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반도체 처음부터 끝까지

SemiconductorContents1. Overview of Semiconductor Process 2. Process of Semiconductor 2-1 Silicon Wafer Preparation 2-2 Frontend Process 2-3 Backend Process반도체 공정모레로부터 고순도 단결정 실리콘 웨이퍼를 만들어내는 과정웨이퍼의 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜, 이미 만든 마스크를 사용하여 특정부분을 선택적으로 깎아내는 작업을 되풀이함으로써 전자회로를 구성해 나가는 전 과정. 줄여서 FAB이라고 한다.웨이퍼상의 칩을 개개로 잘라서 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 과정완성된 제품이 제대로 동작하는지를 검사하는 과정웨이퍼 제조웨이퍼 상에 구현될 전자회로를 설계하는 과정설계된 전자회로를 각층별로 나누어 유리마스크에 그리는 과정회로 설계마스크 제작웨이퍼 가공 (Fabrication)조립(Ass`y)검사 (TEST)Overview of Semiconductor Process반도체 공정Overview of Semiconductor Process반도체 제조공정필요한 부품을 배치, 회로를 구성하고, 이를 확대하여 제도한다.Overview of Semiconductor Process설계 회의확대한 회로반도체 제조공정실리콘 웨이퍼와 마스크를 제작한다 사진 감광으로 마스크의 도형을 실리콘 웨이퍼에 복사하고 화학 처리한다. (Lithography)감광액(Photo Resistor) 도포 노광(Exposure) 현상(Development) 식각(Etching) P/R 제거Overview of Semiconductor Process반도체 제조공정소자의 전기 특성 조절을 위해 불순물을 주입. 확산 열처리한다. (전기로 온도 1100도)내부 회로 연결을 위해 알루미늄 또는 금을 진공 증착한다 ; 금속배선(Metalization)산화공정(Oxidation) 확산공정(Diffusion) 이온주입(Ion implantation) 화학 기상증착(CVD/LPCVD니 가열 (1500 °C) 균일한 온도 유지 - 석영도가니 회전 Melt - Poly silicon 이 완전히 녹음Dipping Poly Silicon 이 완전히 녹은 상태(Melt)에서 종자(Seed)를 접촉 시킴Ingot Growing (Necking)Silicon Wafer PreparationSingle Crystal 에 결함이 발생하지 않도록 Seed 를 따라 성장하는 Crystal 의 직경을 최대한 줄이면서 끌어올리는 작업 Dipping 한 Seed 를 서서히 끌어 올리면 Single Crystal 이 Seed 의 결정 방향대로 달라 붙어서 올라옴 - 올리는 속도를 느리게 하면 직경이 커짐Ingot Growing (Shouldering Body Growth)Silicon Wafer PreparationCrystal 을 목적하는 결정 직경(Diameter)까지 확장시키는 작업 Necking 공정보다 인상속도를 줄여서 서서히 끌어 올린다.Shouldering 작업공정에서 목적 하는 결정 직경만큼 커졌을 때 그 결정을 그대로 목적하는 길이까지 유지하는 작업Ingot Growing (Tailing, Cool Down)Silicon Wafer PreparationIngot과 Melt를 분리시키는 작업 Body Growth의 직경을 줄이면서 작업Ingot 과 도가니를 냉각시키는 작업 2시간 정도 후, Ingot 과 도가니를 Growth Chamber 에서 제거 Necking 부분을 자른다.Silicon Wafer PreparationSilicon Wafer Preparation Ingot Growing A. Preparation B. Melting C. Dipping D. Necking E. Shouldering F. Body Growth G. Tailing H. Cool Down Ingot Shaping A. Ingot Slicing B. Edge Grinding C. Lapping D. Etching E. Heat Treatment F. PolishingS되는 결정표면을 경면으로 만들어 주는 것 Rough Polishing : 20um 정도 Removal시켜 평탄하게 연마 Finish Polishing : 평단한 웨이퍼 표면을 더욱 미세하게 약 0.5um정도 Removal 시켜 평탄도와 표면 반사를 높인다.Frontend ProcessFrontend process(Fabrication) A. Thermal Oxidation B. Lithography C. Etch D. Ion Implantation E. Metallization Thermal OxidationFrontend ProcessThermal Oxidation1. Applications • Selective doping mask or drive-in diffusion process • Surface protection and passivation • Device isolation • Dielectrics for electrical insulationGate dielectricFrontend ProcessThermal Energy and OxidationFrontend ProcessOxidation Method1. Dry oxidation - oxidation with pure dry O2 - Si + O2 →SiO2 - high quality, low growth speed 2. Wet oxidation - oxidation with H20 - Si + H2O →SiO2 + 2H2 : bubbling water, pure steam, H2 burning in O2 - lower quality, higher speed 3. Chlorine (Cl) oxidation - oxidation with chlorine contained O2 : HCl, TCE, TCA, another Cl-containing compound - getter Na+ ion to improve oxide quality : mobile charge reduction, BV increing selectively removes the lower film dictated by the PR pattern. The mask material is not limited to PR. Patterned films, such as SiO2 and Si3N4 thin film, by the PR mask could be used for another mask for further etching processes.Frontend ProcessClassification of Etch Process1. By etch method : Wet etch : Dry etch 2. By etch type : Isotropic etch (diffusion dependent) same etch rate in all directions : Anisotropic etch (crystal plane dependent) side etch bottom etchFrontend ProcessWet Etch vs. Dry EtchChemical reaction Low cost Hard to control direction Isotropic etch Limited 2D geometries No PR damage by plasma Excellent Selectivity Low polymer contaminationReactive Ion Etching (RIE) High cost Very directional Anisotropic etch Unlimited 2D geometries Plasma damage to mask Low Selectivity Suitable for small patternsWet etchDry etchFrontend ProcessFrontend ProcessFrontend process(Fabrication) A. Thermal Oxidation B. Lithography C. Etch D. Ion Implantation E. MetallizationIon ImplantSiC –Spin on Dielectric •SiO,SiO(C), SiOC, PSG Metallization –PVD ( Physical Vapor Deposition ) •Al, Ti, TiN, Ta, TaN, Cu –CVD / ALD ( Atomic Layer Deposition ) •W, TiN, Ti(Si)N, Ta, TaN, Cu, WN, TaC, WCN –Electroplating •Cu CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) –Dielectric CMP –Metal CMP : Cu, W, Al…...Frontend ProcessMetallization CMPFrontend ProcessMetallization CMPFrontend ProcessWhy Planarization ?1) Buildup of Topography by MLM2) Depth Of Focus (DOF) requirementFrontend ProcessBackend ProcessBackend process(Packaging) A. PackagingPackaging입출력 및 전원 단자들과 전기적 연결 습기나 먼지 등의 주위 환경으로부터 보호 기계적 충격에서 보호 완성된 집적회로 패키지를 인쇄회로 기판에 장착시키는 조립공정Backend ProcessPackaging 제조 공정1. Die Preparation1) Back grindingWafer의 뒷면을 갈아 내어 두께를 얇게 만드는 공정The heat-radiant effect of chip is maximized. Thin-Slim tendency of package. Sawing cost down Light weight-oriented device. Better bonding property are provided by improving surface finish of wafer.Backend Process2. Wafer Sawing1) 목적 - Die Attach를 하기 위하여 Tape Mount된}

공학/기술| 2008.05.20| 53페이지| 4,000원| 조회(648)

반도체, 공정, 웨이퍼, 발표

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웨이퍼 제조 공정(발표자료)

웨이퍼 제조공정 및 종류웨이퍼 제조 공정 - 반도체 제조 공정 개요 - 실리콘 단결정 제조 공정 - 실리콘 웨이퍼 가공 웨이퍼의 종류 - 물리적 구분에 따른 분류 - 웨이퍼 재료에 따른 분류 반도체의 종류 - 반도체 대분류 - Memory DetailAgenda반도체 제조 공정 개요실리콘 웨이퍼 제조 공정실리콘 단결정 제조 공정 - CZ 성장법A. PreparationCZ 성장법 Czochralski 의 고안 방법 주원료 - Poly silicon : Chunk Poly(덩어리), Granule Poly(알갱이) - Dopant : B for n-type, P Sb for P-type Stacking 석영 도가니에 Dopant  작은 Poly silicon  큰 Poly Silicon 순으로 쌓아 올림 돔 모양으로 StackingB. Melting전기히터로 석영도가니 가열 (1500 °C) 균일한 온도 유지 - 석영도가니 회전 Melt - Poly silicon 이 완전히 녹음C. DippingPoly Silicon 이 완전히 녹은 상태(Melt)에서 종자(Seed)를 접촉 시킴실리콘 단결정 제조 공정 - CZ 성장법D. NeckingSingle Crystal 에 결함이 발생하지 않도록 Seed 를 따라 성장하는 Crystal 의 직경을 최대한 줄이면서 끌어올리는 작업 Dipping 한 Seed 를 서서히 끌어 올리면 Single Crystal 이 Seed 의 결정 방향대로 달라 붙어서 올라옴 - 올리는 속도를 느리게 하면 직경이 커짐Ridge : Seed를 끌어올릴 때, 성장하는 Single Crystal 의 길이 방향의 선 Ridge 에 의해 Crystal의 방향이 결정 Ridge 가 3개이면 (111) Crystal, 4개는 (100) Crystal실리콘 단결정 제조 공정 - CZ 성장법E. ShoulderingF. Body GrowthShouldering 작업공정에서 목적 하는 결정 직경만큼 커졌을 때 그 결정을 그대로 목적하는 길이까지 유지하는 작 Ingot RemovalIngot 과 도가니를 냉각시키는 작업 2시간 정도 후, Ingot 과 도가니를 Growth Chamber 에서 제거 Necking 부분을 자른다.실리콘 단결정 제조 공정 - CZ 성장법A. Ingot SlicingIngot 을 일정한 두께의 웨이퍼 형태로 절단 I.D Saw : 1매씩 절단 Wire Saw : Multi로 절단 I.D Saw 의 Blade 두께 증가에 따른 Ingot의 손실 증가 및 절단 시간의 연장으로 생산성 저하  Wire Saw 를 사용실리콘 웨이퍼 가공 - Ingot ShapingB. Edge GrindingWafer Edge를 연삭 가공하는 공정 목적 : Wafer Edge는 매우 날카로워 후공정 진행시 Edge에 Chipping이나 Broken을 방지 및 Device 수율 저하 요인 제거Wafer를 일정한 두께로 평평하게 가공하고 Slicing에서 발생된 Saw Mark의 제거와 Scratch 등을 제거하기 위하여 적절한 입자 크기를 가진 연마제(Slurry)를 사용하여 목적하는 만큼 갈아내는 공정C. Lapping실리콘 웨이퍼 가공 - Ingot ShapingD. EtchingSlicing, Edge Grinding, Lapping 등의 과정을 거치면서 Wafer 표면 또는 Edge에 기계적 결함을 가지게 되며, 이 표면의 결합층을 기계적 방법이 아닌 화학적 식각을 통해 제거해주는 공정 식각 방법은 주로 혼합산을 사용하며 HNO3, CH3CooH, HF 혼합산에서 HNO3는 Si와 반응하여 SiO2를 만들며 SiO2는 HF에 의하여 제거되어진다.Silicon Ingot 에는 Dopant 농도를 능가하는 다량의 산소 원자가 불순물로 존재 Growing하는 동안 단결정이 300-500℃ 부근에서 정체됨으로 산소가 Electron Donor의 작용을 하는 특성을 띠게 되어 단결정의 원래 Resistivity를 변화시킨다. Thermal Donor는 700℃의 고온에서 급가열, 급냉각 시킴으로서 제거 Wafer광택을 나게하는 것을 의미 - 광원에 의한 굴절이 산란되는 결정표면을 경면으로 만들어 주는 것 Rough Polishing : 20um 정도 Removal시켜 평탄하게 연마 Finish Polishing : 평단한 웨이퍼 표면을 더욱 미세하게 약 0.5um정도 Removal 시켜 평탄도와 표면 반사를 높인다.G. Inspection Packing실리콘 웨이퍼 가공 – Inspection PackingA. Dopant 종류에 따른 분류N Type 반도체 : 5가 원소 (P, Sb)의 Dopant 사용 P Type 반도체 : 3가 원소 (B)의 Dopant 사용110 , 111 웨이퍼4인치 (100mm), 5인치 (125mm), 6인치 (150mm), 8인치 (200mm), 12인치 (300mm)웨이퍼의 종류 - 물리적 구분에 따른 분류B. Wafer 직경에 따른 분류C. 결정성장 방향에 따른 분류 Ⅰ[100] 방향 : 화학적으로 비교적 안정 [111] 방향 : 화학적으로 활성도가 비교적 높다. [100] 방향의 표면에 대한 공정이 [111] 방향의 wafer에 비하여 더디게 진행되지만 전기적인 특성이 비교적 오랫동안 변하지 않는다. [110] 방향의 실리콘 wafer 특성은 그 중간쯤이다. [100] 나 [111] 상태를 주로 사용하며 [110] 방향은 거의 사용되지 않는다.웨이퍼의 종류 - 물리적 구분에 따른 분류C. 결정성장 방향에 따른 분류 ⅡA. Silicon Wafer실리콘 - 산화물인 이산화규소로써 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재 - 지각의 1/3정도를 구성하고 있을 정도로 지구상에 풍부하게 존재 용도 : DRAM, ASIC, Transistor, CMOS, ROM, EPROM 등웨이퍼의 종류 – 웨이퍼 재료에 따른 분류B. GaAs Wafer갈륨(Ga)과 비소(As)의 화합물로 만들어진 웨이퍼 실리콘 반도체보다 스위칭 속도가 5~6배 빠르고 온도 변화에 강하며 전력 소비가 적다는 등의 장점이 있어 차세대 반도체로 주목 용도 : GaAs FET, 고온과 여러 환경에서도 완벽한 성능을 발휘 용도 : 광소자용으로 대부분 이용되고, 레이저 발생 소자인 LD(Laser Diode)와 Back Light 광원에 쓰이는 LED(Light Emitting Diode) 제작에 응용LD (Laser Diode) : 레이저를 발생시키는 핵심소자로써 DVD player, CD-ROM 등의 光 Pick-Up, 광통신용 모듈, 의료용 레이저 치료기, 산업용 레이저 가공기 등에 사용됨 LED (Laser Emitting Diode) : 옥외 전광판, A/V 기기, 자동차, 이동통신단말기 등의 Back Light로 사용되는 광원으로 그 용도가 매우 다양함웨이퍼의 종류 – 웨이퍼 재료에 따른 분류D. Quartz Wafer용도 : 전압을 가하면 압전기현상에 의해 고유 진동수로 발진을 하게 되는데, 이런 특성을 이용해서 정확한 주파수가 요구되는 전자 시계나 컴퓨터, 각종 통신 장비의 발진기 등에 널리 사용순수한 규산 광물을 석영(Quartz), 이들 중 투명한 결정을 수정(Crystal), 이러한 재료를 사용하여 가공한 웨이퍼를 Quartz Wafer 고순도 무수규산(SiO2)을 높은 온도에서 용융하여 제작 불순물의 함량이 극히 적고, 가스 함량이 적어 고온에서 매우 안정적인 반도체 재료웨이퍼의 종류 – 웨이퍼 재료에 따른 분류E. LN, LT WaferLN : LiNbO3로 제작되어진 웨이퍼 LT : LiNbO3로 제작되어진 웨이퍼 용도 : 휴대용 단말기, 무선전화기, 위치측정시스템(GPS)용 단말기 등의 핵심부품인 표면탄성파 필터 (Surface Acoustic Wave)의 핵심소재로 사용 SAW 필터란 광속으로 전달되는 전자기파 형식의 파를 속도가 아주 느린 음파(Acoustic Wave)의 형식으로 변환한 다음, 그 중에서 원하는 주파수의 파장만 뽑아내는 역할을 하는 부품LN WaferLT Wafer웨이퍼의 종류 – 웨이퍼 재료에 따른 분류F. MCT WaferHg (Mercury), Cd (Cadmium), Te (Tel/기능에 따라 주문 제작된 반도체비메모리 반도체반도체 시장의 25% 차지 D램, S램, 플래쉬 D램이 전체 메모리 시장의 60%차지반도체 시장의 80% 차지 Micro components : CPU와 같은 중앙 연산 처리 장치, 전체 반도체 시장의 15% Logic IC : 제품 특정부분을 제어 Analog IC : 음악과 같은 아날로그 정보를 다룸 개별소자 : 신호 증폭이나 스위치 등 단순한 역할 광학반도체 : 빛을 전기신호로 바꿔 주는 등 빛과 관계된 제품반도체의 종류 – 반도체 대분류B. 정보 저장 기능에 따른 분류메모리 반도체휘발성 메모리 : DRAM, SRAM (전원을 끄면 데이터 손실) 비휘발성 메모리 : Flash, MASK ROM, M-RAM, P-RAM, Fe-RAM용도 : PC의 주기억장치와 그래픽 카드의 메모리로 주로 사용 단점 : 일정한 주기로 refresh 동작을 해서 data를 보존해 주어야 하기 때문에 소모 전력이 큼 장점 : Flash Memory 에 비해서 동작속도가 빠르고 SRAM에 비해서 집적도가 큼 종류 : EDO DRAM, S-DRAM(Syncronous-DRAM), AS-DRAM(Asyncronous-DRAM), DDR-DRAM(Double Data Rate), R-DRAM(Rambus-DRAM)  DRAM Cell의 구조는 동일하지만 data 입출력을 어떻게 하도록 설계를 하였는가의 차이반도체의 종류 – Memory ICA. DRAM가장 먼저 개발이 된 메모리로서 속도와 소모 전력에 따라서 Low Power SRAM과 High Speed SRAM으로 구분 용도 : PC의 주기억장치와 그래픽 카드의 메모리로 주로 사용 종류 - Low Power SRAM : 동적 속도는 좀 느리지만 기기가 동작을 하지 않는 대기모드에서 소모 전류를 극소화 해서 주로 mobile 기기의 주기억장치로 쓰임 - High speed SRAM : 빠른 연산속도를 필요로 하는 중대형 이상의 컴퓨터들의 주기억 장치로 사용메모리의 속도가 SRAM과 D

공학/기술| 2008.05.20| 23페이지| 3,000원| 조회(778)

반도체, 실리콘, 웨이퍼, 발표

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우리생활과 은나노 평가A+최고예요

“우리의 생활과 은 나노”목 차Ⅰ.주제 선정 배경Ⅱ.은에 대하여1. 역사에서의 銀2. 銀의 어제와 오늘3. 은이란 무엇인가?4. 은의 특성Ⅲ-1.나노에 대하여Ⅲ-2.화학공학과 나노Ⅳ.Nano Ag에 대하여1.은 나노란 무엇인가?2.은 나노 제조법3.은 나노의 물성4.은 나노의 특성 및 응용Ⅴ.Nano Ag을 이용한 실제 제품Ⅵ.글을 마치면서Ⅶ.자료 출처Ⅰ.주제 선정 배경- 은을 몸에 지니고 있으면 오장이 편안하고 심신이 안정되며, 사기를 내쫓고, 몸을 가볍게 하여 명을 길게 한다.(본초강목)- 은은 간질 및 경기 등 정신질환과 냉대하와 같은 부인병에 특효가 있다.(동의보감)- 인체 내의 은 함량이 기준이하로 떨어질 때 면역력 저하로 질병에 걸릴 확률이 높다. (로버트베커박사)현재 조금만 주위를 둘러 보면 ‘Ag+나노‘라는 글귀가 적힌 상품들을 쉽게 볼 수 있다.이것은 은나노 상품이 기사화 된 제목인데 요즘 우리 생활 주위의 은나노 제품이 웰빙(well-being) 바람과 더불어 이슈가 되고 있다는 것을 단적으로 보여준다. 세탁기 에어컨 등 가전제품에서부터 구두·마루바닥재에 이르기까지 천연 항균 및 살균 기능을 가진 각종 은제품들이 나오지 않는 분야가 없다. 이는 옛날부터 음식을 소독하기 위해 은수저를 사용했던 우리 조상들의 지혜가 되살아난 모습과 같아 보인다.첨에 몇 번 듣지 않았을 때에는 새로 나온 제품일려니 하고 지나치던 것이 몇십번을 보고 나노 수업을 들으면서 그 작용원리나 효과 같은 기능에 관심이 쏠렸다.그래서 이 은나노라는 것을 조사해보게 되었다.먼저 은과 은의 특성에 대하여 알아 본 후, 나노와 은나노, 은나노의 제조와 현재 쓰이고 있는 응용 제품 및 분야에 대해 알아 보기로 하겠다.Ⅱ.은에 대하여1. 역사에서의 銀예로부터 우리나라에서는 은을 몸에 지니면 건강과 부귀가 따른다고 하여 은수저, 은비녀, 은장도 등을 몸에 지니고 있었다. 고대 그리스 로마인들은 은 식기에 음식을 보관하면 신선하게 오랫동안 보관할 수 있다는 것을 발견했다. 고대인도인들은 바이러스를 살균할 수 있습니다. 은이 단세포 병균의 소화나 호흡 등의 신진대사를 도와주는 효소의 작용을 무력화 시켜 병균을 살균하고, 방출하는 은이온(Ag+)의 전기적 부하가 병균의 생식기능을 제거하기 때문에 은과 접촉해서 6분 이상 생존할 수 있는 세균은 없다고 알려져 있습니다. 이러한 성질에 반하여 인체에는 안전하다는 것이 널리 알려졌으며 과학적으로도 증명되어 있다.또한 은(銀)은 악취 유발성 세균의 멸균과 곰팡이 방지, 부패방지로 인한 탈취기능이 있습니다. 세균은 인체 및 생활환경 조건과 비슷한 온도인 20-35℃, 함수율 50-70%의 조건에서 매우 빠른 속도로 번식하는데 은이온은 세균의 증식을 막고 살균을 하여 이로 인해 발생되는 각종 냄새들을 근본적으로 차단하여 탈취기능을 발휘하게 됩니다.은(銀)은 금속물질 특유의 성질로서 지구상의 물질중 2번째로 강력한 전자파차폐효과를 가지고 있으며, 나노 입상들이 판막으로 배열되면 광학적인 특성으로 자외선을 차단하여 화장품의 함첨제등으로 사용된다. 또한 은이온(Ag+)은 전기구동장치(TV,컴퓨터,휴대폰 등)내부로부터 발생되는 음이온(anion)을 중화시킴으로써 확실한 대전방지기능을 수행합니다.?위에서 나열한 특성 이외에 은은 수맥파 차단, 원적외선 방출, 음이온 방출, 항균, 항곰팡이 등의 성질을 가집니다.Ⅲ-1.나노에 대하여향균 살균과 같은 효능은 은 덩어리 자체로는 이룰 수 없는 것들이다. 가격이 비싼 은 덩어리로는 반응이 일어날 은의 표면을 크게 할 수 없기 때문이다. 그래서 나노기술이 필요하다.나노(nano)란 그리스 신화에 등장하는 난장이 나노스에서 유래된 말로써 ‘10억 분의 1’을 뜻하며, 1나노미터는 머리카락 굵기의 1만 분의 1에 해당한다.입자의 크기가m 단위의 작은 입자를 나노입자라고 한다. 단위는 nm를 사용한다. μm의 경우m로 약 1000nm가 되게 된다. 시야에 보일정도의 입자가 바로 μm단위이고 나노의 경우는 그보다 더 작은 눈에 보이지 않을 정도의 입자크기이다. 머리카락의 경우 5만 어떨까. 원목마루 바닥재업체인 '구정마루'가 출시한 마루바닥재는 은나노 입자코팅기술을 이용해 바닥재에 은나노를 입힌 것이다. 한국원사직물시험연구원 시험 결과 은나노 입자를 입힌 바닥재로 시공했을 경우 식중독균과 박테리아균을 99% 이상 살균하는 효과가 있는 것으로 나타났다고 한다.발냄새 잡는 은나노 구두발냄새를 잡아주는 은나노 구두도 나왔다. 최근 금강제화에서 출시한 은나노 구두는 가죽에 은나노를 적용, 구두 안에 서식하는 세균을 죽이고 균의 침입을 억제해 밀폐된 가죽 안을 청결하게 유지해 준다. 항상 발이 쾌적한 상태로 유지돼 착화감이 좋을 뿐 아니라 발냄새와 무좀으로 고민하는 사람들에게 적합하다.위의 기사에서 언급된 것뿐만 아니라 섬유 유연제, 치약, 은물제조기, 은 나노 비누, 젖병, 비데, 핸드폰, 컴퓨터 등등 여러 가지 분야에 응용되고 있는 것이 바로 은 나노이다.이와 같이 현재의 은나노에 대한 인식은 매우 긍정적이고 현재의 WELL-BEING바람을 타고 여러 분야에서 널시 사용되고 있습니다.2. 은 나노 제조법은의 표면을 넓히기 위해서는 은을 나노미터 단위의 미세한 입자로 만들어야 한다. 그러나 일반적으로 생각하는 것과 같이 나노사이즈의 입자를 만들기 위해서는 기존의 큰 입자를잘게 부수는 방법이 쓰일 수 없다. 이는 아무리 잘게 쪼갤려고 해도 쪼개는 물질에 닿는 표면의 울퉁불퉁함이 μm 단위 일 수 밖에 없고 이를 통해 나노 사이즈의 입자를 얻는 것은 효율이 매우 떨어지게 되기 때문이다.그렇기 때문에 나노입자를 만들어 주기 위해서는 다음과 같은 공정들이 필요합니다.이 공정의 경우 은을 용매에 녹인 뒤 원자단위로부터 시작을 하여 나노 사이즈까지 은 입자를 키워나가는 공정에 해당한다.세탁기를 예로 들자면, 수돗물이 공급되는 곳에 은판을 설치하고 여기에 전극을 연결시킨다. 물이 공급되는 동안 은판에 전원을 공급하면 은판이 전기분해 되면서 은이온(Ag+)이 빠져나가 물과 섞인다. 이때 은이온은 몇 개씩 뭉쳐서 콜로이드 상태를 이루어서 그 반응표면을 극대화시 기구류,위생도기, 타일, 욕실용품 등종이유아용 책,포장지,바닥재,벽지,화장지,각종 항균종이 등플라스틱밀폐용기,합성수지,합성고무,전선피복,각종 스폰지 등가전제품냉장고, 김치냉장고,공기청정기,정수기,가습기,에어컨, 세탁기, 전화기, 컴퓨터자판,마우스,리모콘,각종 스폰지 등의료탈지면,거즈,붕대,침구류,의복,타올,신발,가운,장갑, 보관용기, 의약용 살균제(소독제), 항생제 등기타놀이시설(놀이기구,항균성 모래),자동차용품(시트, 인테리어 용품), 애완동물용품,위생도료,피혁제품, 농축산용품(관리용품,원예용,포장재),정전기 방지용, 전자파 차폐용,자외선 차단제,전도성 수지,필름 등Ⅴ.Nano Ag을 이용한 실제 제품표 8 . 국내 홈쇼핑 사이트 검색 결과가전47건침구/커튼44건가정/주방용품32건생활건강용품25건디카/MP3/휴대폰/게임9건출산/유아/아동5건컴퓨터/주변기기2건패션잡화/명품2건스포츠/레져2건화장품/미용1건의류/속옷1건1. 은나노 냉장고와 은나노 세탁기은이 이렇게 각광을 받는 것은 무엇보다도 은의 탁월한 ‘항균ㆍ살균’ 효과 때문이다. 은과 접촉해서 6분 이상 생존할 수 있는 세균은 없다고 알려져 있을 정도이다. 이러한 은의 효과 때문에 세균 번식을 막고 곰팡이가 제거되어 냄새가 없다는 냉장고와 살균작용을 하는 옷과 세탁기가 가능한 것이다.냉장고의 원리는 안에서 번식한 세균이 내부 표면에 닿으면 은 이온과 만나 살균되는 원리다.그렇다면 세탁기에서는 어떻게 활용되는 것일까. 여기서는 위에서 은 나노 제조법에서 언급한 방식이 쓰인다. 수돗물이 들어가는 곳에는 은판과 전압을 가할 수 있는 은발생 장치가 달려 있다. 은판에 전압을 가하면 전자이동이 일어나 은이온이 빠져나오고 물속에 섞인다. 은 이온은 옷이나 물속에 있는 세균에 작용한다. 은판은 오랜 시간이 지나면 얇은 상태가 된다.학계에서는 은 이온이 세균의 세포 안에 들어가 세포벽을 손상시키는 것으로 설명한고 있다. 은나노가 세균의 단백질에 변성을 일으켜 세포의 활성화를 막고 결국 세포를 파괴하며, 또한 옷감에 코팅되은을 먹을 수도 있다. 그 중에 하나 은물이 있다.은물은 은 나노 입자를 포함한 물을 말한다. 하지만 은 나노만 들어 간다고 해서 은물은 아니다. 순도가 낮은 은물은 오히려 건강을 해칠 수 있다 .99.99%정도가 되어야 안전하다.은 자체는 체내에 축적이 되지 않는데 이는 몸에 필요량 이상 쌓이면 자연 배출되기 때문이다. 이때 나노 은이 노폐물과 화학적 반응을 일으켜 함께 몸 밖으로 나오게 된다. 또 은용액 안에 있는 은 이온 사이사이에 산소가 함유돼 있어, 이것을 먹을 경우 산소를 함께 공급받게 된다. 따라서 은물은 세포에 산소를 전달하고 노폐물을 배출시키는 역할을 하게 된다.9. 소독약과 소독제선뜻 믿기지 않을는지 모르지만, 의학계에서는 오랫동안 은을 천연의 완벽한 항생물질로 이용해 오고 있었으며, 그 효과도 합성적으로 제조한 인공 항생제와 대등한 것으로 판정되어 있다. 뿐만 아니라, 어떤 종류의 부작용도 수반하지 않는다.널리 알려져 있지는 않지만, 의학계에서는 1900년대 초이래, 은이 갖고 있는 미생물에 대한 저항력에 대하여 잘 알고 있었다. 실제로 은은 이제까지 알려져 있는 항생 물질 중에서도 가장 우수한 효능을 갖고 있다는 것이 의학적으로 입증되어 왔다.미국에서는 이미 은 나노 소독약이 기존 소독약을 대체하고 있다. 또 유럽에서는 수돗물을 소독할 때 염소 등을 쓰지 않고 은 용액으로 사용한 과산화수소를 쓰고 있다.은은 매우 적은 양으로도 강력한 살균작용을 할 수 있어 그 효과가 매우 뛰어나다고 하겠다. 물 1ℓ를 소독하는 데는 은 나노의 양은수ppm(0.001g)만 있어도 충분하다.은은 단순히 화학적으로 불활성 금속이 아니다. 지난 세기 동안 수행되어 왔던 의학적 연구 결과 은은 다양하게 의학적으로 이용할 수 있는 강력한 효능의 물질이라는 것이 확인되었다. 오늘날에도 은은 화상 치료, 눈, 귀, 코, 목 등에 생기는 감염, 염증, 기타 미생물에 의해 감염되거나 발병되는 염증 등 항생물질을 사용하여 치료해야 하는 질병들의 치료에 이용되고 있다.10. 라웠다.

공학/기술| 2007.04.18| 44페이지| 3,000원| 조회(598)

나노, NANO, ag, 기사화, 마루바닥재

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[공학]고분자 유기EL 발광재료

고분자 유기EL 발광재료제 1장 서 론제 2장 기술동향분석1. 기술의 개요가. 고분자 유기EL나. 고분자 유기EL 발광재료(1) PPV(Poly-Phenylenevinylene)(2) 폴리플루오렌(Polyfluorene) 유도체(3) PPP(poly(ρ-phenylene))(4) PT(polythiophene)(5) 인광계열2. 기술의 특성가. 고분자 패터닝법나. 시인성다. 풀컬러화라. 순도3. 연구개발 동향가. 해외(1) PPV와 그 유도체(2) 폴리플루오렌계 발광 고분자(3) PPP 계열 고분자(4) 인광계열 고분자의 개발나. 국내다. 전망제 3장 특허정보분석1. 분석의 범위 및 방법2. 해외특허동향가. 전체나. 미국다. 일본라. 유럽3. 국내특허동향4. 비교분석제 4장 시장동향분석1. 산업분석가. 고분자 유기EL 관련업체 분석나. 생산 현황 분석2. 국내ㆍ외 시장동향 분석가. 세계 시장 동향 분석(1) 현황(2) 업체 동향나. 국내시장 동향 분석(1) 현황(2) 업체 동향제 5장 결 론제 1장 서 론전통적으로 전자 소재로서의 고분자 재료는 전지를 흐르지 않게 하는 부도체 성질을 이용한 응용에 많이 치중되어 왔다. 반도체 소자의 패키징 재료나 포토리지스트 기술들이 이러한 범주에 속할 것이다. 이러한 전통적인 관점에서 볼 때, 전도성 고분자의 출현은 매우 생소한 것이라고 할 수 있다. 전도성 고분자의 연구는 1977년 도핑된 폴리아세틸렌이 금속 수준의 전도도를 보인다는 보고가 있은 후부터 현재까지 비약적인 발전을 거듭하였으며, 많은 화학자들의 노력으로 폴리아세틸렌 이외의 다양한 전도성 고분자들이 개발되어 이를 이용한 트랜지스터, 포토다이오드, 발광다이오드(LED) 등이 연구되어 왔다. 특히, 고분자 유기EL은 영국 Cambridge 대학 연구진이 전도성 고분자인 폴리(1,4-페닐렌비닐렌)(PPV)에 전기를 흘려주면 빛을 발한다는 것을 보고한 이후 많은 발전을 이루어 왔다. 이러한 고분자 유기EL은 경량, 박막, 자체발광, 저전압 구동, 빠른 스위칭 속도 등의benzoate의 환원에 이은 chlorination 반응들을 이용하여 합성할 수 있다. 이러한 단량체는 KOtBu와 같은 염기를 가하여 1,6-elimination을 일으켜 quinodimethane 유도체로 변환시켜줌으로써 비로소 진정한 고분자의 단량체가 될 수 있다. 이 중간체의 단량체는 라디칼 혹은 음이온 방법으로 중합이 일어나는 것으로 알려져 있으나, 아직까지도 어느 방식으로 중합이 일어나는지에 대해서는 결론이 나지 않은 상태이다. 중합에 의해 형성된 선중합체는 염기에 의한 elimination 반응으로 최종 공액 이중 결합 고분자로 바뀌게 된다. 이러한 중합과정에서 defects가 생겨날 가능성이 있으며, 이와 관련된 많은 연구 보고들이있다. 특히, head-to-head 중합에 의해서 생성되는 tolane-bisbenzyl(TBB)은 고분자 중합과정에서 가장 많이 발생하는 defects로 알려져 있으며, 이러한 defects는 고분자 유기EL 소자의 수명을 단축시키는 결정적인 역할을 하는 것으로 보고되고 있다. 이러한 defects를 최소화하기 위해서는 단량체 자체의 구조 디자인이 중요한데, 중합과정 첫 단계에서의 1,6-elimination이 어느 한쪽으로 일정하게 일어나도록 적절한 치환체를 도입하거나, 중합과정에서 head-to-tail로 일정하게 반응할 수 있도록 비대칭 구조의 단량체를 사용함으로써 최소화할 수 있는 것으로 알려져 있다.GILCH 중합법의 반응과정자료 : 이정익 외 5, 「고분자 전기 발광 디스플레이」, 한국 정보디스플레이 학회지, 제2권 제 2호, 2001. 4(나) PPV의 특성지금까지 전중합체를 거치는 다양한 PPV 유도체들이 합성되었으나, 최종 고분자가 용해성을 갖는 고분자는 매우 제한적이다. GILCH 중합법을 이용하여 합성된 고분자들을 보여주고 있다. PPV를 사용하여 얻을 수 있는 색은 녹색에서 오렌지-적색까지 가능하다. 즉 페닐 고리에 알콕시기와 같은 전자주게 치환체가 있을 경우에는 오렌지-적색을 얻을 수 있으며제1호, 2003. 22. 기술의 특성고분자 유기EL의 실용화는 아직 미비한 상태에 있다. 현재 소재의 성능 향상과 encapsulation 기술의 향상에 따라 디스플레이 응용에 필요한 시간을 쉽게 얻을 수 있게 되면서 소자의 수명문제는 어느 정도 해결되었지만, 고분자 패터닝법, 시인성, 풀컬러화 및 색의 순도 향상이 새로운 해결 과제로 떠오르고 있다.가. 고분자 패터닝법현재는 잉크젯 법이 유망한 기술로 인식되고는 있지만 소재가 개발됨과 동시에 고분자 소재의 특성에 맞는 디스플레이 제조공정을 개발할 필요가 있다.나. 시인성유기EL은 자체 발광하기 때문에 실외에서 직사광선에 직접 노출되는 경우 판독의 문제(Sunlight Readability)가 발생하여 옥외에서는 사용이 어렵다. 이를 해결하기 위해, 편광판을 사용하거나, 주위에서 입사광을 지우는 간섭층을 사용하는 방법이 검토되고 있다.다. 풀컬러화유기물은 에칭(식각)할 때 용재에 용해되거나 수분의 영향으로 열화하기 때문에 유기물과 유기막의 전극을 기존의 에칭(식각)법으로 패터닝하는 것은 불가능하다. 따라서 어떻게 해서든 적(R) 녹(G) 청(B)의 각 도트를 나누는 기술을 개발할 필요가 있는데, 현재 R, G, B 각각의 색으로 발광하는 화소를 나열하는 방식과 발광색은 전면을 청색으로 하고 청색광을 녹색광과 적색광의 형광으로 변환시켜 색변환층을 사용하는 방식 및 백색 발광소자와 컬러필터를 조합하는 방식 등을 이용하고 있다.라. 순도고분자를 합성하는 중합 과정에서 첨가되는 촉매가 완전히 제거되지 않는다거나, 화학적으로 구조가 약간 변형된 유도체의 형성 등에 의한 불순물이 잔존하기 때문에 순도를 높이기가 쉽지 않은 문제를 지니고 있지만 대화면 디스플레이로 응용할 때 저분자 소재에 비해 높은 가능성을 가지고 있기 때문에 고분자 유기EL 소재 개발에 관심을 가지고 있다.3. 연구개발 동향가. 해외(1) PPV와 그 유도체1990년 영국 Cambridge 대학 연구진이 PPV 유도체의 전기장하에서의 황녹색 자체발광을 EL 업체들이 양산 준비를 마치는 대로 본격 생산에 들어갈 계획이다. 국내 업체뿐 아니라 미국?일본 등 해외 업체들과도 판매 계약을 추진중이며, 이 제품을 공급해온 일본 업체와 비교해서도 성능적으로 전혀 부족함이 없을 만큼 충분히 시장 경쟁력이 있다는 것이 회사측의 판단이다. 이외에도 정공전달층(HTL), 발광층(EML) 등 유기EL 소재 전 분야의 양산 기술을 2004년말까지 확보, 오는 2005년경에는 세계 유기EL 소재 시장의 50% 이상을 차지한다는 전략이다.최근 디스플레이 분야를 강화하고 있는 (주)코오롱은 유기EL용 색소 개발을 적극 추진하여 일부 국산화와 수입 대체를 이루는 성과를 올렸다. 코오롱은 오는 6월 월 50만장 규모의 유기EL 생산 공장을 완공하는 등 유기EL 생산 강화에 맞추어 재료 개발 노력도 가속화한다는 계획이다.유기EL 전문 재료업체인 그라쎌도 최근 유기EL에 공통적으로 사용되는 전자주입물질과 수동형 유기EL용 적색형광물질, 능동형 유기EL용 적색인광 물질 및 녹색 인광물질의 개발을 마치고 일부 제품에 대해 샘플을 공급하는 등 사업화를 본격화하고 있다. 이 회사는 자체적으로 개발한 재료 외에도 수입되었던 기존 유기재료도 패널업체와 공동연구로 약 20여 종을 국산화한 상태이다. 이 회사는 현재 개발한 재료를 양산할 수 있는 설비를 구비하고 있으며 본격적으로 공급을 시작할 계획을 가지고 있다.다. 전망고분자 유기EL 소자는 매우 낮은 전압에서 높은 효율로 빛을 발광하며, 이미 이들의 효율은 디스플레이로 응용하기에 충분한 성능을 나타내고 있다. 또한, 그동안 고분자 재료의 문제점으로 여겨졌던 소자의 수명도 소재의 성능 향상과 encapsulation 기술의 향상에 따라서 디스플레이 응용에 필요한 시간 이상을 쉽게 얻을 수 있게 되었다. 그러나, 색순도, 발광효율 면에서 보다 더 개선된 소재의 개발은 계속 진행되어야 할 과제일 것이다.아직도 고분자 유기EL 디스플레이 기술이 현실화되기까지는 많은 장벽이 남아 있지만, 비교적 짧은 기간 동gated)고분자인 PPV (Poly (p-phenylenevinylene))에 전기를 흘려주면 빛을 발한다는 영국 케임브리지 대학의 연구발표에 기인한 것으로 생각한다.연도별 특허출원동향주요 출원인을 살펴보면, TOYO INK가 88건으로 최대 출원건수를 보이고 있으며, 그 다음으로 FUJI PHOTO FILM이 29건의 출원을 나타내고 있다. 주요 출원인에 선정된 출원인들은 EASTMAN KODAK을 제외하고는 모두 일본 출원인이었다.출원인별 특허출원현황국제특허분류(IPC)별 특허출원비율을 살펴보면, C09K-011/06 [.유기 발광성 물질을 함유하는 것 [2]] 에 출원된 건수가 123건으로 가장 많은 수를 차지하였으며, 다음으로 H05B-033 [전장발광 광원] 에 속하는 건들이 다수 출원되었다.국제특허분류(IPC)별 특허출원비율라. 유럽고분자 유기EL 발광재료에 관한 유럽특허는 1986년부터 출원이 시작되어 지금까지 총 63건이 출원되었다. 1990년대 중반이후 꾸준한 출원증가세를 이어가고 있다.연도별 특허출원동향출원인 국적별 점유율을 살펴보면, 유기EL 시장을 주도하고 있는 일본 업체의 출원이 두드러진다. 일본이 41건, 65%의 점유율로 가장 많은 출원을 하였으며 그 다음으로 미국이 15건, 24%의 출원 점유율을 보여 양국이 유럽내에서 90% 가까운 출원점유율을 보이고 있다. 그밖에 유럽국가들로 이탈리아, 영국, 프랑스 등이 출원하고 있다.출원인 국적별 점유율출원인별 특허출원현황을 살펴보면, 앞서 출원인 국적별 점유율에서 살펴본 바와 같이 일본과 미국 회사들이 다수의 출원을 하고 있다. EASTMAN KODAK, SUMITOMO CHEMICAL, TOYO INK가 최다 출원을 나타내며 그밖에 FUJI XEROX, SANYO ELECTRIC, SONY 등이 다수의 출원을 하고 있다.출원인별 특허출원현황국제특허분류(IPC)별 특허출원비율을 살펴보면, C09K-011/06 [.유기 발광성 물질을 함유하는 것 [2]] 에 29건 출원되어 50%를 넘는 on

공학/기술| 2007.04.18| 55페이지| 3,000원| 조회(906)

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[의학]노년기의 건강한삶 평가B괜찮아요

제목 : 노년기의 건강한 삶Ⅰ. 중년기1. 중년기의 발달1) 중년기의 신체적 발달2) 중년기의 인지적 발달3) 중년기의 성격발달2. 중년기의 정신건강1) 중년기의 정신건강2) 중년기의 정신건강 관리Ⅱ . 노년기1) 노년기의 신체적 발달(1) 노년기 신체적 변화 ⇒ 노화(2) 노화의 원인2) 노년기의 인지 발달(1) 노년기의 인지적 변화3) 노년기의 성격발달(1) 성격 발달의 특징4) 노년기의 활동3. 노년기 정신건강Ⅳ. 참고 문헌Ⅰ. 중년기성인중기 또는 중년기에 들어서는 연령을 명확하게 규정하기가 어려우나 성인중기는 대체로 35~45세 사이에 들어서며 55~65세 사이에 끝난다. 중년기는 최초로 쇠퇴의 징후가 나타나며, 개인적인 삶은 위축되고, 다음 세대에로의 전수를 생각해야 하는 시기이다.중년기의 신체, 인지 및 성격발달을 차례대로 살펴보자.1. 중년기의 발달1) 중년기의 신체적 발달■ 감각기능의 쇠퇴중년기에 가장 뚜렷하게 감퇴가 느껴지는 두 가지 기능이 시각과 청각이다.시각의 감퇴는 대체로 40~49세 사이에 나타나며, 노인의 대표적 징후이다. 실제로 중년 기 동안에는 가까운 것을 보는 데에도 어려움이 생긴다. 눈으로 가는 혈액공급이 감소되 어 시각의 범위는 좁아지는 반면에 사각범위는 커진다. 또 밝기에 대한 망막의 민감성이 낮아지기도 한다.청각은 감퇴가 가장 빨리 나타나는 감각기능으로서 40세경에 시작된다. 고음에 대한 민 감성의 감퇴가 먼저 나타나며, 50대에는 저음에 대한 감퇴가 시작된다. 직업적 소음으로 인해 남성의 고음 민감성 감퇴가 여성에 비해 빨리 나타난다.■ 건강상태중년기 동안 신체구조 및 기능의 변화로 인해 건강이 약화될 수 있다. 피부의 탄력이 줄 어 들고 주름이 생기며, 흰머리가 생기고 체중이 늘며, 배가 나오는 것은 보편적인 성인 중기 신체적 변화의 특징이다.그리고 개인의 성격 및 적응유형이 성인중기 수명과 직결되는 두 가지 대표적 질환인 심 장병. 고혈압과 같은 순환계 질환과 암의 발병률과 밀접히 관련된다는 사실이 밝혀지고 있다. 예남성호르몬 분비의 감소로 인해 성욕감퇴와 더불어 심리적인 의욕감퇴, 불안, 초조, 등의 갱년기 장애를 경험하는 것으로 알려져 있다. 그러나 50대 이후 남성 호르몬 감소 정도는 실제로 1년에 1%에 불과한 미미한 것이다. 따라서 흔히 남성 갱년 기 장애로 불리는 증상들은 생리적인 것이라기보다는 쇠퇴를 지각하는 심리적 반응에 기 인된 것으로 보인다.2) 중년기의 인지적 발달■ 지능의 변화종래에 지능은 20대 중반에 절정을 이루다가 30대 이후부터 서서히 감소되는 것으로 알 려져 왔다. 특히 중년기의 지능의 감퇴는 생물학적인 노화과정의 일부로 당연한 것으로 인정되었다. 그러나 근래에 중년기 지적 능력의 감퇴를 이전에 생각해온 것처럼 필연적 이거나 보편적인 것으로 생각하는 사람은 많지 않다. 이러한 변화의 근거는 지능연구의 접근방법의 변화와 지능유형의 구분에서 찾아볼 수 있다.지능발달의 종단적 연구를 통해 살펴보자. 1919년에 363명의 대학 신입생을 대상으로 지능검사를 실시하고 그 중 127명을 31년 뒤인 1950년에 다시 지능검사를 실시하여 그 결과를 비교한 연구결과에 의하면 언어능력은 의미 있게 증가하였고, 관계적 사고는 다소 증가하였으며, 수리능력은 약간 감소하였다. 이러한 종단적 연구결과를 종합해 볼 때 성 인 중기에 지능은 감퇴가 없는 것으로 판단된다. 종래에 지능의 감퇴가 일어나는 것으로 생각한 것은 횡단적 연구방법의 문제에 기인한 것으로 보인다.Cattell과 Horn은 지능을 유동성 지능과 결정성 지능으로 구분하였다. 유동성 지능은 유전적 요인에 의해 결정되는 지적능력이며, 뇌신경의 성숙에 의해 발달하며, 뇌세포의 손상과 쇠퇴에 의해 감퇴되는 지능이다. 유동성 지능은 정보처리의 속도, 유연성, 새로운 상황에의 적응력과 관련되며, 도형관계, 도형분류 등 관계적 사고와 귀남, 일반적 추론 능력으로 진단된다. 결정성 지능은 후천적 경험, 학습, 문화적 영향에 의해 습득되는 지능이다. 언어이해력, 기계적 지식, 논리적 의미관계 추론, 판단력, 경험적 평0~50세 사이에 필요한 시간 보 다 60% 가까이 증가한다. 이러한 사실은 정보처리속도에 비추어볼 때 중년기에 기억의 감퇴가 일어나고 있음을 보여주는 것이다.중년기 기억능력의 감퇴로 느껴지는 것은 모두 정보처리시간이 길어지는 데 기인하는 것 으로 보인다. 정보처리 속도 이외에 기억능력의 감퇴가 나타난다면, 기억과제의 연습량 의 감소가 주된 원인일 수 있다. 대체로 성인전기까지는 교육적 경험이 지속되지만 성인 중기에는 형식적 교육을 받을 기회가 극히 적으므로 기억과제의 연습량은 줄어들 수밖에 없다. 성인전기와 중기에 대학생으로 공부하고 있는 집단간 기억과제 수행수준의 유사성 이 성인전기 대학생 집단과 대학생이 아닌 집단간의 유사성보다 높다는 연구결과는 성인중기 기억의 감퇴가 연령보다 연습량의 감소에 있다는 가정을 뒷받침해주는 것이다.■ 전문성의 획득중년기에 전문성의 획득은 크게 두 가지 요인에 의존하는 것으로 판단된다.첫째는 특정분야에 대한 잘 구조화된 지식체계이다. 자동차의 구조와 기능에 대한 많은 세부적인 지식들이 장기기억 속에 체계적으로 저장되어 있을 때 자동차의 기능적 문제에 대한 빠르고 정확한 진단이 가능하게 된다. 이와 같이 특정 분야에 대한 구체적인 지식 체계를 영역특정지식 또는 지식기반이라 지칭한다.두 번째 요인은 보다 융통성 있고 창의적인 방략사용능력이다. 예를 들어, 창의적인 전 문 연주자는 그 곡을 연주하는 구조화된 규칙을 넘어서서 나름대로의 연주기법을 자유롭 게 구사할 수 있다. 노련한 상담자가 한 가지 이론적 관점에만 의존하지 않고 다양한 접 근들을 창의적으로 적용하는 것도 같은 맥락의 예이다.중년기는 자신이 종사하고 있는 분야의 지식과 기술에 있어서 보다 큰 전문성을 길러가 는 시기이다. 이러한 전문성의 증가는 중년기 인지발달을 특징짓는 중요한 증거 중의 하 나가 될 것이다.3) 중년기의 성격발달■ 과잉습관화일상의 반복적인 자극에 대해 주의가 감소되는 현상인 습관화가 나타날 수 있다고 지적 한다. 습관화는 중년기와 노년기에 일상의 습관까지의 중년 1400명을 대상으로 한 국내연구에 의하면 우리나라 중년들은 침체 감, 무력감, 불행감, 지루함 등의 정서적 위기를 삶의 의미에 대한 회의, 자아인식, 자기 탐색 등의 인지적 위기보다 먼저, 그리고 강력하게 느끼는 것으로 나타났다. 그러나 직업, 결혼, 자녀관계에 대한 불만족이 높고 개방적 성격일수록 삶의 구조를 새롭게 수정하려는 인지적 위기가 큰 것으로 나타났다. 우리나라에서는 중년기 여성의 위기와 스트레스에 관한 연구가 많이 이루어지고 있다. 자녀의 학업성적 진로 등 자녀문제는 중년기 스트레스를 유발하는 가장 큰 요인으로 지적되고 있다. 낮은 자아정체감, 폐경을 전후한 성역할 변화, 여가활동 부재는 중년기 여성의 위기를 유발하는 개인적 요인들이다.35~60세 사이의 우리나라 중년들이 중년기 위기감을 경험하는 정도는 자신이 회고하는 청년기 정체성 유형과 밀접한 관계가 있다. 청년기에 정체성 성취나 유실에 속했던 중년 들은 위기수준이 낮은 반면에, 유예나 혼미로 회고한 중년들은 위기수준이 높았다.■ 빈 둥지 현상중년기에 자녀가 독립해서 떠남으로서 부부만 남게 되는 현상을 뜻한다. 종래에 빈 둥지 현상은 자식이 떠나버린 공허감으로 인해 정서적 빈곤과 우울증으로 연결되는 중년기 문 제 현상으로 생각되어 왔다. 그러나 보다 근래의 연구들은 대부분의 중년들은 독립된 자 녀를 떠나보내며 안도와 행복감을 맛보며, 부부관계의 만족도 또한 높아지는 것으로 보 고 하고 있다. 이처럼 부부만족도가 높아지는 이유는 개인의 시간적 여유로 인해 더 많은 경험을 함께 공유하고, 상대방에 대해 더 많은 배려가 가능하며, 의사소통이 많아지고, 경제적 부담의 감소로 인해 더 많은 여가를 즐길 수 있기 때문이다.2. 중년기의 정신건강1) 중년기의 정신건강(1) 갱년기이 시기는 생물학 적 그리고 생리적 기능의 감소가 특징이다.일부 여성은 불안과 우울을 경험하고 남성은 생물학적 기능과 전반적인 신체적 강건함의 감소에 적응해야 한다.(2) 중년기 위기자신에 대한 회의, 스트레스, 불안따르면 노년기를 60세 이후로 정의 하고 있다. 우리나라 노년학자들은 노년이 시작되는 시기를 대체로 55~65세로 보고 있고 실제로 정년이 보통 55세에서 69세 사이이다. 이런 근거에서 60세 이상을 노인으로 보는 견해가 일반적이라 할 수 있다.반면에 우리나라 노인 복지법에서 규정하고 있는 노인은 65세 이상인 자를 지칭하고 있고 국민기초생활보호법에서 65세 이상을 노인으로 규정하여 수급권 대상 노인으로 지정하고 있으며, 사단법인 대학 노인 학회에서는 은퇴시기를 65세 이상의 노인으로 보고 있다.2. 노년기의 발달1) 노년기의 신체적 발달(1) 노년기 신체적 변화 ⇒ 노화우리는 노인하면 흔히 하얗게 센 머리카락과 쭈글쭈글해진 피부, 지팡이를 짚고 다니시는 노인을 연상한다. 노년기 신체변화를 의학적으로 살펴보면 몸의 모든 부분에서 다앙한 변화가 나타남을 볼 수 있다. 근육이 위축되어 귀와 가슴둘레가 줄어들 뿐 아니라 치아도 하나 둘씩 빠지게 되고 또 코가 길어진 것처럼 보이기도 한다. 이는 얼굴의 뼈 조직이 흡수되면서 코와 턱 사이의 거리가 짧아지고 신체 기능면에서도 많은 변화가 일어난다. 눈이 침침해지고 가는귀가 먹는다든지 하는 감각 기능의 쇠퇴도 보게 되지만 신체 내부적으로도 심장, 콩팥, 폐 등 전반적인 장기의 기능이 떨어진다. 영양분을 흡수하는 위나 장의 기능도 감소되어 그렇지 않아도 떨어져 있는 신체기능의 저하를 더욱 촉진시키게 되는 것이다.ㆍ 척추디스크의 감퇴로 인한 키의 감소, 약 2.5㎝.ㆍ 등뼈가 굽는다.ㆍ 팔, 다리, 얼굴 상부의 지방의 감소.ㆍ 턱과 몸통의 살은 늘어나 체형이 변함.ㆍ 머리카락이 희어지고 체모는 줄어 듬.ㆍ 주름이 생김, 피부가 건조해 짐, 자주 빛 나이 반점이 생김.ㆍ 뇌의 무게가 노년기 까지 10% 감소. (←대뇌피질부 뇌세포의 손상)ㆍ 전체 수면시간이 줄며 자주 잠에서 깸.ㆍ 가까이 다가오는 물체에 대한 시각적 예민성이 급격히 감소하며,하나 이상의 초첨이 형성되어 시야가 흐려짐, 밤눈이 어두워 짐.(2) 노화의 원인노화다.

의/약학| 2007.04.18| 9페이지| 1,000원| 조회(484)

정신건강, 노인, 발달, 중년기, 노년기

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