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[페미니즘] 영화 더 월을 보고 페미니즘적 시각에서.. 평가B괜찮아요

제목: 더 월(If These Walls Could Talk), 1996감독: Nancy Savoca, Cher주연: Demi Moore, Sissy Spacek, Cher영화 '더 월'에 나타난 여성의 낙태문제데미 무어가 제작에 참여하고 각본, 감독을 모두 여성이 맡은 낙태에 관한 세 가지 이야기. 원제 '만일 이 벽이 말을 한다면'에서 벽이란 '자궁벽'을 의미하며 각각 50년대, 70년대, 90년대로 시대를 달리하며 동일한 공간에서 세 여성이 원하지 않는 임신을 하게 되고, 낙태를 할 것인가 결정해야 하는 문제와 관련해 다양한 상황들이 벌어진다. 그러나 영화는 단순하게 낙태를 반대하거나 찬성하지 않는다. 단지 낙태라는 문제가 결국에는 여성에게만 국한된 문제 인지를 묻는다.첫 번째로. 1950년대에는 낙태 자체가 불법이었다. 여성들이 아이를 가져도 낙태는 종교적이고 전통적이 가치기준에 있어 불가능한 일이었고, 불법적이고 안전하지 못한 경로를 통해서만 가능했다. 이 에피소드에서 간호사 클레어(Demi moore)는 남편이 죽은 뒤 남편의 동생의 아이를 갖게 된다. 지금도 그렇지만 당대에 있어 사별한 남편의 동생과 관계를 갖고 임신을 한다는 것은 윤리적으로 용서 받을 수 없는 경우였다. 그래서 결국 클레어는 낙태를 택한다.두 번째로, 1970년대. 40대의 여성인 바바라(Sissy Spacek)는 이미 네 아이의 어머니이다. 하지만 그녀는 또 다시 임신을 하게 되고 그래서 가족들과 충돌을 하게 된다. 이 시기에는 낙태가 합법이므로, 가족 모두가 암묵적이거나 직접적인 어조로 낙태를 권한다. 하지만 바바라의 상황은 클레어의 상황과는 사뭇 다르다. 아이를 못 낳을 이유가 없는 것도 아니고, 그녀 역시 낙태시키고자 하는 의지가 없었으나 낙태가 합법이고, 현재 많은 이들이 행하고 있으며, 생활고에 더욱 극심한 생활고에 시달리게 될 거라는 이유로 가족들은 낙태를 정당화한다. 바바라는 말한다. 왜 엄마는 항상 아이들의 뒷치닥거리와 집안일에 자신에 일생을 허비해야 하는지, 왜 한 인간이자 엄마로서의 권리를 가지지 못하는지를 토로하고는 이 한 마디를 외친다. "mama is strike". 바바라는 결국 가족과의 갈등을 이겨내고 아이를 낳기로 결정한다. 만약에 낙태가 불법이었다면, 아마도 가족들은 모두 그 아이를 받아 들 이려 했을 것이다.(애시당초 심각한 숙고따윈 존재할 틈이 없다.) 단순히 낙태가 합법이라는 이유로, 허용된다는 이유로 생명 자체를 편의에 따라 무시하게 된다. 바바라에게서는 태안의 자식에 대한 권리를 당연히 박탈하면서.마지막으로, 1990년대. 크리스(Cher)는 교수와의 관계에서 아이가 생기고 아이를 낳아야 할지 말아야 할지 갈등을 하게 된다. 여기서의 갈등은 단순히 크리스와 그의 친구와의 갈등이라기 보다는 종교계와 여성계의 갈등으로 보여진다. 종교계는 인간의 존엄성을 내세워서, 아이의 생명이 중요하다는 것을 강조한다. 그리고 여성계에서는 한 여성의 인권의 존중을 이야기한다. 둘의 대립이 극에 달함을 보여준다.세 가지 에피소드에는 공통점이 하나 있다. 임신을 한 주체는 분명 두 사람이지만 낙태를 고려하게 될 경우에 그 주체는 모두 여성 한사람으로 묘사되고 있다는 것이다. 물론 여성 스스로 자신을 고립화하고 있다는 것도 문제로 제기 될 수 있다. 하지만 그보다 더 큰 문제는 사회의 여러 가지 가치기준, 예를 들어 종교적, 윤리적, 인권 해석적 기준 등 외부의 억압적 요소가 여성으로 하여금 낙태문제(비단 낙태에 있어서 만은 아니겠지만)에 있어 사회로부터의 유리화를 촉진 시킨다는 것이다. 그 억압적 요소에는 주위사람, 임신의 또 다른 주체인 남성 상대자 마저도 완벽한 타인으로서 포함된다는데 심각한 파괴력이 있다. 남성은 임신에는 참여하되 말하자면 그로 야기된 '낙태'라는 행위에 있어서는 본질적으로 관망적이고 소극적인 입장이라는 것이다.

사회과학| 2002.12.04| 2페이지| 1,000원| 조회(794)

낙태, 페미니즘, 감상문, 월, Wall

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[회로실험] 이미터 공통 회로에서의 전유 이득(β)

1. 트랜지스터 회로 구성(모형)3단자 트랜지스터가 회로로 연결될 때는 세가지 구성 방법으로 연결된다. 이 세가지 구성방법은 (1) 이미터 공통(이미터 접지), (2)베이스 공통(베이스 접지), (3)콜렉터 공통(콜렉터 접지)이다. 이들 세 가지 회로는 각각 그림 26-1 (a), (b), (c)에 표시되어 있다. 이 회로들은 각각 고유한 특성을 지니고 있다. 일반적으로 이미터 접지 구성을 많이 사용하는데 그 이유는 전압증폭, 전류증폭, 전력증폭에서 1 보다 큰 이득을 제공하기 때문이다.각 회로에서 신호 전압을 입력 단자에 인가하고 처리된 신호를 출력 단자에서 얻는다. 이미터 공통 회로의 경우에 입력 신호를 베이스와 이미터 사이의 입력 단자에 인가하고, 출력을 컬렉터와 이미터 사이의 출력 단자에서 얻는다. 이미터가 입력과 출력 회로 양쪽이 공통이기 때문에 이미터 공통이라고 부른다. 베이스 공통에서는 베이스가 입력과 출력 양쪽이 공통이다. 컬렉터 공통 회로에서 컬렉터 단자는 컬렉터 전류를 역방향 바이어스 하는 데 필요한 약간의 직류 전위 {Vcc값을 가진다. 그러나 {Vcc가 아무런 내부 저항이 없는 이상적인 전원이라고 가정하면 컬렉터 회로에서 임피던스는 영(0) 이 된다. 그래서 어떠한 신호 전압도 컬렉터에 나타나지 않으며 컬렉터는 기준 전휘(reference potential), 즉 영전위(zero potential)에 있게 된다. 컬렉터는 입력과 출력 신호 양쪽에 공통으로 기준이 된다. 즉, 컬렉터가 입력과 출력이 공통이므로 이 회로를 컬렉터 공통이라고 한다.{(a) 에미터 공통(b) 베이스 공통(c) 콜렉터 공통2. 트랜지스터의 전류 이득베이스 공통 회로에서 콜렉터 전류의 조절은 에미터 전류 변화에 의해 영향을 받는다.이러한 사실은 에미터 전류의 증가나 감소는 콜렉터 전류의 증가나 감소를 가져온다. 이것은 베이스 공통 트랜지스터 회로의 중요한 조절 특성( 혹은 전류이득)중 하나를 알게 해준다. 는 콜렉터 전압이 일정할 때 에미터 전류의 변화 대 콜렉터 전류의 변화 비로써 정의된다.{alpha = { DELTA { I}_{C } } over { DELTA { I}_{E } }( { V}_{CB } const )출력 전류의 변화분({DELTA I_C)을 입력 전류의 변화분({DELTA I_B)으로 나눈 값을 이미터 접지의 전류 증폭률이라 하며 {beta혹은 {h_fe로 나타낸다{beta ~=~ {{DeltaI_C} over {Delta I_B }}_{(V_CE ~=~ 일정)}와 와의 관계 : 관계식 {Delta I_E ~=~ Delta I_B ~+~ Delta I_C를 이용하여 를 의 항으로 나타내보자{beta ~=~ {Delta I_C} over {Delta I_B} ~=~ {Delta I_C} over {Delta I_E ~-~ Delta I_C} ~=~ {{Delta I_E cdot DeltaI_C over DeltaI_E}} over { {Delta I_E (1~-~ DeltaI_C over DeltaI_E )}}{=~ alpha over {1~-~alpha}이다. 따라서 {beta ~=~ alpha over {1~-~alpha}이며, 이 식으로부터

공학/기술| 2002.11.18| 3페이지| 1,000원| 조회(943)

이미터, 공통, emitter, 전류이득, β

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[회로실험] RC, RL, RLC 회로의 임피던스 및 전력 측정 평가C아쉬워요

15. RC, RL, RLC 회로의 임피던스 및 전력 측정,(1)RL직렬 회로[1]RL직렬 회로{1 전압{{{2 전류3 전류는 전압보다 (rad) 만큼 위상이 뒤진다{4 위상차{[2]직렬 RL회로의 임피던스1 임피던스(Z): 회로에 가한 전압과 전류의 비, 직류 회로의 전기 저항과 같은 역할을 하며 단위는 ( ){2 RL 직렬 회로의 임피던스(2) RC 직렬 회로{[1] RC 직렬 회로{1 전압{{2 전류3 전류는 전압보다 (rad) 만큼 위상이 앞선다{4 위상차{{[2] RC 직렬 회로의 임피던스(3) RLC 직렬 회로[1] LC 직렬 회로{1 전압{{[2] RLC 직렬 회로{{1 회로에 흐르는 전류를 I[A] 라 하면{{{2 RLC 직렬 회로 (wL>1/wC 일 때)ㄱ 전압{ㄴ 전류{ㄷ 위상차{{{ㄹ 합성 임피던스(4) RLC 병렬 회로{[1] RL 병렬 회로{1 전류{{2 임피던스3 전류는 전압보다 (rad) 만큼 위상이 뒤진다{4 위상차{[2] RC 병렬 회로{{1 전류{2 임피던스{3 전류는 전압보다 (rad) 만큼 위상이 앞선다{4 위상차{{[3] LC 병렬 회로1 전류{ㄱ 1/wLwC 의 경우{[4] RLC 병렬 회로1 전류{{{2 임피던스{3위상차{

공학/기술| 2002.11.18| 7페이지| 1,000원| 조회(1,617)

RLC, 임피던스, RL, RC, impidance

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[회로실험] 이미터 공통 증폭기, 바이어스 방법 평가C아쉬워요

1) 교류 증폭기로서 트랜지스터실험 26에서 확인했듯이 이미터 공통 회로(CE: common emitter)에 접속된 트랜지스터의 베이스 전류는 컬렉터 전류를 제어한다. 또한 컬렉터 전류의 증가는 베이스 전류의 증가보다 훨씬 더 컸다. CE 접속에서 트랜지스터의 전류 이득 는 다음과 같이 정의되었다.{beta = {Delta I sub C } over { Delta I sub B } vert sub V sub CE = 일정(27-1)가 얻어진 바이어스 조건은 다음과 같다.1. 이미터-베이스 접합은 순방향 바이어스되었다.2. 컬렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스되었다.{이상 두 조건은 오디오, 라디오, TV 회로에서의 증폭기에 사용되는 바이어스 조건이다. 트랜지스터 증폭기는 직류 또는 교류 전류(또는 전압)를 증폭하는 데 사용될 수 있다. 이 실험에서 우리는 교류 전류/전압 증폭기에 관심을 가져야 하는데, 그 이유는 이미터 동통 증폭기가 이 두 가지를 모두 실현할 수 있기 때문이다. 그림 27_1은 리미터 공통 교류 증폭기로 연결한 NPN 트랜지스터의 회로이다. 독립된 두개의 전원이 사용되었는데 {V_{ BB }는 베이스-이미터 접합을 순방향으로 바이어스 시키기 위해서 사용되었고, {V_{ CC }는 컬렉터-이미터 접합을 역방향으로 바이어스 시키기 위해 사용되었다. 입력 신호 {V_{ IN }은 {C_{ 1 }을 통해 베이스에 인가되고, 출력 신호 {V_{ OUT }는 컬렉터에서 측정된다. {R_{ 1 }은 베이스-이미터 회로의 전류를 제한하기 위한 저항이다. 베이스의 바이어스 전류와 동작점은 {V_{ BB }와 {R_{ 1 }에 의해 결정된다. {R_{ 1 }이 더 큰 경우, 베이스 바이어스 전류 {I_{ B }는 다음 식에 의해서 결정된다.{I_{ B }{= { V_{ BB } } over { R_{ 1 } }(27-2){여기서 베이스의 입력 저항은 매우 작기 때문에 무시되었다.이미터 공통 회로에서는 B값에 의해서 컬렉터 전류의 제어 정도가 결정된다. {C_이 전휴는 더 감소하여 2.6mA에 이르면 이번에는 5.1mA로 증가한다. 그러므로, 전류이득이 500인 트랜지스터에서 베이스 전류가 10{mu A만큼 변하면 컬렉터 전류는 5mA만큼 변하게 된다. NPN 트랜지스터에서 컬렉터 전류 {I_{ C }가 베이스-이미터 전압 {V_{ BE }에 따라 그림 27_3과 같이 변한다고 가정한다. 이 그래프의 컬렉터 전류는 단지 0.6V에서 0.8V까지의 베이스-이미터 전압에서만 선형적으로 변화함을 알 수 있다. 만약 동작점의 베이스 이미터 전압이 0.7V로 유지된다면 베이스에 인가된 신호는 일그러짐이 없이 증폭될 것이다. 아주 큰 신호가 베이스에 인가되면 비선형 동작이 일어나서 그림 27_4에 나타난 것처럼 피크 부분에서 신호가 평평하게 된다. 이러한 경우, 양의 피크 부분은 컬렉터 특성 곡선의 비선형 영역이 사용되고 있는 것을 알려 주고, 음의 피크 부분은 차단 영역이 사용되고 있는 것을 알려 준다.NPN 트랜지스터 대신에 PNP 트랜지스터가 사용된다면 신호 극성에 대해서 반대의 효과가 나타나므로 {i_{ C }가 컬렉터 회로를 통과했을 때 나타나는 출력신호 전압은 다음과 같다.{V_{ OUT }={i_{ C } TIMES R_{ L }(27_3)여기에 {R_{ L }은 컬렉터 부하 저항이다. 베이스의 신호 전류 {i_{ B }가 사인파이면 출력 전압 {V_{ OUT }도 사인파이다. 그림 27_1에 나타낸 트랜지스터 회로는 기본적인 전류 증폭기임에 유의해야 한다. 신호 전압의 이득은 트랜지스터의 전류 이득 {& beta, 회로의 설계 및 회로 파라미터에 따라 결정된다.{그림 27_3 {V_{ BE }의 함수로 표현된 NPN 트랜지스터 {I_{ C }의 특성(삼성 KSC900){2) 바이어스 방법과 안정도일그러짐 없는 증폭을 얻기 위해서는, 입력 신호가 틀랜지스터의 선형 영역에서 동작하도록 베이스가 적절히 바이어스 되어야 한다. 그렇지 않으면 출력은 그림 27-4과 같이 포화 또는 차단 영역에 있게 된다. 그러므로 트랜있으나 이미터에 대해 베이스와 컬렉터가 양의 전압을 가져야 하기 때문에 전원의 극성이 뒤바뀌어야 한다. 그림 27_5는 이미터 공통 증폭기를 바이어스 시키는 실제적인 방법으로 사용되지 않는다. 그 이유는 이미터 공통 증폭기의 안정도가 온도 변화에 크게 영향을 받고 트랜지스터 특성의 변화가 증폭 기능에 영향을 미치기 때문이다. 주어지 회로에서 온도 변화와 트랜지스터 특성의 변화는 동작점을 변화시킨다. 그리고 연달아 증폭기의 이득과 안정도에 영향을 미친다. 트랜지스터 폭주는 동작 온도의 변화로부터 일어날 수 있고 결국에는 트랜지스터를 못 쓰게 만든다.{{트랜지스터를 폭주로부터 보호하고 트랜지스터를 안정화시키기 위해 바이어스 안정화라는 일종의 보상 방법이 사용된다. 그림 27_6의 회로는 이러한 안정화 회로의 실례이다. 이미터에 연결된 저항 {R_{ 3 }는 트랜지스터의 특성 변화 또는 동작 온도의 증가 때문에 일어나는 컬렉터 전류의 작은 증가를 보상하기 위해 사용된다. 따라서 컬렉터 전류의 증가는 {R_{ 3 }에 커다란 전압 강하를 일으키고 {R_{ 3 }에 걸린 전압은 베이스-이미터 회로의 순방향 바이어스와 반대의 극성을 갖기 때문에 베이스 전류를 감소시킨다. 이것은 교대로 컬렉터 전류를 감소시키게 되고 결국 컬렉터 전류의 증가와 균형을 이루게 된다. 따라서 {R_{ 3 }는 직류 부궤환(negative feedback)을 제공하여 트랜지스터의 안정도를 향상시킨다.3) 이미터 바이패스 커패시터그림 27-6에서 {C_{ 3 }는 이미터 저항 {R_{ 3 }와 병렬로 접속되어 있다. 만일 교류 신호가 트랜지스터의 베이스에 입력되고, {C_{ 3 }가 존재하지 않는다고 가정한다면, {R_{ 3 }는 교류 및 직류 신호의 감소를 가져온다. 그러므로 실효 베이스-이미터 신호 전압은 베이스의 신호 전압보다 낮아질 것이다. 따라서 트랜지스터 측에서 볼 때 입력 교류 전압이 감소한 것과 같으며, 컬렉터에서 출력 신호도 감소할 것이다. 이와 같이 사실상 증폭기의 교류 이득의 크기를 결정하기 위해서는, 바이패스에 필요한 최저 주파수 {f_{ min }과 이미터 저항 {R_{ 3 }의 값을 알아야 한다. 주어진 {f_{ min }에서 다음 식이 만족되면, {C_{ 3 }는 적절한 바이패스로 생각된다.{X_{ C3 }={{ R_{ 3 } } over { 10 }(27-4)4) 전압 분배 바이어스모든 베이스 바이어스 회로에 가장 널리 이용되는 방식은 그림 27-6에 보인 분압기 바이어스방식이다. 이 회로에선 NPN 트랜지스터를 사용했으므로, (+)의 공통 전압원 VCC가 사용되었다. R1과 R2는 베이스에 대해 분압기를 구성한다. 베이스에는 분압기 회로에 의해 (+)전압이 걸리므로, 이미터-베이스 전류, 이미터-컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이미터 저항 {R_{ 3 }에 걸리는 전압의 극성이 그림 27-6에 표시되어 있다. 베이스 바이어스 전류를 결정하는 바이어스 전압은 베이스와 이미터간의 전위차이다.분압기 바이어스 회로에 대한 직류 바이어스 전류를 계산하기 위해서는 베이스 회로에 Thevenin 정리를 적용한다. 베이스가 분압기 R1과 R2로부터 분리되었다고 가정하자. 베이스 분리점에서 Thevenin 전압 VTh를 계산하면{V sub Th = {(V sub CC )( R sub 2 )}over{R sub 1 + R sub 2}Thevenin 저항 RTh는 R1과 R2의 병렬 합성 저항을 계산하면 얻어진다.{R sub Th = {R sub 1 R sub 2}over{R sub 1 + R sub 2}다음 단계로 Kirchhoff 법칙에 의해서 얻어진 다음 식을 이용해서 이미터 전류를 계산한다.{I sub E = {V sub Th = V sub BE}over{R sub E + R sub Th / beta}위에서 계산된 IE값과 트랜지스터의 를 이용해서 베이스 전류 IB를 구하면,{I sub B = I sub E over beta위 두 식을 결합하고, VBE의 근사치 0.7V를 사용하면, 다음과 같은 IB의 표현식이 얻어진다.{I sub B 측정한다. 출력 신호 대 입력 신호의 비가 전압 이득으로 된다. 즉,{전압이득 = v sub out over v sub "in"(27-5)이 측정 과정 동안 증폭기는 선형 영역에서 동작시켜야 한다.이 증폭기의 선형 동작 영역을 실험적으로 결정하는 것이 가능하다. 오디오 신호, 예를 들면 1000{H_{ Z }사인파를 입력단에 가하고 오실로스코프를 사용하여 컬렉터에서의 출력을 측정한다. 신호 발생기의 출력은 처음에 최소가 되도록 설정한다. 그 후 발생기의 출력을 증가시키면 증폭기의 출력 파형이 오실로스코프에 나타난다. 입력 신호의 범위는 오실로스코프에 나타나는 증폭기의 풀력 신호가 일그러지지 않는 범위로 제한된다.{*27-1Vin 5 0 9.0vC1 1 GND 25uR1 3 1 220kRL 3 2 1kQ1 2 1 GND ksc900C2 2 GND 25u.MODEL ksc900 NPN.tran .001 1.0.print tran I(Q1) I(C2) I(RL) V(GND,2) V(GND, 1).option list post.end*27-4Vin 4 GND 9.0vC1 1 5 25uR1 4 1 500kRL 4 3 3.5kQ1 3 1 GND ksc900C2 3 GND 25uR2 1 GND 100kR3 2 GND 500C3 2 GND 100uVac 5 GND AC 1000.MODEL ksc900 NPN.tran .001 1.0.print tran I(Q1) I(C2) I(RL) V(2,3) V(GND,1).option list post.end{*27-3Vin 4 GND 9.0vC1 1 GND 25uR1 4 1 500kRL 4 3 3.5kQ1 3 1 GND ksc900C2 3 GND 25uR2 1 GND 100kR3 2 GND 500C3 2 GND 100u.MODEL ksc900 NPN.tran .001 1.0.print tran I(Q1) I(C2) I(RL) V(2,3) V(GND,1).option list post.end*27-2Vin 3 GND 9.0vC1 1 25u

공학/기술| 2002.11.18| 7페이지| 1,000원| 조회(2,012)

바이어스, 증폭기, 이미터, 공통, emitter

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[전기전자] 트랜지스터 특성 실험 평가A좋아요

1. 트랜지스터 데이터트랜지스터 데이터는 각각의 응용에 대한 요구 조건들에 따라 여러 가지 형태로 된다. 이러한 데이터는 표와 그래프 형태로 제공되며, 이것을 이해하는 것이 중요하다. 데이터는 트랜지스터 제조 회사가 제공하는 트랜지스터의 규격서나 시중에서 발간된 트랜지스터 참고서적에서 찾아 볼 수 있다. 데이터는 트랜지스터와 사용 목적에 따라 달라진다.2. 트랜지스터와 그 응용의 간단한 설명예를 들어 삼성 반도체의 규격서에 의하면 KSC900은 일반적인 용도와 저전압, 저 전류의 오디오와 비디오 증폭기에 쓰이는 소신호 NPN 에피택셜(epitaxial) 실리콘 트랜지스터이다.3. 외형적인 데이터그림 25-1은 KSC900 트랜지스터의 외형(TO-92)과 이미터(1) 베이스(2), 컬렉터(3)의 위치를 나타 낸다.4. 최대 정격최대 정격이란 JEDEC에서 정의 한 "절대-최대 규격"에 따라 결정되는데, EIA(Electronic Industries Association)와 NEMA(National Electrical Manufacturers Association) 에 의해 표준화 되었다., "절대 최대 정격"은 어떠한 동작 조건에서도 초과되지 않아야 하는 동작의 한계 값과 주변 조건으로 정의된다. 만약 트랜지스터나 반도체 소자를 높은 온도에서 사용하고 싶으면 소비 정격의 높이는 어떤 곡선 또는 소자의 특성표에 주어진 표에 따라 축소시켜야 한다.5. 특성과 여러 기술적인 데이터그림 25-2 KSC900에 대한 특성을 나타낸다. 대부분의 트랜지스터 규격서에서는 트랜지스터의 특성이 이와 같은 형식으로 나와 있지는 않다. 그리고 사용되는 기호들이 표준화가 잘 되어 있다고 할지라도 항상 똑같지는 않다. 그러므로 전문 기술자들은 사용하고 있는 트랜지스터 규격서를 잘 알아야 한다. 규격서에는 반도체 소자와 그 소자의 동작, 기호, 응용에 관한 내용이 포함되어 있고 흔히 서로 대처할 수 있는 품목들도 나와 있다. 이것은 정확한 대체품을 얻을 수 없는 경우에 다른 제조 회사의 제품 번호와 추천할 만한 대체번호를 제시하여 주기 때문에 유용하다. 그러나 이러한 목록은 어떤 특정한 응용에 요구되는 특성까지 고려하여 쓰여진 것은 아니다. 이러한 특성들은 정상적인 생산품들의 분포로부터 구한다. 그래서 표준 특성에서 벗어나는 트랜지스터를 임으로 사용할 경우 특별한 용도에서는 동작하지 않을 수도 있다. 회로가 정상적으로 동작하기 위해서는 가능 하다면 정확한 제조회사의 대체품을 사용해야 한다. 규격서에는 표준 품목과 생산이 중지된 제품 번호, 사용하려는 소자의 회로도 및 모든 트랜지스터의 외형 치수가 포함되어 있다.6. 트랜지스터 특성 곡선규격서에 있는 특성곡선은 트랜지스터에 관한 정보를 그래프로 나타내고 있다. 이러한 특성은 트랜지스터 파라미터에 변화에 의한 효과를 나타내며, 따라서 회로 설계자와 기술자에게 중요한 자료를 정해준다. 특별한 트랜지스터에 대한 특성 곡선은 트랜지스터 규격서에 나타나 있다. 규격서에서 제시된 특성 곡선이 유용하지 않을 경우에는 여기서 주어지는 여러 방범들 중 하나로 특성 곡선을 측정할 수 있다. 그림 25-3 KSC900 이미터 공통 구성에 대한 VCE 대 IC의 평균 컬렉터 특성을 나타낸다. 베이스 전류를 일정하게 유지하면서, IC의 값을 VCE 의 함수로 하여 그래프에 나타냄으로써 각각의 특성 곡선을 얻는다. 각 특성 곡선에서 입력 베이스 전류가 증가함에 따라 컬렉터 전류가 증가한다는 사실을 유의해야 한다. VCE=-1V 값의 오른쪽 범위를 살펴보면, 컬렉터 전류는 실질적으로 컬렉터 전압에 대해서는 무관하며 베이스 전류에만 관계가 있음을 알 수 있다. 각 곡선의 끝점에도 주목해야 한다. 16 A의 베이스 바이어스 전류에 대한 곡선은 VCE = 13V에서 끝나는데 , 이점에서 컬렉터의 전류는 대략 9mA가 된다. 곡선 위의 끝점에서 VCE와 IC의 곱은 117mAW 된다. 이 값은 트랜지스터의 정격 전력 소비인 250mW이내의 값이다. 다른 곡선의 각 끝점에도 마찬가지로 이 전력 범위 내로 제한된다. 트랜지스터는 정격 전력 소비 범위를 넘어서 동작시켜서는 안된다.그림 25-3의 곡선은 트랜지스터의 주변온도가 25'C 유지되는 동안 실험적인 방법으로 측정한 것이다. 만약 온도가 올라가면 컬렉터 전류는 증가할 것이며 허용 전력은 더욱 큰 값으로 제한된다. 그림 25-3으로부터 전류 이득 를 계산 할 수 있다.beta = {TRIANGLE I_C} OVER {TRIANGLE I_B}(V_CE 는 일정)(25-1)그림의 곡선에서 VCE의 어떤 고정된 값에 의해 두 개의 IS값으로부터 각각의 대응되는 두 개의 IC의 값을 얻을 수 있다. DL 값들은 식(25-1)에 대입해서 전류 이득 를 계산한다. 특성 곡선에 주어진 베이스 전류로서는 IB=0.1mA 와 IB=0.2mA를 선택한다. VCE=6V이고 IB=4 A 이면, 이점에 대응하는 컬렉터 전류 IC=2.05mA이다. VCE=6V, IB=6 A이면 IC=3.1mA이다. 식 (25-1)에 대입하면 다음과 같이 된다.beta = {(3.1-0.05) TIMES 10^3} OVER {6-4}={1.05 TIMES 10^3} OVER 2 = 502VCE=6V일 때, IB=4 A 이면 IC=2.05mA이고, IB=4 A 이면 IC=4mA이다. 이대에도 식(25-1)에 따라 계산하면 = 3.1mA이다. 따라서 , 만약 트랜지스터가 6 A의 베이스 바이어스 전류와 VCE=6V에서 동작한다면 4 A와 8 A사이에서 변화하는 베이스 전류에 따라 컬렉트 전류도 선형적으로 변한다. 제한된 범위 내에서 컬렉터 전류와 베이스 전류 사이의 관계는 식 (25-2)와 같다.IC = IB+K (25-2)그림 25-4의 회로는 point by point 방법을 이용한 이미터 공통형 NPN 트랜지스터의 특성 곡선을 측정하는 회로이다.( PNP형의 경우에는 전원과 전류계의 극성이 반대인 회로를 이동한다.) 이 회로에서 베이스 전류는 저항 R1을 조정하여 특정한 값으로 고정한다. 실험 과정은 다음과 같다. IB가 한 값으로 일정하게 유지되도록 R1을 일정하게 조정해 놓고 VCE를 변화시키면서 IC를 측정함으로써 특성 곡선을 구한다. 전류계 M1은 베이스 전류를 나타내며, 저항 R1은 IB 의 일정한 범위를 유지하는데 사용한다. 전류계 M2 컬렉터 전류를 측정하며, 전압계 M3는 컬렉터 전압을 측정한다. 먼저 선정된 각각의 컬렉터 전압을 인가해 놓고 컬렉터 전류를 측정하여 기록한다. 그 결과를 표시해서 그래프로 그린다. 베이스 전류를 다른 값으로 일정하게 유지하면서 위의 과정을 반복하여 곡선군을 얻는다. 이미터 공통 연결의 NPN트랜지스터 특성 곡선을 구할 경우 좀더 빠른 방법은 그림 25-5 회로를 사용하는 것이다.그림 25-5를 사용하면 특성 곡선을 오실로스코프에 표시 할 수 있다. 곡선 군을 얻기 위해서 저항 R2를 미리 정해진 베이스 전류 값이 되도록 연속하여 조정하고, 그 때 나타나는 곡선을 차례대로 표시한다. 베이스에서 이미터의 입력 회로는 일반적인 회로이지만 출력 회로는 설명이 필요하다. 컬렉터-이미터 전합에는 직류 전압이 인가되지 않는 대신에 , 변압기 T와 다이오드 D의 동작 결과로써 이미터에 전달되는 맥동성의 직류 전압에 의해 전원을 공급 받는다.변압기 T는 120V 교류 직선으로부터 동작되는 감쇠 필라멘트 변압기인데 2차측에 6.3Vrms를 공급한다. 2차측에 대한 극성이 그림 25-5와 같을 때 다이오드 D가 입력 전압의 반주기 동안 효과적으로 동작하며 이미터에서 컬렉터의 출력 회로는 동작이 완료된다. 출력 회로에 인가된 맥동성 전압(컬렉터는 이미터에 대해 양의 값)의 극성은 컬렉터 전류에 대해 적당한 것이여야 한다. 저항 R3(100 )은 컬렉터 회로에 영향을 주지 않지만, 컬렉터 회로를 통과하는 전류 흐름은 R3에서 전압 강하를 유발한다.

공학/기술| 2002.11.04| 5페이지| 1,000원| 조회(2,259)

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