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  • ESS 및 UPS 이것만 알면 된다. 평가A좋아요
    ESS 란? ESS(Energy Storage System : 에너지 저장 장치)전력을 저장하여 필요할 때 사용함으로써 에너지 이용 효율을 향상시키는 장치로, 전력 수요가 적은 시간대에 남는 전력을 ESS에 저장한후, 전력 수요가 많은 피크 시간대에 쓸 수 있도록 돕는다. ESS Application가정용 ESS집에 ESS가 있다면 심야전력을 저장하여 낮 시간대에 저장된 전력을 사용해서 전력요금(보통 전기요금이라고 말하기도 함) 을 줄일 수 있다고 합니다. 더 나아가, 태양광이 설치된 가정이라면 낮 시간에 발생되는 태양광 전력을 저장하고 사용할 수 있습니다.집에서 사용하는 가정용 ESS에 저장할 수 있는 전력은 보통 3~10kWh 정도로, 크기는 일반 공기청정기에서부터 김치냉장고 사이즈까지 다양하답니다.
    공학/기술| 2016.02.02| 18페이지| 2,500원| 조회(371)
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  • PCB 노이즈 기술
    PCB 설계를 통한 노이즈 대책EMC: Electro Magnetic Compatibility(전파 환경에서의 양립성)EMC: Electro Magnetic Compatibility(전파 환경에서의 양립성)EMC 대책 기술각종 EMC대책 부품의 사용, PCB상의 고려사항 등기타내부 배선의 정리/적용Cable의 처리Filter의 선정 및 적용 : Normal, Common Mode 회로별 Filter선정Filtering회로별 Ground처리 Cabinet, Chassis, Cable의 Ground(low impedance)GroundingChassis나 Cabinet의 Shielding처리Shielding개발초기 단계에서의 고려사항 회로 부품의 신호별 배치, 격리, 배선, 동판, 파워플레인, Moat 등회로의 LAYOUT접지 기술전자기기 내부의 접지는 신호 그라운드(Signal Ground:SG)와 프레임 그라운드(Frame Ground:FG)로 나누어 볼 수 있다. 노이즈에 의한 트러블의 대부분은 이와 같은 FG계통과 SG계통의 레벨 변동이 원인인 경우가 많다.접지 기술0 VOLT로 기준 전위가 되고 있는 그라운드의 전위가 실제로는 다른 경우가 많은데, 시간적으로 변화되면, 기기의 정상적인 동작을 하기 어렵게 된다. 1.접지(earth)회로에 전류가 흐르면, 그것이 가지는 임피던스에 의해 전압강하가 일어나고, 기준전위가 변화되게 된다. 2.접지점(Grounding Point)이 여러 개이면, 접지회로가 루프(loop)를 형성하게 되고 그라운드 루프전류가 흐르고, 기준전위의 변화를 초래하게 된다. 정리하면, SG는 회로전류를 귀환 시키는 그라운드 이므로, 전류가 흐르는 그라운드이고, FG는 전류가 흐르지 않는 그라운드이다. 따라서, FG에 전류가 흐르면, 외부로 노이즈 방사 원인이 되기도 하고, 또한 외부의 전자계에 대한 감수성을 높이는 원인이 되기도 한다.접지 기술앞장과 같은 노이즈 대책으로는, 1. 접지회로의 임피던스를 가능한 한 적게 하고, 2. 접지회로에을 억제 시킨다.접지 설명다점접지일점접지(병렬접지)일점접지(직렬접지)일점 접지일점접지(직렬접지) 소자, 회로, 상호접속 등의 속도가 1Mhz이하의 범위일 때, 일점접지 접속이 최고이다. 이보다 높은 주파수에서 상호 접속 트레이스의 인덕턴스는 pcb임피던스를 증가시킨다. 더 높은 주파수에서는 전원 플레인과 상호 접속 트레이스의 임피던스가 눈에 띄게 된다. 1Mhz이상의 주파수에서는 일점 접지는 일반적으로 사용되지 않는다.(단, 예외도 있을 수 있다.)노이즈의 종류COMMON MODE(共通모드) 전원 공급 불균형에 대한 대책 DIFFERENTIAL MODE(差動모드) 신호선 루프에 의해 발생하는 방해 전자파 대책Common Mode 예 – 74LS04Common Mode 예 – 74LS041GATE의 전하량?정전용량 CL= 15pF Vcc=5V, TA=25℃ Tr = 6ns 15pF(NOT GATE 1개의 등가용량) x 6 = 90pF 정리하면 1개의 GATE를 움직이는데 필요한 전하량은 15pFCommon Mode 예 – 74LS04SWITCHING될 때의 소비 전류값전하량 Q = C x V15pF x 5V = 75pC6개의 GATE를 구동하려면 75pC x 6 = 450pC 20Mhz 발진기를 사용한 경우 450pC x 20Mhz = 9.0mC ∴ 9mA의 전류가 흐름Common Mode 예 – 74LS0474LSXX 전달경로 해석다른 IC의 구동, PCB 패턴의 저항성분 등을 고려할 경우 앞에서 구한 값보다 훨씬 많은 전류가 흐를 것으로 예상됨.Common Mode 예 – 74LS04PCB의 저항성분(1Oz기판의 경우)배선의 폭 : W = 1mm (절대값 아님) 배선의 높이 : h = 35um 배선의 길이 : L = A + B 구리의 유전률 : 1.724 x 10-8 Ω/m(20℃)Common Mode 예 – 74LS04IC의 구동 전류값6개의 GATE를 동시에 동작시킬 때 tpd (Propagation delay time) = 6ns H  L 로 변하는 선이 됨. IC의 동작 불가Common Mode 예 – 74LS04가설1의 해결책De-Coupling Condenser를 전압 강하가 일어나는 IC 옆에 달아주어 순간적인 충방전으로 전원을 보충해 준다. 흔히, BYPASS CONDENSER 로 불리 운다. COMMON MODECommon Mode 예 – 74LS0474LS04의 C 용량은?(가설2)74LS04에 필요한 콘덴서의 용량은? Q1 = Cp x 5V De-Coupling condenser에서 74LS04로 보충된 양 Q2 = Cp x (5 - δ)V De-Coupling condenser에 남아 있는 전하량 Q3 = 75pF x (5 - δ)V 74LS04가 사용한 전하량 전체 전하량 Q1 = Q2 + Q3 대입하면 δV/5V = 75pF/(Cp + 75pF) 효과적인 동작을 위해 74LS04의 마진을 5%가정하면Common Mode 예 – 74LS04가설2에 대한 해결책0.05 ≥ 75pF/(75pF + Cp) (75pF + Cp) ≥ 1500pF ∴ Cp ≥ 1425pF 1425pF의 실제 사용 가능한 용량값으로 바꾸면 약 2,000pF으로 하면 된다. TTL의 경우 가장 큰 용량이 필요한 경우는 0.047uF정도이므로 흔히 0.1uF을 사용한다.Common Mode 예 – 74LS04가설2에 대한 해결책2실제 제작에서 IC마다 De-Coupling 콘덴서를 모두 달 경우 좋기는 하겠지만 비용이 많이 든다. 각 IC의 종류마다 각기 다른 용량을 달아주기가 까다롭다. 그래서 0.01 ~ 0.1uF(103,104)의 세라믹 또는 적층 세라믹 콘덴서를 많이 사용한다. 특히 주의할 것은 QFP 같은 종류는 PIN이 100개 이상인 경우가 많다. 이런 경우 내부의 전원이 많이 필요하므로 PCB 설계시에 배치에 유의하여야 한다.Common Mode 예 – 74LS04배치 대책의 예Digital Board의 제작배선(PATTERN) 동판(COPPER) 내층 전원층(POWER PLANE) 20H규칙 MOAT 기Oz(온스) 1.6T(1.6mm) 기판에서의 동판의 높이 : 35 ㎛ 2 Oz = 70 ㎛ 1 Oz = 35 ㎛ 0.5 Oz = 18 ㎛동판의 규격Digital Board의 제작배선의 종류직각 45도, 135도 90도 ARC 135도 등간격 직선 135도 등간격 ARCDigital Board의 제작PCB 패턴저항의 산출X에서 Y까지의 저항 = (L x P)/(H x W) P : 체적 저항률 Cu의 경우 20ºC : 1.72 x 10-8 Ωm 100ºC : 2.28 x 10-8 ΩmDigital Board의 제작PCB 패턴저항의 산출 (예)H = 35㎛ W = 1mm L = 100mm Cu의 경우 20ºC : 1.72 x 10-8 Ωm 100ºC : 2.28 x 10-8 Ωm 이 경우 49.1 mΩ 을 산출할 수 있다.Digital Board의 제작패턴의 위치별 두께변화이론상 수치 직각 : 1.414 135도 : 1.082 호 : 1 실제 수치 직각 : 1.2 135도 : 1.04 호 : 1 선을 그릴 때 모서리 부분을 직각이 아닌 원형으로 그리기 때문에 이론 수치의 절반만 나옴.Digital Board의 제작특성이 좋은 패턴의 예각 배선간 간격을 등 간격으로 만든다. 모서리 부분의 처리는 직각이나 직선처리보다 는 호형으로 한다. 되도록 이면 짧게 배선한다. 버스패턴을 여러 개를 동시에 배선하지 않는다 (중간에 GND배선삽입)Digital Board의 제작3W의 법칙배선 두께를 W라고 했을 때 배선을 기준으로 좌(w`),우(w``)로 배선 두께 만큼 다른 배선의 간격이 확보되어 있다면 CROSSTALK가 일어나지 않는 것으로 본다.Digital Board의 제작배선길이의 중요성배선의 길이는 단순 연결에서 디지털 신호의 정확한 통합처리의 한 부분으로 바뀌었다. 배선의 길이가 맞지 않을 경우, delay time에 문제가 발생하고 동작이상으로 이어진다. 배선길이와 고속 신호의 처리는 신중히 고려 되어야 한다.Digital Board의 제작배선 기법도 변해야 한다.고판의 모서리 부분으로 집중되는 현상을 보임. 동판은 전원 또는 그라운드의 역할을 주로 수행하므로 순간적인 전위차를 보이는 경우가 많다. 가공시 주의사항 1. 모서리의 호가공 2. 배선, 동판과의 간격에 주의(3W규칙준수) 3. 기판의 상하 전위차 해소를 위해 같은 극성의 비아 를 약 2CM 간격으로 기판의 모서리에 설치할 것. 4. 그 외 상하 전위차가 생길만한 곳에 같은 극성의 비아를 설치할 것.(DRC에 주의)Digital Board의 제작Copper 사용에 따른 Noise 분석표피효과에 따른 전자파 분산 효과Digital Board의 제작COPPER 의 마감 처리직각, 45도, 135도 TRIM처리Digital Board의 제작정전기 방지 대책모서리 ROUND처리 간섭을 덜 받는 모델로 개선 처리할 것Digital Board의 제작POWER PLANE전원층은 differential mode에서 발생하는 노이즈 성분을 제거하기 위해 필요한 조치 중의 일부이다. 안정적인 전원공급 각 층별로 들어가는 내용에 따라 기판의 특성은 많은 차이를 보인다.Digital Board의 제작POWER PLANE 설정 규칙Digital Board의 제작20H 규칙다층기판 설계에서 주의사항으로서 여러가지 EMI를 줄일 수 있는 여건을 조성하는 과정에서 주의하여 고려할 사항Digital Board의 제작RF 에너지의 발생기판의 끝에서 전원과 그라운드의 PLANE사이에서 RF전류의 Fringing이 발생하여 RF방사가 발생 주로 고속의 PCB에서 볼 수 있다.Digital Board의 제작FRINGING의 감소기판의 끝에서 RF 전류의 Fringing이 일어나지 않는다. RF 전류가 결합하게 되는 리턴 플레인이 있다. RF 방사가 일어나지 않는다.Digital Board의 제작20H10H : PLANE의 임피던스 변화 시작점 20H : 70%의 자속경계에 도달한다. 100H : 98%의 자속경계에 도달 H = Prepreg의 두께로 대략 6mil 정도 사용됨Digital Boardw}
    공학/기술| 2010.07.31| 49페이지| 2,500원| 조회(916)
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  • PADS 2005 따라하기 평가C아쉬워요
    1. PADS PCB 라이브러리 만들기 따라하기1. PADS LAYOUT을 실행시킨다.2. 메뉴에서 Tools > PCB Decal Editor 를 선택한다.3. 하기 그림 메뉴에서 Drafting Toolbar를 선택한다.4. 새로 생긴 그림메뉴에서 Terminal을 선택한다.5. 그림메뉴에서 Select 화살표를 선택 한 후 PAD를 더블 클릭한다. 하기 그림에서 Pad Stack을 클릭한다6. 하기 그림이 생성되고 이 화면에서 내가 원하는 PAD로 만든다.7. 예로 사각형으로 만들어 보자7-1. 하기 그림과 같이 Setting 한다.주의 -SMD PAD만들시 하기와 같이 Inner layer와 Opposite Side의 Size는 0 로 한다. 7-2. 하기와 같이 원형이었던 PAD가 사각으로 변경된다. 7-3. PAD를 선택 후 Ctrl-C를 클릭한다. Ctrl-V를 하면 여러 개의 PAD를 COPY 할 수 있다.8. 상기의 내용을 가지고 아래와 같은 라이브러리를 만들 수 있다. 실크는 그림메뉴에서 2D Linn을 선택한 후 그릴 수 있다. 이때 실크는 반드시 Silk screen top으로 만든다. 실크 스크린을 더블 클릭하여 속성을 변경 할 수 있다.9. 단위 설정은 메뉴에서 Tools > options을 선택하여 Design units에서 변경 할 수 있다.10. 치수 측정은 키보드로 Q를 누른 후 enter 명령으로 치수 측정 가능또다른 방법으로는 그림메뉴에서 Dimension Toolbar선택 후 Horizental선택 정확한 측정을 위해 측정하고자는 하는 위치에 마우스를 옮겨 놓고 오른쪽 마우스 클릭 후 do not snap을 선택 후 측정한다.11. 또다른 방법으로 라이브러리 만들기.11-1. 그림메뉴에서 Wizard 그림 메뉴를 클릭한다. 그러면 하기 그림과 같은 메뉴가 생성된다. 하기 메뉴에서 내가 만들고자 하는 라이브러리를 만든다.
    공학/기술| 2007.07.14| 68페이지| 2,500원| 조회(5,845)
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  • [마이컴 I2C] I2C 통신 이것만 알면 된다. 평가A좋아요
    1. I2C-BUS 개요① 필립스사가 제안한 통신방식.② 주로 제어(control)용으로 쓰임.③ 2라인만 사용하여 병렬로 많은 수의 칩을 컨트롤 할 수 있음.(아래그림)* 클럭라인(SCL) : 동기용 클럭 신호* 데이터라인(SDA) : Address, Data, Acknowledge, Start & Stop④ 전송속도* Standard Mode : 100kbps* Fast Mode : 200kbps, 400kbps 가능하다.⑤ 디바이스는 고유의 어드레스(7비트)를 갖지며, 필요에 따라 Receiver와 Transmitter로 동작한다.2.하드웨어적인 구성SDA와 SCL은 모두 한 라인에 물리게 되는데, 다음과 같은 부과회로가 필요로 하다.Rs : 내부보호회로 (보통 100 Ω)Rp : Pull-Up저항 (보통 4.7 kΩ)
    공학/기술| 2004.10.21| 19페이지| 2,500원| 조회(10,552)
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  • [리튬이온전지] 전지와 리튬이온전지 평가A+최고예요
    1. 전지란물질의 화학적·물리적 변화를 이용, 이들의 변화로 방출되는 에너지를 직접 전기에너지로 변환하는 장치. 화학반응을 이용한 화학전지를 일반적으로 전지라 하는 경우가 많다. 물리반응을 이용한 물리전지로는 태양전지·원자력전지·열전지 등이 있다.2. 전지의 역사1791년 이탈리아의 L.A. 갈바니가 <개구리의 근육에 금속조각을 대면 수축하는 경우가 있다>는 현상에서 동물전기를 발견하였으며, 1800년 이탈리아의 A. 볼타가 서로 다른 금속이 하나의 액체를 사이에 두고 반대성질을 가진 볼타전지에 의해 기전력이 발생하는 사실을 발견하였다. 볼타전지는 오늘날의 1차전지의 기초가 되었고, 그 뒤 많은 전지가 고안되었다. 1939년 다니엘전지 이후로 이액산(二液酸)전지인 그로브전지, 분젠전지, 중크롬산전지라고도 하는 포겐도르프전지, 그리고 오늘날의 건전지의 근원을 이루는 클랑세전지가 고안되었으며, 그 뒤 많은 개량을 하여 현재의 1차전지의 주류를 이루는 망간건전지로 발전하였다. 1차전지는 비가역반응으로 1회의 방전밖에 사용할 수 없는 것을 말하며, 화학변화가 가역적으로 전류를 역으로 통해서 충전하면 반복사용할 수 있는 전지를 2차전지라고 한다. 2차전지는 1859년 프랑스의 G. 플랑테가 2장의 납판에 직류전류를 통하게 하여 그 납판에 2차적으로 기전력이 발생하는 것을 발견함으로써, 오늘날의 2차전지의 주류를 이루는 납축전지가 만들어졌다. 납축전지는 전해액으로 묽은황산을 사용하여 산전지(酸電池)라고도 한다. 이것과 달리 알칼리전해액을 사용한 2차전지도 주목받게 되어, 99년 스웨덴의 융너가 니켈카드뮴축전지(니카드전지)를, 1901년 T.A. 에디슨이 니켈철축전지를 연이어 발명하였다. 앞의 것을 융너전지, 뒤의 것을 에디슨전지라고도 하며 오늘날의 알칼리축전지의 주류를 이루고 있다. 현대의 전지는 각기 그 특성에 따른 분야에서 전자공학 등의 진보에 따라 고도화하는 요구를 충족시키기 위해 다종다양화되어 가고 있다. 〔표〕는 1차·2차전지에 대하여 실용화된 것, 또는 실용에 음극의 환원제 종류에 따라 결정된다. 산화제로는 이산화망간·산화수은·수산화니켈 등의 산화물과 금속할로겐화합물 등 많은 것이 사용되고 있다. 음극의 환원제는 대부분이 아연이었으나 최근에는 환원력이 큰 리튬·마그네슘을 사용하여 기전력이 큰 전지가 나오고 있다. 1차전지는 한번 써 버리면 다시 사용할 수 없는 것을 말하나, 최근에는 1차전지의 재충전도 시도되어 2차전지와의 경계선이 없어졌다. 1차전지에서는 망간전지가 가장 널리 보급되었으며, 전자기기의 진보에 따라 통형·막대형·적층형(積層型)·버튼형·코인형·박형(薄形) 등 다종다양하다. 망간건전지는 르클랑셰형건전지가 주류이며 트랜지스터라디오·테이프레코더·탁상용전자계산기·휴대용전등 등에 널리 쓰이고 있다. 알칼리를 전해질로 하는 알칼리망간건전지는 전지식면도기와 완구, 테이프레코더 등 높은 부하를 필요로 하는 기계용으로 적합하다. 적층형은 주로 카메라의 스트로보용으로, 박형은 적층형의 변형으로서 폴라로이드카메라용으로 개발되었다. 최근에는 페이퍼배터리 또는 시트배터리라고 해서 휴대용 전기기기용으로 상품화되었다. 수은전지·산화은전지는 활성물질이 비싸지만 전지의 방전전압이 평탄하고 큰 용량을 얻을 수 있으므로 소형전지에 적합하여 보청기나 EE카메라, 전자손목시계 등 버튼형·코인형이 보급되었다. 산화은전지는 재충전형의 것도 태양전지와 조합한 탁상용계산기 등에 쓰이고 있다. 고에너지밀도 1차전지로서 주목되는 것이 리튬전지인데, 음극에 리튬을 쓰고 전해액은 유기비수용액(有機非水溶液)을 쓴다. 양극은 플루오르화흑연을 쓴 것, 이산화망간을 쓴 것이 실용화되고 있다. 종래의 망간건전지의 약 2배의 고전압을 내며, 에너지밀도도 5∼10배이기 때문에 전자손목시계·카메라용 전원으로서 긴 시간 사용가능하다. 리튬전지는 전해질로 이온전기전도성이 있는 고체전해질을 사용한 고체전해질전지가 미국에서 발명되어 심장의 페이스메이커용으로 실용화되었다. 리튬전지는 전자기기의 소형화와 함께 앞으로 더욱 넓은 분야에서 이용될 것이다. 또 리튬전지의 2차전지화 실용 2차전지는 오랫동안 수많은 개량·진보를 거쳐 오늘날의 납축전지·알칼리축전지가 형성되었다. 그러나 2차전지에도 에너지저장으로서의 전력저장용축전지, 전기자동차동력원으로서의 축전지 등 에너지 변환·저장·이용을 위한 고성능전지의 요구와 수형·경량화 및 고에너지 밀도의 2차전지가 요구되고 있다. 종래의 개념을 바꾼 2차전지의 변혁이 현재 진행되고 있다4-3. 연료전지연료전지는 연료의 산화로 인하여 생기는 화학에너지를 직접 전기에너지로 꺼내는 장치이며, 일종의 발전장치이다. 종래의 화력발전이 연료를 연소시켜서 열에너지·기계에너지를 거쳐 전기에너지로 변환하는 것과는 달리, 연료전지는 직접전기에너지로 변환시켜 배열(排熱)도 이용 가능하여 종합발전효율이 높은 것이 주목되고 있다. 1893년 그로브의 원리가 발견된 뒤 미국의 우주개발에 이용되어 일약 각광받게 되었다. 연료는 수소·산소 등의 기체연료와 메탄올(메틸알코올) 등의 액체연료 등을 사용한다. 300℃ 이하에서 작동하는 것을 저온형, 그 이상의 것을 고온형으로 나누고 있다. 가장 실용화에 가까운 것은 인산전해질연료전지인데, 미국·일본 등에서 4.8MW의 것이 실증·실험되었다. 또한 분산형 발전을 지향한 40㎾의 연료전지도 시험하였다. 고온형은 저온형보다 발전효율이나 경제성을 향상시키고자 하는 것으로 제 2 세대·제 3 세대 연료전지로서 연구가 활발하게 진행되고 있다. 연료전지는 공해가 적으며 소음이 없고 경제성도 높으므로 앞으로 도시 내의 분산발전소로서 사용될 것으로 기대된다.4-4. 물리전지물리전지는 광전지·태양전지·열전지·원자력전지 등 물리현상을 이용하여 직접 전기에너지로 변환하는 장치이다. 광전지에는 사진의 노출계 등에 사용하는 황화카드뮴전지, 실리콘광전소자로 광에너지를 전기에너지로 변환하는 소자, 그리고 에너지변환장치로 주목되는 태양전지가 대표적이다. 특히 태양전지는 무한한 태양에너지를 사용해서 직접 전기에너지로 변환하는 태양광발전 시스템으로서도 기대되고 있다. 열전지는 열에너지를 직접 전기에너지로 변환하는으로 하고 전해질을 H2SO4(수용액)를 사용한다. 1860년경부터 실용적인 형태로 개발되었으며, 폭넓은 용도를 나타낸다. 비교적 균형 잡힌 성능을 보이나, 무겁고 에너지 저장 밀도는 높지 않다. 주 용도는 자동차용 전원, 잠수함 및 군용장비 등에 사용됨.-니켈카드뮴(Ni-CD) 전지Ni(OH)2를 양극으로 CD(카드뮴)을 음극으로 사용하며, 알칼리 수용액(KOH)을 전해질로 사용한다. 1899년 발명되었으며 고출력이 요구되는 산업용 및 군사용도에 이용되고 있음. 그러나 니켈수소 전지의 등장으로 그 이용이 잠식되고 있다.-니켈수소(Ni-MH)전지수소 저장합금이 개발되어 Ni-CD 전지에서 Cadmium을 수소저장합금으로 대체하고 용량도 증대시킨 전지가 Ni-MH전지이다. 90년대 초에 상용화되었으며 Ni-MH전지가 Ni-CD 전지에 비하여 불리한 것은 Power가 떨어진다는 것이다. Li-Ion전지가 나오기 전까지 전자 및 정보통신기기에 주로 채용되었으며 현재도 널리 사용되고 있음.-리튬이온(Lithium ion)전지Ni-CD 및 Ni-MH전지와는 성격이 전혀 다른 전압이 3.6V로서 기존 전지의 3배가된다. 리튬이온 전지는 양극에는 LiCoO2를 사용하고 음극에는 카본이나 Graphite를 사용하며 전해질은 유기 용매를 사용한다. 리튬이온전지는 경량화(輕量化) 고용량(高容量)을 실현하여 기존전지를 급속히 대체해 가고 있으나 가격이 비싸고, 안정성이 불완전하여 보호회로를 부착하여야 한다.-리튬폴리머(Lithium Polymer)전지(LPB)리튬폴리머 2차 전지는 한마디로 현재 시장을 장악하고 있는 리튬이온 2차 전지의 단점을 보안한 차세대 2차 전지로 정의할 수 있다. 리튬폴리머 2차 전지는 양극과 음극 사이에 폴리머 전해질을 끼워 넣고 그 외부를 집전체, 외장재로 씌운 구조로 되어 있다. 폴리머 전해질은 모노마, 유기용제, 전해질염 등 3종류의 물질을 혼합해 사용하며 양극에는 2PO₂를 음극에는 탄소재료를 사용한다.이와 같이 리튬폴리머 2차 전지는 점성이 높시킬 수 없을 때까지 반응을 한다.10. 리튬이온전지의 역사1912년 G.N. Lewis의 리튬전지 연구를 시작으로 1970년대 초에 최초의 비충전 리튬 전지가 상용화되었다. 1980년대에도 개발은 계속되었지만 안정성의 문제를 해결하지 못하였다.리튬은 금속 중에서 가장 가볍고, 우월한 전기 화학적 위치를 고수하고 있으며 대용량의 에너지를 제공한다. 재충전 전지의 전극을 리튬 금속으로 사용하면 높은 전압과 풍부한 용량을 제공받을 수 있으며 결과적으로 대단한 에너지 밀집체(密集體)이다.1980년대 이후 수많은 연구를 통해 리튬의 결정체들로부터 무차별적인 열의 상승에 주의해야한다는 결손 요인을 발견하게 되었고, 1991년 휴대폰에 장착되어 있던 Li-Ion 전지가 폭발하면서 사람의 얼굴에 튀어 화상을 입힌 후에 대량의 재충전 리튬 전지가 일본에 보내지는 Re-call 이 발생되기도 하였다.그 후, 리튬 금속 고유의 불안정성 때문에 Li-Ion Cobalt Dioxide(LiCoO2)같은 화학물질에서 나온 리튬을 쓰는 비금속 리튬 전지로 연구의 형태가 전환되었다. 비금속 리튬은 리튬 금속보다 에너지 밀도(密度)면에서는 약간 낮으나 안전하였고 충방전시 확실한 예방조치를 취할 수 있었다.Li-Ion의 에너지 밀도는 적어도 Ni-CD의 2배 이상이고 부하(負荷) 전류량(電流量)도 상당히 높다. 사실, Li-Ion은 방전 특성 면에서 Ni-CD와 상당히 유사하게 작용하며 쉽게 방전되지 않는 특성을 갖는다.Li-Ion 전지의 특성상 충방전시의 최대치는 제한되어야 하며 cell의 온도는 모니터 되어야 한다. 그러므로 각 Li-Ion 전지팩은 충전시 각 셀의 절정 전압을 제한하고 방전시 cell전압이 너무 낮게 떨어지는 것을 보호하는 PCM(Protection Circuit Module)을 갖추게 되었다. 이러한 예방조치로 인하여 과충전으로 인한 리튬금속의 석출 가능성이 배제되었다.기본적인 Li-Ion의 형태는 2가지로 Coke형과 Graphite형으로 구분되며 대부분의 제조사에원리
    공학/기술| 2004.10.16| 20페이지| 2,500원| 조회(3,064)
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2026년 04월 20일 월요일
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