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Wireless LAN 운용 및 설계에 관한 보고서 평가B괜찮아요

1. 제목- Wireless LAN 운용 및 설계에 관한 보고서2. 목적- Wireless LAN(무선랜)의 운용 방식에 관한 실험을 통해 Wireless LAN 정의,기술방식,데이타 전송방식, 무선랜 시스템의 구성방식과 특징들을 알아본다.이번 실험은 Wireless LAN(무선랜)의 특징들과 장단점들을 알아봄으로써 Wireless LAN(무선랜)의 앞으로의 전망과 발생가능한 여러 문제점들을 고찰하고 수정 가능한 방법들을 제시 할 수 있어야겠다.3. 실험절차① 두 개의 접근점(Access Point)과 이동 관찰을 위해 노트북(Station 역할) 준비② 접근점(Access Point)는 서로 수신 레벨 범위 내에 인접하도록 설치③ 한 개의 접근점(Access Point)과 노트북을 연결시킨후 일정거리를 두고이동하면서 관찰되어지는 데이터의 송수신 상태를 관찰한다.4. 실험결과Ⅰ. 서론Wireless LAN(무선랜) 이란?－ Wireless LAN(무선랜)은 단어의 의미 그대로 기존의 유선이 아닌 무선 매체를 데이터 전달의 매개체로 이용하여 기존의 LAN이 제공하는 서비스를 제공 할수 있는 기술－ 라디오 주파수(RF) 기술을 사용하여 최소한의 회선연결만으로 무선으로 데이터를 주고 받을수 있게 되었으며, 유선랜의 대체기능보다는 기간망과 이동사용자간의 수십미터 이내의 종단연결점을 제공하는 개념으로 구성되어있다.Ⅱ. 본론－ 특성1> MOBILITY - 때와 장소에 구애를 덜받고 E-MAIL, Print, other Network Service를 받을수 있다.2> 배선으로 부터의 해방 - 유선에 비해 배선을 위한 여러 요소들인 닥트, 공간, 접속 단자함 등이 불필요하며 배선시 어려움을 해결3> 단말기 설치의 자유도 향상 - 사무실 Layout 변경용이하며 어디에나 설치가능4> 신속한 LAN의 구축이 가능－ 기술방식1> 협대역 마이크로웨이브 방식- 스펙트럼상에서 라디오파와 적외선의 중간에 위치하며, 이더넷(Ethernet)의 데이터 전송률 10Mbps 정도의 성능을 지니는 LAN을 구현할수 있다. 대부분의 경우 마이크로웨이브는 전자기적 스펙트럼에서 높은 주파수를사용하므로 직진성 기반의 기술이나 마이크로 웨이브 주파수 대역을 사용 하는 전자기적 장비가 없어서 간섭이 없다는 장점이 있다.2> 적외선 방식- 장애물을 만나면 신호가 완전히 약해져 버리는 직진성을 가지며, 주파수가 낮은 전파보다 더 잘 반사되는 성질 보유- 장점 : 전자기적 간섭에 강하며, 반사특성으로 말미암아 적외선이 딱딱한 표면에 반사 될수 있는 개방된 사무실 환경에서는 통신망 상의 모든 스테이션에 신호가 쉽게 도달할수 있다.- 전송매체 1> 레이저를 사용한 신호의 전송- 적외선을 매우 밀집된 빔으로 전송하며 변조가 용이하다.- 보통 10 Mile까지 도달 가능하므로 실외에서의 응용에 용이2> LED를 사용한 신호의 전송- 실외에서의 응용에 적합- 레이저보다 강도가 약하지만, 시스템 구현이 쉽고 경제적- 전자기 간섭이 적고, 인자가 필요업으며 속도가 빠르다.- 그러나 신호가 물체를 통과할수 없다.3> 확산대역방식- 전송하고자 하는 정보를 필요한 대역폭에 비해 훨씬 넓은 대역폭으로 신호를 송신하고, 수신 측에서는 원래의 정보대역폭으로 수신된 신호를 복원하는 방식- 장거리 데이터 통신에 관련된 다중경로 문제 해결키 위해 제안- 강력한 비화성과 간섭, 방해에 강하므로 군용으로 널리 이용되어오다 1960 년대 이후에는 비동기로 다중 접속이 가능하다는 점에서 위성간 통신 방식이나 무선 LAN 및 이동 통신에 사용되고 있다.특징 : - 사용자를 적절히 할당하여 스펙트럼 공유 통해 다중접속 가능.- 원래의 정보대역폭에 비해 넓은 대역폭을 사용.- 신호 은닉이 가능하여 보안성을 높여준다.- 고의적인 전파간섭에 강하다.- 다중 경로 효과로 인하여 지연된 신호에 대한 자체 방어가능.분류 - 직접 시퀀스 확산 대역(Direct Sequence Spread Spectrum, DSSS): 데이터 대역폭보다 훨씬 넓은 대역폭으로 원래의 신호를 변조하여 확산: DSSS방식의 원리를 설명하기 위해 단말 A에서 B로 주파수 fc를이용하여 통신하는 경우를 예로써 설명하면 다음과 같다.1> PC A에서 디지털 신호(데이터)는 변조기에서 변조되어 주파수 fc의 스펙트럼에 실린다.2> 확산기는 이 fc의 스펙트럼을 다른 단말에서 데이터 신호와 구별 할수 있도록 통신상대와 같은 PN부호(Pseudo Noise Code, 의사잡음부호)를 더하여 주파수 축 상에서 횡으로 넓힌다.3> 스펙트럼이 확산되고 무선통신 이루어 진다.4> 역환산기에 의해 PN부호를 사용하여 처음으로 되돌아간다.5> 필터를 통하여 필요한 전파만을 남긴다.6> 남겨진 전파를 복조기를 통해 처음의 디지털신호(PC A에서의데이터) 로 되돌아가 그 데이터를 PC B로 넘긴다.- 주파수 도약 확산대역 (Frequency Hopping Spread Spectrum, FHSS): DSSS 방식과 같은 스펙트럼 확산 방식의 하나로, 주파수를 고정치 않고 기간과 함께 변화시켜 송신하는 방식.. FHSS 방식에서 데이터는 프로그램된 순서나 랜덤한 시퀀스에 의해서 한 주파수에서 다른 주파수로 이동하며, 수신단에서는 주파수가 이동 하는 상황을 파악하고 있어야 한다..전송하고 싶은 정보를 필요한 최저 한도의 대역폭보다 더 확실하게 넓은 주파수 대역폭을 사용하여 정보를 전송.확산대역의 기본구조그림① 송신 측에서는 PSK(Phase Shift Keying : 위상변조)와 FSK(Frequency Shift Keying : 주파수변조)라고 하는 일반적인 변조방식을 사용하여 일차변조 수행② 일차 변조파의 대역폭을 넓히기 위해서 2차 변조 수행. 즉 확산변조라고 함③ 수신측에서는 확산 변조된 신호를 원래대로 받기위해서 이차복조(=역환산)수행④ 이차 복조된 신호는 마지막으로 통상적인 복조인 일차복조 수행※ 용어설명- PSK 방식 (Phase Shift Keying, 위상편이변조)위상편이 변조 방식에는 BPSK(B는 Binary로, 2위상의미)나 QPSK( Q는 Quadrature로, 4위상의미)가 사용되며, 즉 2종류 또는 4종류의 위상이 다른 파로 변조된다. 이해를 돕기 위해, 전송방식이 같은 경우 BPSK를 QPSK로 하면, 전송속도는 1Mbps에서 2Mbps로 단순히 2배가 됨을 알 수 있다. 이때 주의 할 것은 전파의 종류를 많이 하고, 한번에 보낼 수 있는 정보량을 매우 많이 하면 전파의 위상차가 작아져서 수신측이 판별하기 어려우므로 수신능력의 향상이나 송신출력 증가등의 대책마련을 통해 서비스 영역을 동시에 확보할 필요가 있겠다.- FSK 방식Wireless LAN에서 사용되는 FSK 변조방식에는 2GFSK(Gaussian FSK)나 4GFSK가 있다.여기서 2FSK- 주파수가 다른 두종류의 전파로 0과 1을 표현4FSK - 주파수가 다른 4종류의 전파로 00,01,10,11을 표현, 따라서 한번에 2bit의 정보량을 보유- Wireless LAN(무선랜)의 시스템의 구성1> Independent 방식(독립방식)- 무선 LAN의 기본단위로서, 각 PC와 대등한 관계에서 상호 통신할 수 있는 대등 통신 방식(이때 접근점인 Access Point는 존재치 않는다.)- BSS(Basic Service Set) : 하나의 통신 가능 영역으로 서비스 영역 혹은 셀이라고 한다.- Ad-hoc 네트워크 : 특별 네트워크라고 하며 BSS(서비스영역)로 구성되는 네트워크를 말한다.- 특징 ① 독립방식이므로 하나의 BSS로 구성되는 네트워크 형태② 통신가능 구역은 제한 되지 않으나 20m ∼ 100m정도이다.③ 소규모 사용자가 낮은 가격의 무선 LAN시스템 구축시 적합한 방식2> Infrastructure(기반구조) 방식- 기반구조는 접속점(Access Point)과 분배시스템을 가리키는 말로써- 구성방식 : 하나의 BSS(서비스 영역)는 접속점(AP)과 PC(Station이라함)로 구성되어, 분배시스템(Distribution System)으로 접속점을 접속 하여 복수의 BSS를 서로 접속 할 수 있어야한다.- ESS(Extend Service Set) : BSS마다 접속점(AP)을 갖는 분산시스템은 BSS를 복수 상호 접속하기 때문에 BSS에 대해 ESS(Extend Service Set)이라 한다.- 작동원리 : PC(Station이라함) 자신이 현재의 접속점 AP-A에서 수신레벨이 한정값 이하가 되었을 때 주위의 접근점을 탐색한다. 그결과 인근의 접속점 AP-A와 통신을 시작하여 업무를 인계할수 있도록한다. 또한, 접근 점 끼리를 접속하여 시스템을 확장 할 수 있다.- Wireless LAN 프로토콜 요구사항① 하나의 MAC층 프로토콜 만으로 다중의 물리층 지원 가능해야한다.② 동일 영역에서 다수의 네트워크 중복이 가능해야 한다.③ 유선 LAN과의 정합성을 도모하기 위해 IEEE 802.3에서 표준화된 CSMA/CD (Carrier Sense Multiple With Collision Detection, 반송파 감지 다중접근/충돌 장치)와 유사한 프로토콜을 사양으로 할 필요가 있다.④ CSMA/CA의 원리1> 단말 A는, 다른 pc가 데이터 송신중인지 여부의 반송감 감지를 한다.2> 다른 단말이 송신중인 것을 알면 대기3> 송신 시작까지의 시간으로, 랜덤한 시간이 할당4> 재반송과 감지를 하여 다른 반송파가 없는지 확인5> 데이터(패킷) 송신 시작※ Check Point- DT와 LAP의 상호작용(대화)방법1단계 - PPP/RFCOMM/L2CAP 서비스를 지원하고 있는 Radio Range 내의 LAP를 찾는다.2단계 - Baseband가 존재치 않는다면, DT는 선택된 LAP와 함께 Baseband의 물리적 연결을 요구한다.3단계 - 다음으로 DT는 PPP/ RFCOMM/ L2CAP 연결을 수행한다.4단계 - 선택적으로 LAP는 자신에게 맞는 몇몇의 인증장치를 사용한다.예를 들어 DT사용자가 LAP에 접근할 경우 실제 사용자를 확인키 위해 사용자 명과 암호를 묻게 되는데 이때 인증이 올바르지 않다면 PPP정보는 끊어지게 된다.

공학/기술| 2000.10.12| 8페이지| 1,000원| 조회(686)

무선통신, LAN, 무선랜

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Semiconductor Diodes

전자회로 요약1. Semiconductor Diodes☞ 정의 : 가장 간단한 반도체 장치로 절연체와 전도체의 중간적 성질을 보유. 즉 어떤때에는 절연체 또 어떤때에는 전도체의 경우의 Diode를 말하는데 반도체의 성질을 변화시키는 것은 외부에서 가해지는 에너지에 따라 반도체의 성질이 바뀌는 것을 알수있겠다.☞ 일반적으로 전류가 한방향으로만 흐르기 때문에 반도체 다이오드는 Short와 Open의 Switch 기능을 수행한다.또한 이상적인 다이오드의 특성은 한쪽방향으로만 전류를 전도하는 스위치와 같다.☞ Ideal Diode 표기법전류가 흐르는 경우 (즉 ID가 많이 흐른다) : Short Circuit전류가 흐르지 않는경우 (즉 ID가 많이 흐른다):Short Circuit2. Semiconductor 재료☞ Conductor (도체) - 한정된 크기의 전압원이 단자 사이에 인가 될 때 전하의 흐름이 쉽게 허용되는 물체에 적용된다.☞ Semiconductor (반도체) - 절연체와 도체의 양극단 사이의 어느전도도값을 갖는 물체이다.☞ Insulator (절연체) - 인가전압원이 가해질 때 매우 낮은 값의 전도도를 나타내는 물체이다.3. Atom(원자)의 세가지 기본 부분☞ Electron(전자) - 음전하를 가진 전자☞ Neutron(중성자) - 질량을 가지지만 전하는 가지고 있지 않은 형태☞ Proton(양성자) - 양전하를 가진 형태☞ Nucleus(원자핵) - 원자핵은 단지 양전하로만 뭉쳐있는 것이 아니고, +e〔C〕의 양전하를 가진 양성자와, 이것과 같은 질량을 가지지만 전하는 가지고 있지 않은 중성자가 강한 핵력으로 결합된 구조로되어있다.4. Bohr Model (보아의 모델)ShellNucleusOrbitingElectronValence Electron (4 for each)(a).Ge (b).Si☞ 원자구조 (a).Ge (b).Si☞ Covalent bonding : A bonding of atoms (원자의 기본 결합)즉 전자들을 서로 분배하여 이루어진 결합형식을 공유결합이라고 한다.☞ 진성(Intrinsic) 재료 : 불순물이 대단히 낮은 레벨이 되도록 주의 깊게 정제된, 즉 현대기술을 이용하여 가장 순수하게 만들어지 반도체이다.☞ Extrinsic material : 순수 다이오드에 불순물을 첨가시킨 반도체이다.5. 에너지 준위☞ Electron Material의 종류① Condustor : Energy가 가장 적어야 자유전자 가능② Semiconductor : Energy가 중간정도이어야 자유전자 가능③ Insulator : Energy가 가장 많이 있어야 자유전자로 만듦♣ Insulator (Energy Gap이 가장 크다.)Conduction Band (절연)← Energy gap(Eg > 5 eV)Valence Band (비절연)♣ Semiconductor (Energy Gap이 적다)Conduction Band (절연)← Energy gapValence Band (비절연)Eg = 1.1 eV (Si)Eg = 0.67 eV (Si)♣ Conductor (Energy Gap이 중복되므로 외부에너지를 주지 않아도 된다.)Conduction Band (절연)중복Valence Band (비절연)6. Doping(도핑) - 순수한 Semiconductor에 불순물을 첨가시키는 과정☞ P-type : Hole or Acceptor - Trivalent Impurity(3가의 불순물)을 첨가 시켜 만듦.SiSi Si SiSi☞ Trivalent의 종류 - Born, Gallium, Indium등☞ P-type에서는 대부분이 Hole로 되어있고 그속에 Electron이 조금존재한다.☞ hole(정공) - 공유결합에 필요한 전자들 중에서 하나의 전자가 부족한 상태 즉 전자가 비어있는 상태를 정공이라한다.☞ N-type : Donor or Electron - Pentavalent Impurity(5가의 불순물)을 첨가 시켜 만듦.SiSi Si SiSi☞ Pentavalent의 종류 - Antimony, Arsenic, Phodphorus 등☞ N-type - 순수한 반도체가 Donor System으로 Doped 되었다.즉 N-type에서는 Electron이 가장 많고 Hole이 적게 존재한다.7. PN JunctionP-typeN-type☞ 설명) P-type은 Hole 혹은 Acceptor라고 하며 주로 +성질이 많고N-type은 Donor 혹은 Electron이라 하며 주로 -성질이 많다.따라서 P-type은 N-type으로 가려는 성질이 있고 N-type은P-type으로 가려는 성질이 있다.결합시에는 Barrier Potential(잠제적인 경계역할) 혹은 Depletion Region이라 불리는 경계부분에서 결합이 이루어진다.☞ ←Barrier Potential→☞ Barrier Potential보다 더 큰 Energy가 가해지면 더 큰양의 결합이 이루어 지게 되고 Barrier Potential는 더 넓어지게 된다.8. Forward Bias( VD>0)←Barrier Potential→♣ 순방향 바이어스 조건은 P형재료에 양전위를, 그리고 N형 재료에는음전위를 인가시키게 된다.

공학/기술| 2000.10.12| 6페이지| 1,000원| 조회(744)

반도체, 다이오드, 원자모델

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PHOTOSHOP 단축키 1

**** PHOTOSHOP 단축키 *******# SELECT #1. ALL - 모두선택 : ctrl+A2. Deselect - 선택해제 : ctrl+D3. Reselect - 재선택 : shift+ctrl+D4. Inverse - 선택 영역을 반전 : shift+ctrl+I5. Color Range - 이미지의 공통색상 영역을 한꺼번에 선택* select :선택* Fuzziness : 허용량* 미리보기창* select/image* selection preview : 선택물 미리보기* invert : 반전6. Feather - 선택윤곽을 기준으로 부드럽게 처리하여선택부분의 이미지를 이동하거나 복사할 때 배경과자연스럽게 어울리도록 처리 : Alt+Ctrl+D7. Modify - 선택 영역의 크기나 모양을 수정* Boader - 테두리* smooth - 매끄럽게( 선택된 각진부분을 매끄럽게 처리 )* Expand - 확대 ( 선택용량을 확대)* contract - 축소8. Grow - 선택영역확장9. Similar - 유사 영역선택10. Transform Selection - 선택 영역 변형: 선택영역의 이미지에는 영향을 미치지 않고 선택 윤곽의 모양만변형하는데 사용하는 명령# 이 명령을 shift, ctrl, alt, shift+ctrl, ctrl+alt, shift+alt, shift+alt+ctrl 등으로드래그 하면 다양한 영역으로 변환이 가능11. Load selection - 선택물 불러오기* new selection* Add to selection* subtract from selection* intersect with Selection12. Save selection - 선택물 저장# EDIT #- 이미지에 모양내고 변형하기 -11. Undo Magic Wand - 취소 : ctrl+Z- 바로 전에 실행한 명령을 취소한다.2. Cut - 오리기 : Ctrl+X3. Copy - 복사하기 : Ctrl+C4. Copy Merged - 병합하여 복사하기 : Shift+Ctrl+C- Copy 명령과 기능 및 사용법이 거의 비슷하지만레이어로 선택된 이미지 선택 영역 안에서 눈에 보이는이미지를 모두 복사한다.5. Paste - 붙이기 : Ctrl+V6. Paste Into - 안쪽에 붙이기 : Shift+Ctrl+V7. Clear - 지우기 : Delete8. Fill - 칠하기 : Shift+backspace (칠 대화상자)-전경색으로 채우기는 ALT+Delete ,Alt+backspace9. Stroke - 투명 영역을 포함한 레이어상의 이미지에 대한경계나 선택 영역의 윤곽에 전경색으로 된 외곽선을 칠하는 기능* stroke - 선의 폭 지정* location - 레이어상의 이미지에 대한 경계나 선택영역의 외곽선 위치지정* Blending - 불투명도, 모드, 투명도 유지에 대한 옵션10. Free Transform -자유 변형 ; Ctrl+T투명영역이 포함되어 있는 레이어 및 선택 영역의 이미지와패스를 변형한다. (ctrl,shift,alt를 잉용하여 변형가능)11. Transform - 변형* Again - 반복 : shift+ctrl+T* Scale - 비율* Rotate -회전* Skew - 기울이기* Distort - 왜곡* Perspective - 원근 ......12. Define Pattern - 패턴 정의- 이 명령은 선택영역의 이미지를 패턴으로 만들어 칠(fill)명령이나패턴 도장도구, 페인트 통 도구로 페인팅 할 때 패턴으로 칠할 수 있게 해준다.13. Purge - 제거하기- 메모리에 일시적으로 기억되어 있는 정보를 제거하여 작업 성능을 개선시키는 명령* undo : 취소* clipboard : 클립보드* pattern : 패턴* history : 작업내역 * all : 모두*** 패스 조작에 단축키 사용하기 ***: 기준점 변환도구: 직접 선택 도구: 기준점 삭제 도구: 기준점 추가 도구: 자유 형태 펜 도구: 자석 펜 도구: 펜 도구1. ctrl- 펜 도구를 사용할 때 ctrl키를 누르면 직접 선택 도구로일시적 전환을 할 수 있다.2. shift- 최종 기준 점을 기준으로 수평 수직 방향이나 각 방향에 대해45도 방향에 정확히 기준점을 만들 수 있다.3. alt- 일시적으로 기준점 변환도구로 사용할수 있다.

공학/기술| 2000.10.12| 4페이지| 1,000원| 조회(1,600)

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10대를 통해 본 대중음악 평가A좋아요

**** 10대를 통해 본 대중음악...*****Ⅰ. 서 론문화 ,특히 대중문화에 대한 관심과 지적이 최근처럼 높아진 적은 없지 않았나 싶다. 이른바 '사회 과학의 시대' 가 물러가고 '문화의 시대'가오지 않았나 싶을 정도이다.신문, 잡지, TV프로그램 , 소설, 영화, H.O.T의 음악.. 어느 한 부분 빼놓을 수 없을 정도로 중요한 요소로 자리 매김하고 있는 영역이, 이제 대중문화라는 영역이 된 것이다. 예전과 달리 사회의 변화 흐름은 엄청난 속도로 흘러가고 있다. 따라서 사회 전반에 일어나는 엄청난 파장과 그 영향의 모습들이 속속 드러나기도 한다. 그중 가장 적나라하고 흐름에 민감한 부분이 대중 음악이 아닌가 싶다.70년대 트로트, 80년대 발라드, 90년대 댄스, 2000년에는 힙합과 테크노등이 우리 대중음악의 변화였다. 하지만 이렇듯 빠른 변화에 우리의 대중음악들은 정체성을 상실해 가고 있고 언제부터 인지 이러한 상황의 반복은 익숙할 만큼 계속되어 이제 심각한 위험 수위에 다가와 있는 듯 하다물론 나 스스로도 음악이 어느 장르가 좋다 나쁘다 말할 수는 없다. 또 그래서도 않된다는 생각을 가지고 있다. 하지만 대중음악의 수용에 있어서 큰 비중을 차지하고 있는 주체들이 10대들이고 현재의 대중음악의 흐름이 10대들 중심의 문화 산물의 생산체계를 가지고 있다는 점에서 지금의 대중음악에 대한 재 점검이 필요하다는 생각이 든다.Ⅱ. 본 론대중은 문화를 수동적으로 받아들이기만 하는 것이 아니라고 생각한다. 그들 나름대로의 문화를 선택하며 선별적으로 수용하고 특유의 방식으로 분석하며 변형시킨다. 그러한 면에서 대중음악 수용자의 대부분을 차지하고 있는 우리의 십대들은 어떻게 이를 해결해 나가고 있는지 생각해 볼 필요가 있다.나 또한 10대의 시기를 거쳐 지금에 시기에 와 있지만 우리나라의 십대들은 그들만의 이렇다할 문화를 형성할 수 없을 정도로 학과 공부와 입시에 시달리고 있다.이는 10대들 대부분이 학업 이외의 다른 생활시간이 거의 없을 만큼 대부분의 시간을 학업에 바쳐야 한다는 사실에서 금방 드러난다. 또한 그들이 여가를 즐기는 시간을 보면 TV시청하는 시간외에 사실상 여가란 존재하지 않는 것으로 볼 수 있다. 그렇다면 이들의 생활에서 절대적인 비중을 차지하는 것은 '학업의 장'인 학교의 생활과 수업 ,그리고 또래 친구들과의 관계가 주를 이룰 것이라 생각이 된다.이러한 이들의 생활 속에서 가장 쉽게 접할 수 있는 대중문화의 영역은 어디일까?그것은 당연히 대중음악 문화라 할 수 있을 것이다.텔레비젼의 가요프로그램을 보면서 오늘날의 주류적인 대중가요의 열광적인 수용층이 되어버리는 것이다. 따라서 흘러간 가요를 들려주는 일부 프로그램을 제외한 대부분의 가요프로그램에서 방청석을 메운 채 환호하는 청중의 대부분이 이들 10대들인 것이다.그렇다면 이들 십대들의 반응에 따라 대중음악의 흐름는 어떻게 바뀌고 있을까?우선 대중가요 시장의 판도가 바뀐다. 즉 인기의 흐름에 영향을 미치게 되는 것이다. 90년대 말에 접어들면서 이러한 현상은 더욱 가속화 되고 있으며 그 연령층도 낮아지고 있는데 이는 삽대들,스스로가 대중가요의 수용층일 뿐 아니라 이제는 대중가요의 생산자로서 그 역할이 커지고 있다고 생각할수 있다.그래서 이제는 고교생의 신분으로 가요계의 스타가 되는 경우가 드물지 않게 나타나고 있다. 그리고 일찌감치 청소년 시절부터 음악에 몰두하여 대학을 포기 한 채 곧 장 스타의 꿈을 키우는 우리의 십대들도 있다.예를 들자면,나의 십대 시절 '서태지와 아이들'이란 그룹이 있었다. 이들이 가요계에 정상을 차지 했을 때 내 또래 아이들은 그들에 대한 막연한 동경을 한번쯤은 해 보았을 것이다. 지금은 H.O.T라는 그룹이 그 맥을 잇고 있는 듯 싶다.이와 같이 대중가요시장에서 십대들이 절대적인 비중을 차지하는것과 함께 십대들의 삶에서 대중음악의 비중은 그 어느 계층 보다도 큰 것으로 이해 할 수 있다.하지만 대개의 경우, 기성세대는 대중음악에 대한 청소년들의 열광을 '광란'이라든가 '맹목적 동경'등의 용어로 표현하며 비판적으로 바라보는 경우가 많다.그러나 십대들을 이해하는 관점에서 볼 때, 십대들의 문화 수용이 자신들의 처한 삶의 조건과 외적으로 강요되는 지배적인 가치에 대한 나름대로의 대응이라고 본다면 십대들이 대중음악을 통해 얻고자 하는 즐거음의 의미를 '광란'쯤으로 해석 하는 일은 없을 듯 싶다.그렇다면 십대들은 무얼 보며 대중음악에 열광하는 것일까?대중음악의 취향에 대해 요즘의 대부분 십대들은 댄스음악, 하드록음악, 테크노 등을 이야기한다. 그런 대중음악을 왜 좋와 하느냐의 질문은 "스트레스 해소"라는 표현을 쓴다. 즉 춤을 추거나 소리를 지르는 것처럼 육체적인 발산에 비중이 두어진다는 것이다. 이것은 대중음악의 수용측면에서 노래 말은 별다른 의미를 갖지 않는다는 말이 되며 학교생활과 여타의 부분에서 억압된 부분들을 대중음악을 통한육체적 발산으로 저항하려는 문화적 실천의미로 볼 수 있는 것이다.한편 이 대중음악을 만드는 뮤지션들에 대해 생각해 볼 필요가 있다.요즘의 소위 뮤지션이란 사람들의 개념이 흐려지고 있는 것이 사실이기 때문이다.3달만에 나오는 음반은 관례화 되었고 립싱크는 자기합리화의 수단이 되었으며 음악성 보단 얼마나 상품가치가 있는가를 따지는 것이 당연시되었다. 그러나 가장 중요한 것은 음악을 만든 자신의 실력이 의문시된다는 것이다. 그래도 옛날의 뮤지션들은 정말 실력파들이 많았다. 자기들이 실력을 키워서 제작사를 문 두드렸고 또한 각종 음악제 경력자들도 많았다.하지만 요즘은 외모만 괜찮고 스타일 괜찮다 싶으면 제작사에서 찾아내서 예쁘게 포장해주고 미리 만들어 놓은 샘플을 연습시켜 나오는 그런 1회용 적인 하나의 상품을 찍어내는 듯한 인상을 풍기고 있기 때문이다.음악의 첫째 목적이 듣는 사람을 고려해야하는 만큼 시청자가 보고 즐거우면 되지 않겠냐고 반문한다면 나는 할 말이 없다. 하지만 분명한 것은 그것은 연예인이지 진정한 음악을 하는 뮤지션은 아니란 것이다.

예체능| 2000.10.12| 4페이지| 1,000원| 조회(1,366)

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시변계와 멕스웰 방정식 평가C아쉬워요

시변계와 maxwell 방정식개요지금까지 우리는 시간에 대해 변하지 않는 계에 대해 다루었다.정전계 모델을 구성하는 데 있어서 전계강도벡터 E 와 전속밀도 (전기변위)벡터 D를 정의하였다.기본적으로 성립하는 미분방정식은 다음과 같다.TRIANGLED *E=0TRIANGLED·D=rhov선형이고 등방성 매질에서 E와 D는 구성적 관계에 의해서 다음과 같이 연관지어진다.D=epsilonE정자계 모델에 대해서는 자속밀도 벡터 B와 자계강도 벡터 H를 정의하였다.기본적으로 성립하는 두 미분방정식은 다음과 같다.정자계에 대해 성립하는 두 기본 방정식TRIANGLED·B = 0TRIANGLED* H = J선형이고 등방성인 매질에서 B와 H의 구성적 관계는 다음과 같다.H ={ 1} over { mu }B정전계 모델에서 E와 D는 정자계 모델에서 B나 H와는 관계가 없다는 것을 관찰할수 있다.도체에서는 정전계와 정자계가 둘 다 존재하고 정전자계를 형성한다.도체에서 정전계는 정상 전류를 흐르도록 하고 이것이 정자계를 일으킨다.그러나 전계는 정상 전하나 전위 분포로부터 완전하게 구할 수 있다.다만 자계는 하나의 결과로서 나타날 뿐이지 전계를 구하는 데 들어가지 않는다.정상 모델은 간단하지만 시변 전자기 현상을 설명하는 데는 부적합하다.정전계와 정자계는 에너지와 정보를 운반하고 전파해 나가는 파동을 일으키지 못한다.파동은 얼마간 떨어져 있는 곳에서 전자기 동작의 필연적 현상이다.본 장에서는 시간에 따라 변화하는 자계가 전계를 유도하고 또 그 반대로도 성립한다는사실을 알게 될 것이다.시변 조건하에서 전계벡터 E, D 가 자계벡터 B, H와 적절한 관계를 이루는 전자계 모델을 세워야 할 필요가 있다.이제 기본 가정으로부터 시작할 것이다.TRIANGLED*E 방정식을 변경시킨 것이고 전자기 유도의 Faraday 법칙으로 이끌어 내는 것이다.변압기 기전력과 운동 기전력을 논의하게 될 것이다.새로운 가정에 대해서 전하 보존의 법칙을 유지하기 위한 방정식을 만들기 위해TRIANGLED*H 식은 다시 변경될 필요가 있게 될 것이다.정전계와 정자계에 대해 성립하는 방정식들은 시간에 대해 무관한 경우의 maxwell 방정식의 특수한 형태이다.Mexwell 방정식은 빛의 속도로 전파하는 전자파의 존재를 예측케 하는 파동방정식을 세우도록 서로 결합될 수 있다.특별히 시정형계에 대한 파동방정식의 해를 본장에서 다루게 될 것이다.전자기 유도의 Faraday 법칙전자기 이론에서의 중요한 진전은 1831년 Michael Faraday에 의해 이루어진 것으로 그는 루프에 결합되는 자속이 변할때 도체 루프에 전류가 유도된다는 사실을 실험적으로 밝혀 내었다.실험적 관측에 기초하여 유도 기전력과 결합자속의 변화율간의 정량적 관계가 Faraday 법칙으로 잘 알려져 있다.그러나 우리는 전자기 유도 이론을 전개해 나가는 데 첫 단계로서 유한 루프에 관한 실험적 관계를 취하지는 않겠다.대신에 정전계에 대한 3장에서의 접근방식과 정자계에 대한 5장에서의 접근방식과 같이기본 가정으로부터 출발해서 그것으로부터 Faraday법칙의 적분형으로 전개해 나가는 방식을 따르도록 하겠다.전자기 유도에 대한 기본 가정TRIANGLED×E =-{ PARTIAL B} over { PARTIAL t }(1-1)윗 식은 점 함수관계를 나타낸다.즉, 자연공간이든 매질 내이든 공간상의 모든 점에 적용된다.시변 자속밀도의 영역에서 전계강도는 비보존적 이고 스칼라 전위의 음의 기울기로서 표현할 수 없다.식 (1-1)의 양변을 개방 표면에 대해 면적분을 취하고 Stokes정리를 적용하면OINT_{ C} E·dl = - INT _{ s} { PARTIAL B} over { PARTIAL t} ·ds(1-2)가 된다.이 식을 C 둘레에 어떤 물리적 회로가 있든 없든 경계선 C를 갖고 있는 어떤 표면 S에 대해서도 타당하다.시변 전자계 (Time-Varying Electromagnetic Field)1. 정전계, 정자계 Maxwell 방정식 고찰 및 시변계의 적용1) 정전계,정상자계에서 적용되는 Maxwell 방정식OINT E·dL = 0stokes →TRIANGLED *E = 0―①OINT H·dL=0 stokes →TRIANGLED*H=J ―②OINTD·dS=Q 발산정리 →TRIANGLED·D=rho―③OINTB·dS=0 발산정리 →TRIANGLED·B=0 ―④2) 시변계③ ④식은 시변계에서도 성립(1) ①식 수정근거 : faraday 전자 유도 법칙OINT E·dL= -{ d} over {dt}INTB·dS stokes →TRIANGLED *E =-{ dB} over {dt}(2) ②식 수정TRIANGLED*H = J 양변에 발산을 취하면,TRIANGLED·(TRIANGLED*H) =TRIANGLED·J벡터등식TRIANGLED·(TRIANGLED*H) = 0THEREFORETRIANGLED·J = 0 ―⑤⑤식은 전류연속식에 위해전류연속식TRIANGLED·J = -{ PARTIAL rho } over { PARTIAL t }TRIANGLED*H = J + GTRIANGLED·(TRIANGLED*H)=TRIANGLED·J +TRIANGLED·G0 = -{ PARTIAL rho } over { PARTIAL t }+TRIANGLED·GTRIANGLED·G ={ PARTIAL } over { PARTIAL t }(TRIANGLED·D)THEREFOREG ={ PARTIAL D } over { PARTIAL t }TRIANGLED*H=J +{ PARTIAL D } over { PARTIAL t }stokes →OINT H·dL=INTJ ·dS+{ PARTIAL } over { PARTIAL t }INTD·dSJ d ={ PARTIAL D } over { PARTIAL t }변위 전류밀도㉠비도전 매질에서 흐르는 전류㉡전계의 시간적 변화에 기인하는 전류㉢직류를 유전체에 가하던, 커패시터는 개방회로로 동작하지만 교류전원을 가하면 전류가 흐르는 데 이 전류의흐름을 설명해줌㉣시간적으로 변하는 전계는 자계를 발생한다.2.maxwell 전자 방정식①TRIANGLED *E =-{ PARTIAL B } over { PARTIAL t }·INT(TRIANGLED *E)·dS = -{ PARTIAL } over { PARTIAL t }INTB·dSOINT_{ c}E·dl =-{ PARTIAL } over { PARTIAL t }INTB·dS1) faraday 전자유도법칙2) 자계의 시간적 변화는 전계를 발생한다.3) 쇄교자속의 시간적 변하는 기전력을 유도하며 그 기전력의 방향은 자속으 변화를 방 해하는 방향이다.4) 1차권성에 교류전압을 가해서, 교류전류에 의해 자속변화로 2차권선에 전압이 유기되 는 변압기는 faraday전자 유도법칙응용5) 정전계OINT_{ c}E·dl = 0전위v는 보존장으로써 전계내에서 일을 하는데 경로에는 관계없음6)에너지 보존법칙7)발전기원리②TRIANGLED*H=J +{ PARTIAL D } over { PARTIAL t }INTTRIANGLED*H ·dS =INTJ ·dS+{ PARTIAL } over { PARTIAL t }INTD·dSOINT H·dL=INTJ ·dS+{ PARTIAL } over { PARTIAL t }INTD·dS1) 시변계에 적용되는 Ampere 주회법칙2) J = 전도전류밀도 + 대류전류밀도Jd = 변위전류밀도

공학/기술| 2000.10.12| 5페이지| 1,000원| 조회(1,647)

멕스웰, 방정식, 전자장론

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