000200.8*************.1418.42001200221.4315.33001300231.7313.24001400242.0411.75001500252.3110.86001600262.6810.0700170.2085.0272.919.2800180.2669.2283.198.7900190.5534.5293.498.3(2) 표 20-3. 제너 다이오드의 순방향 특성Vab (V)00.10.20.30.40.50.60.70.80.91.01.1I (mA)0.00090.00340.00710.00940.120.130.150.190.210.240.260.28Rz (Ω)033.028.533.33.33.84.03.63.83.73.83.9(3) 특성 곡선V29251701224mA(4) 표 20-4. 전압 조정 회로 측정값전 압Vab (V)Iz(mA)IT(mA)Vaa(v)VL(v)Vab (V)17.8010.32310.3I (mA)18.58.814.4525.25.65Rz (Ω)17.4405.2419.95.24III. 과 제(1) 실험에서 얻어진 다이오드의 제너 전압을 결정하라.17V에서 급격히 전압강하가 일어나는 것을 발견할 수 있었습니다.(2) 터널링 효과에 대하여 설명하고 터널 다이오드의 특징을 열거하라.·터널링 효과란..pn 다이오드에서 불순물 반도체 결정원자 108개당 1개이다. 이 때의 공간전하영역의 폭은 5[μm]인데 불순물 농도를 104개당 1개로 크게 하면 이때의 공간전하영역의 폭 -> 0.01[μm]로 줄어든다. 이때 pn 소자의 성격이 완전히 바뀌면서 작은 에너지를 가진 전자도 공핍층을 뚫고 나오는 현상
![[디스플레이]dlp 프로젝터](https://image4.happycampus.com/Production/thumbnail/2005/07/08/data3607307-0001.jpg)
