*한*
Bronze개인
팔로워0 팔로우
소개
등록된 소개글이 없습니다.
전문분야 등록된 전문분야가 없습니다.
판매자 정보
학교정보
입력된 정보가 없습니다.
직장정보
입력된 정보가 없습니다.
자격증
  • 입력된 정보가 없습니다.
판매지수
전체자료 7
검색어 입력폼
  • 컴퓨터 바이러스 피해사례
    컴퓨터 바이러스1. 컴퓨터 바이러스컴퓨터 바이러스란 사전적 의미로는 '컴퓨터 프로그램이나 실행 가능한 부분을 변형하여, 그곳에 자기 자신 또는 자신의 변형을 복사하여 컴퓨터 작동에 피해를 주는 명령어들의 조합'이며, 생물학적인 바이러스가 생물체에 침투하여 병을 일으키는 것처럼 컴퓨터 내에 침투하여 자료를 손상시키거나 다른 프로그램들을 파괴하여 작동할 수 없도록 하는 컴퓨터 프로그램의 한 종류이다. 바이러스에 감염된 디스크로 컴퓨터를 기동시킬 때나, 어떤 프로그램을 실행시킬 때 바이러스가 활동하여 자료를 파괴하거나 컴퓨터 작동을 방해하고 자신을 복제하여 다른 컴퓨터로 전염시킨다. 이런 점이 생물학적 바이러스와 비슷하기 때문에 바이러스라는 용어를 사용하지만, 다른 일반 프로그램과 동일한 프로그램의 한 종류이다.발생 기원은 1949년 J.폰 노이만이 발표한 논문에서 프로그램이 자기 자신을 복제함으로써 증식할 수 있다는 가능성을 제시한 것으로부터 유래한다. 실제로 미국에서 1985년 프로그램을 파괴하는 악성 컴퓨터 바이러스가 처음 보고 되었고, 한국에서는 1988년 (C)BRAIN이란 컴퓨터 바이러스가 처음으로 보고되었다.2. 전 세계적으로 악명을 떨쳤던 바이러스① 예루살렘 바이러스1988년 최초의 프로그램에 실제적인 피해를 준 도스(MS-DOS) 바이러스인 예루살렘 바이러스(Jerusalem virus) 등장. PC통신이나 인터넷, 감염된 디스켓 등을 통해 컴퓨터에 침입, 컴퓨터 내에 들어있는 각종 파일 중 확장자가 '.com', '.exe'인 파일을 감염시키고 있다가 13일의 금요일 0시부터 24시 사이에 활동을 개시, 감염된 파일을 실행하면 그 파일을 지워버린다. 그 외 다른 날에는 감염 후 30분이 지나면 화면의 일부가 위로 올라가고 컴퓨터의 실행속도가 떨어지게 된다.파일 바이러스의 고전이라고 할 수 있는 이 바이러스는 전 세계적으로 가장 널리 퍼져 있으며 가장 많은 변형 바이러스를 가진 바이러스로 꼽힌다.우리나라에 유입돼 V3+의 전신인 VACCINE 프로그에 CIH V1.2라고 되어 있기 때문이다.)한국에는 1998년 6월초에 PC통신 자료실에 올려진 동영상 보기프로그램 무비플레이어 1.46판을 통해 감염되었다.) 이 바이러스는 윈도 95·98을 사용하는 컴퓨터에 인터넷 등 통신망을 통해 유포된다.PC에 장착된 하드디스크 안에는 새로운 파일을 저장할 때마다 공간을 지정해주는 주소록 기능을 수행하는 부분이 있는데, 이 바이러스는 바로 이곳을 파괴한다. 때문에 바이러스에 감염되면 PC가 어디에 무엇이 저장되어 있는지 파악할 수 없는 혼란에 빠져 파일을 복구할 수 없게 된다. 만약 기본 입출력 시스템(BIOS)이 감염되면 기판이나 플래시메모리칩을 교체해야 한다.예방책은 최신 백신프로그램을 전송받아 컴퓨터에 설치한 뒤 감염 여부를 진단한 후 감염이 확인되면 백신을 이용하여 치료한다. CIH V1.2 외에도 매월 26일에 활동하는 1.3버전과 TNT버전, 6월 26일에 활동하는 1.4버전 등 CIH의 변종바이러스가 계속 나타나고 있다.③ 마이둠 웜2004년 1월 26일, 마이둠은 불과 몇 시간 만에 이메일을 통해 인터넷을 타고 엄청난 속도로 전파되어 전 세계를 충격으로 몰아넣었다.) 이 웜은 특정한 우회 방법을 통해 전파되었는데, “메일 송수신 오류(Mail Transaction Failed)”라는 제목으로 이메일 에러 메시지처럼 보이게 위장하면서 첨부파일을 통해 전송되었다. 첨부파일을 클릭하면서 주소록의 이메일 주소로 웜이 전파된다. 마이둠은 또한 사용자의 카자(Kazza) P2P 네트워킹 계정의 공유 폴더를 타고 전파될 수도 있다.전파 속도가 절정에 올랐을 때, 마이둠은 전 세계 인터넷 속도를 크게 떨어뜨렸으며, 웹 로드 시간도 50%로 줄어들게 했다. 보안 전문가들은 마이둠이 퍼지기 시작한 몇 시간 동안 발송된 10개의 이메일 메시지 중 하나당 이 바이러스가 포함되어 있는 것으로 추정하고 있다. 마이둠은 2004년 2월 12일 활동을 중단하도록 프로그래밍 되었다.3. 피해사례① 블래스터 웜세계 22만7000 시스템해결되는 정도"라고 덧붙였다.감염된 전체 시스템중 48%가 미국 내 시스템이었고 영국, 캐나다, 호주, 아일랜드 순으로 감염피해가 나타났다.기업들은 일단 최악의 상황에서 벗어난 것으로 안도하고 있지만 가정의 PC 사용자들 고충은 여전한 것으로 전해졌다.카네기멜런 대학의 CERT 책임자인 마티 린드너는 "과거 어느 때보다 많은 전화가 일반인들로부터 걸려오고 있다"며 "PC가 자주 저절로 꺼졌다가 재부팅되는 바람에 바이러스 제거를 위해 필요한 정보조차 얻지 못한다."고 말했다.신종바이러스, 철도-항공망 ''강타''기사입력 2003-08-22 19:12 |최종수정2003-08-22 19:12최근 기승을 부리고 있는 신종 컴퓨터 바이러스들이 미국과 캐나다의 철도와 항공망에 일시적이나마 상당한 타격을 가한 것으로 뒤늦게 확인돼 관계자들을 긴장시키고 있다고 월 스트리트 저널 인터넷판이 21일 보도했다.저널에 따르면 가장 심각한 타격을 입은 것 중의 하나가 북미 3위 철도망을 운영하고 있는 CSX로 20일 ''블래스터 웜''의 공격 때문에 열차 운행에 차질이 빚어졌다.회사측도 바이러스가 침투하는 바람에 열차 운영 전산망에 차질이 빚어져 열차 운행이 지연-취소되는 상황이 빚어졌다고 확인했다. 회사 대변인은 "바이러스가 당일에 퇴치됐다"면서 그러나 "만약의 상황에 대비해 운행 정상화에 신중을 기하고 있다"고 강조했다.CSX는 미시시피강 동쪽에 모두 2만3000마일의 철도망을 운영하는 회사로, 미 최대 열차 회사인 앰트랙도 상당부분 이 철도망을 이용하고 있다.에어 캐나다는 지난 19일 역시 블래스터 웜의 공격을 받아 전화예약 시스템의 절반 가량이 한때 불통되는 피해를 입었다고 회사측이 밝혔다. 또 공항의 체크인 서비스도 일부 타격을 받은 것으로 전해졌다. 에어 캐나다는 바이러스로 인한 피해가 20일 완전 복구됐다고 강조했다.② ‘I LOVE YOU' 웜지구촌 '러브버그' 대란...50국 컴퓨터 300만대 먹통기사입력 2000-05-07 06:31 |최종수정2000-05-07 0뜬 변종 바이러스도 11개나 출현, 전 세계 기업과 개인 정부컴퓨터망에 무차별적으로 파고들고 있다.미국의 컴퓨터경제연구소 칼스배드는 "6일까지 세계적으로 26억1천만 달러의 피해가 발생했으며 곧 피해액이 1백억 달러에 달할 것"이라고 밝혔다.러브버그는 "ILOVEYOU"라는 제목의 e메일로 마이크로소프트의 윈도프로그램을 타고 전송되며 이것을 열면 모든 파일이 날아간다.동시에 e메일주소록에 적혀있는 다른 e메일로 "ILOVEYOU"메일이 자동으로 전송된다.이 바이러스는 작년 3월 지구촌을 강타, 3억 달러의 피해를 냈던 e메일바이러스 멜리사보다 속도가 2배나 더 빠른 최악의 컴퓨터버그다.영국 파이낸셜타임스지는 "러브버그가 앞으로 2주일간 더 지속될 것"이라며 피해액이 각종 컴퓨터바이러스에 의해 세계가 작년 한 해 동안 입었던 1백20억 달러에 육박할 것이라고 내다봤다.이와 관련 전문가들은 " "VeryFunny" "Joke" "Mothers Day" "Susitikim"이란 이름을 가진 변종 버그들도 11개나 돌아다니고 있다"며 출처불명의 이상한 e메일이 오면 절대 열지 말고 삭제하라고 충고했다.이중에서도 "Mothers Day"버그는 미국의 어머니날(14일)까지 세계를 돌아다니며 피해를 입힐 것으로 우려했다.미국의 인터넷보안업체인 트렌드마이크로는 이미 미국에서만 2백50여만 개의 컴퓨터 파일이 손상됐으며 세계적으로 3백8만여 개의 컴퓨터가 러브바이러스에 감염됐다고 말했다.미국의 경우, 의회와 백악관 국방부 연준리(FRB) 유엔본부등 주요 기관과 수많은 개인컴퓨터가 러브바이러스에 오염됐다.기업들의 피해도 막심해 포드자동차 메릴린치, 마이크로소프트등 미국 5백대기업 중 3분의 2가 공격당했다.미국 인터넷연구업체 테크놀로지이밸류에이션은 "지금까지 주요국의 모든 e메일 시스템 중 러브버그에 감염된 e메일이 미국에서는 25%,영국 30%,스웨덴 80%에 달한다."고 밝혔다.③ 슬래머 웜[인터넷 마비 사태]사상 초유의 인터넷 대란…전국 비상 (종합2보)기사입력 2003-통 사태가 처음 발생한 것은 이날 오후 2시경.KT 서울 혜화전화국의 DNS(도메인 네임 서버)에 해외로 가는 이상 데이터가 다량으로 유입되면서 전국의 인터넷 서비스가 완전히 다운됐다.이 사고로 인해 KT의 인터넷 뿐 아니라 하나로통신, 두루넷 등 여타 회사의 인터넷 서비스도 동시 다발적으로 다운됐다. 특히 유선인터넷 뿐 아니라 무선인터넷, 행정전산망까지 다운돼 '인터넷 먹통' 상태를 초래했다.KT측은 사고 발생 2시간 여 만인 이날 오후 3시 45분경 '인터넷을 복구했다'고 발표했다. 하지만 일부 지역에서는 여전히 인터넷 접속이 원활하지 못한 상태인 것으로 알려졌다.KT는 이번 사고에 대해 "DNS서버는 인터넷 접속을 위해 사이트 이름을 적어 넣으면 이를 IP주소로 변환해 주는 것"이라고 밝히고 "KT는 전국에 5개 DNS서버를 운용하고 있으며 혜화전화국 DNS서버가 메인 서버여서 전국적으로 인터넷 불통 현상이 발생한 것"이라고 설명했다.◆ 보안업계 "신종 웜 때문"보안업계에서는 이번 사건이 신종 웜의 공격 때문인 것으로 분석하고 있다.안철수연구소(대표 안철수 www.ahnlab.com)는 이날 오후 9시40분 경 보도 자료를 내고 이번 사건이 해킹에 의한 것이라는 초기 추측과 달리 신종 웜에 의한 것으로 보인다고 주장했다.또 "이번 사건은 우리나라 뿐 아니라 미국, 호주, 캐나다 등지에서도 나타나고 있는 현상"이라며 "MS-SQL 서버에 신종 웜이 감염되어 DNS에 계속 접속을 시도하기 때문에 과부하로 인해 DNS가 다운되는 것"이라고 밝혔다.안연구소 측은 이번 인터넷 불통 사태는 DNS 서버가 직접 공격으로 인한 것이 아니라, MS-SQL 서버 간 공격으로 인해 간접적으로 DNS 서버가 다운된 것으로 드러났다고 강조했다.또 이 웜은 파일 형태로 존재하지 않고 코드레드처럼 메모리에 상주하는 형태로 전파되는 것으로 추정된다고 밝혔다.하우리(대표 권석철, www.hauri.co.kr) 역시 국내 인터넷 서비스를 마비시킨 주범은 분산서비스거부 공격(DDos) 공섰다.
    공학/기술| 2008.12.08| 7페이지| 2,000원| 조회(3,362)
    미리보기
  • 오류검출코드
    1. 패리티 체크 비트 (Parity Check Bit)- 가장 간단한 오류 검출 방식- 송신측에서 전송될 프레임에 오류 검출을 위한 특수한 비트(패리티 비트)를 추가하여 전송하고, 수신측에서 수신된 문자의 비트와 이 패리티 비트를 합하여 1의 총계를 계산하는 방식- 수신측에서 정보 비트와 패리티 비트를 비교하여 같으면 오류가 없고, 다르면 오류가 있다고 판단- 전송 정보비트수가 적고, 오류 발생률이 낮은 경우에 주로 사용- 비동기 전송과 문자 중심 방식의 동기전송에서 가장 널리 사용되는 방식* 패리티 체크 방식의 종류① 짝수(우수) 체크(even parity check) ? 코드화된 내용 중에 1을 값으로 가지는 Bit의 개수 가 짝수개가 되어야 한다는 규칙을 적용하는 방법임. 그러므로 이 경우에? 코드화된 내용에 1의 개수가 홀수 개라고 한다면 ? 체크비트(parity bit 라고도 함)의 값은 1이 됨.? 코드화된 내용에 1의 개수가 짝수 개라고 한다면 ? 체크비트의 값은 0이 됨.② 홀수(기수) 체크(odd parity check) ? 코드화된 내용 중에 1을 값으로 가지는 Bit의 개수가 홀수개가 되어야 한다는 규칙을 적용하는 방법임.ex) ? 0100001 이라는 문자(바이트 내에 있는 1의 수가 짝수이므로)홀수 패리티가 사용되면 -> 01000011짝수 패리티가 사용되면 -> 01000010? 0100010의 패리티짝수-> 01000100홀수-> 01000101※ 컴퓨터가 패리티 체크하는 중이라는 말은 쉽게 말해서 패리티 비트의 개수의 홀/짝 여부를 확인하는 중이라는 말로 이해하면 된다.③ 수평 패리티 검사: 수평 방향으로 전송하려는 문자열(제어 문자를 포함)을 적당한 길이의 한 블록단위로 구별해서 패리티 비트를 부가하여 각 부호화 된 비트에 대한 "1"의 수를 세어 개수가 우수 또는 기수가 되도록 수신측에서 양부를 판정하여 오류를 검출하는 방식④ 수직 패리티 검사: 수평 패리티 검사 방식과 동일하나 단지 한 블록마다 수직 방향으로 패리티 비트를 부가하여 오류를 검출하는 방식⑤ 수평/수직 패리티 검사: 수평/수직 패리티 검사를 동시에 병행하는 방식* 단 점- 전송된 오류 비트수가 동시에 2개 이상인 경우에는 검출이 불가능- 전송 오류가 발견되더라도 정확한 위치를 알기 어렵다.- 이러한 단점을 해결하기 위한 방식으로, 블록합 검사(Block sum check)방식과 순환 잉여 검사(CRC : Cyclic Redundancy Check)등이 있다.2.블록 합 검사(Block Sum check)- 패리티 검사의 단점을 보완하는 방식으로, 각 문자 당 패리티 체크 비트(수평 패리티체크)와 전송 프레임의 모든 문자들에 대한 패리티 문자 (블록 합 체크문자, 또는 수직패리티 체크)를 함께 전송하는 방식- 즉, 각 문자 당 패리티 비트를 할당하고, 프레임의 전체 문자에 대해서 문자크기 만한잉여 패리티 비트를 모두 검사하는 기법- (송신측에서) 프레임의 끝에 블록 합 문자를 추가하여 전송- (수신측에서) 수신된 프레임의 문자들에 대해서 블록 합을 계산하여 이것과 송신측에서 전송한 블록 합 문자를 비교하여 오류를 검토- 이때, 두 값이 같으면, 오류가 없는 것- 같지 않으면, 1비트 오류는 위치까지 알 수 있다. 2비트 오류이면 위치는 알 수 없으나,오류여부는 판단 가능* 단점- 연속된 두 개의 문자에서 같은 위치의 두 개의 비트들이 오류인 경우는 검출 이 불가능3. 순환 잉여 검사 (CRC : Cycle Redundancy Check)- 오류가 한꺼번에 많이 발생하는 비트들(burst error)에 대한 블록 합 검사의 단점을 해결할 수 있도록 하는 방식 (즉, 집단 에러를 해결하기 위한 방식)- 다항식 코드(Polynomial code)를 사용한 에러 검출 방식 (다항식: 패리티 검사와 블록 합 검사 방식으로는 집단 오류를 검출할 수 없다. 이를 개선한 방식)- 검사부는 프레임 단위로 에러 검출 위한 코드를 계산하여 프레임 끝에 부착하는데 이를 FCS (Frame Check Sequence) 혹은 CRC 디지트라고 함?- PC통신에서 upload/download 수행 시에 수신기에서 에러 검출 코드로 사용- 다항식의 4칙 연산은 Modulo-2 연산?? ? ? 캐리(carry)가 없는 2진 덧셈(exclusive-OR 연산) 사용????? 예) 1111 + 1010 = 0101, 11001 * 11 = 101011- 가장 신뢰성 있는 검사 코드? * 순환 중복 검사의 원리???? 송신기는 전송할 k 비트 메시지에 대해 n 비트의 에러검출 코드(FCS) 생성??? ? (k+n) 비트로 구성된 전송 프레임이 미리 정해진 숫자(G)로 나누어지도록 n 비트의 값(FCS)을?결정?? ? ? 수신기는 수신된 프레임을 같은 숫자(G)로 나누어 나머지가 없으면 에러가 없는 것으로 간주그림. CRC방식의 원리4. 해밍코드 (Hamming Code)- 패리티 비트(Parity Bit)에 의한 오류 검출은 단지 오류 검출만 되지만 해밍코드(Hamming Code)는 오류 검출 후 자기 정정까지 가능한 부호- 두 개의 오류가 동시에 발생되면 검출이 불가능- 비동기식에 많이 이용- 7bit로 구성(3bit 오류 검출 비트, 4bit 정보비트)ⓐ 1, 2, 4행에는 ? 패리티 Bit(C1, C2, C4)가 들어가고,ⓑ 3, 5, 6, 7행에는 ? 정보를 나타내는 Bit가 8, 4, 2, 1이라는 웨이트로 들어감.1234567C1C28C4421- 해밍 코드의 패리티 Bit(C1, C2, C4)는 다음과 같은 기능을 함.ⓐ C1 ? 행 1, 3, 5, 7에 대하여 짝수 패리티 체크를 하고,ⓑ C2 ? 행 2, 3, 6, 7에 대하여 짝수 패리티 체크를 하며,ⓒ C4 ? 행 4, 5, 6, 7에 대하여 짝수 패리티 체크를 함.- 위의 규칙으로 C1, C2, C4가 각각 짝수 패리티 체크의 규칙에 맞는지 여부를 점검하여 에러를 발견하여 교정함.* 해밍 코드의 오류 검사예) 짝수 규칙을 사용하고 C3,C2,C1 검사내용이 101이므로 10진수 5가 되어 다섯 번째 비트가 잘못되었음을 알아낸다.비트열구분1234567검 사 내 용원래코드오류코드C1검사C2검사C3검사검사결과111111*************1000001이 홀수 개 = 11이 짝수 개 = 01이 홀수 개 = 1C3,C2,C1=1015. 체크섬 (Checksum)- 체크섬(checksum)은 중복 검사의 한 형태로, 오류 정정을 통해, 공간(전자 통신)이나시간(기억 장치) 속에서 송신된 자료의 무결성을 보호하는 단순한 방법- 기본적인 메시지 구성 요소(보통 비트)를 추가하여 결과 값을 저장함으로써 동작- 나중에 누구나 데이터에 같은 작업을 수행할 수 있고, 무결성 검사에 대한 결과를 비교할 수 있으며, (체크섬이 맞아 떨어지는지 확인해 봄으로써) 메시지가 손상되지 않았다고
    공학/기술| 2008.10.07| 5페이지| 1,000원| 조회(2,074)
    미리보기
  • Photo Lithography
    2. Photo Lithography(0) 리소그래피 기술의 개요2-리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치))에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를 마스크로 한 기판막을 에칭하고, 불필요해진 포토레지스트를 제거하기까지에 이르는 일련의 프로세스 흐름을 말한다. 기판막을 에칭할 목적이 아닌, 이온 주입의 마스크로서 포토레지스트의 패턴을 형성하게 되는 경우도 있다. 포토레지스트에는 그 밖에도 평탄화를 위한 희생막으로서의 용도 등도 있다. 리소그래피 공정은 반복되는 각종 기본 가공기술의 중심이며, 클린룸 내의 물류는 리소그래피 영역을 중심으로 행해진다.그림 ) 리소그래피 공정의 플로은 리소그래피 공정의 흐름을 나타낸다. 크게 나누면 포토레지스트 도포, 패턴 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거 순으로 공정이 완결되지만, 실제로는 미세한 각 처리가 그 사이에 이루어지고 있다. 예를 들면 기판 표면의 상태에 따라서는 포토레지스트를 도포하기 전에 기판과의 밀착성을 향상시키기 위한 표면 개질, 즉 계면활성제 도포에 의한 소수성화처리가 필요해진다. 재료로서는 HMDS(Hexamethyl-Disilazane)라 불리는 유기막을 도포 또는 증기처리 한다. 이로써 소수성화 된 표면과 포토레지스트와의 밀착성이 향상된다.도포 후 또는 현상 후 이루어지는 베이킹)도 중요한 공정이다. 현상공정에서는 각 개별의 프로세스 유닛이 디바이스 메이커의 요구에 따라 통합화되어 스테퍼와 접속된다.스테퍼에는 10:1의 축소에서 시작하여 5:1, 4:1등이 있고, 1:1의 스테퍼도 이용된다. 축소투영의 장점은 필요한 패턴 사이즈를 확대한 마스크가 이용된다는 것이다. 이렇게 함으로써 마스크 패턴의 결손이나 미스, 파티클 등이 웨이퍼에 전사되는 위험이 경감된다.스테퍼는 고도의 조명계, 광학계와 정밀구동 메커니즘과의 융합체이며, 광학기기 메이커의 오랜 기술력 집적에 의해 가능해진 초점심도(DOF)와의 관련을 제시한다.그림 3) 스테퍼에 의한 해상력, NA,파장, 초점심도의 관계스테퍼의 고성능화가 진행될수록 대신 초점심도가 옅어진다. 해상도를 높이기 위해서는 노광하려고 하는 기판 표면의 평탄성이 요구되기 때문에 다음에 서술할 평탄화 기술이 중요하다. 248nm의 파장을 가진 KrF 엑시머 광원에 뒤이어 193nm의 파장을 가진 ArF 엑시머 광원을 이용함으로써 0.1㎛ 레벨의 패턴 해상도 가능해질 것으로 보인다. 단, 그렇기 위해서는 광원의 안정화나 새로운 포토레지스트의 개발?성능이 향상되지 않으면 안 된다.그림 2) 패턴의 맞춤정도, 치수정도의 추이(1) 리소그래피 기술의 응용리소그래피 기술의 응용은 웨이퍼인 기판 위에 미세 패턴을 형성하는 것이다. 패턴 형성에는 CVD나 PVD처럼 막을 퇴적하는 경우와, 반대로 미세한 홈이나 구멍을 형성하는 경우가 있다. 아이솔레이션, 트렌치 커패시터 등의 구조에서는 패턴 폭만이 아닌, 깊이나 벽면 형상 등의 제어가 필요하며, 대부분 에칭상태의 좋고 나쁨으로 성능이 결정되어 버린다. 선택산화공정(LOCOS)을 위한 실리콘 질화막 패턴의 형성은 직접 트랜지스터의 치수를 결정하는 공정이며, 극히 높은 정도가 요구된다. 게이트 전극, Al전극?배선 등은 다른 재질의 막이 적층구조를 형성하고 있기 때문에, 패턴 형성을 위한 에칭기술의 확립이 필요하다.향후 패턴 형성에서 가장 중요한 기술로 생각되는 것이 실리콘 산화막에서의 콘텍트 홀 및 비어 홀의 형성이다. CMP 같은 평탄화 기술이 도입되면, 미세화하기 위한 메탈 배선 패턴을 에칭으로 형성하는 것이 상당히 곤란해지고 더욱이 드라이에칭이 불가능한 Cu막 등이 이용되어진다고 할 때, 메탈 패턴을 직접 형성하기 보다 CMP를 응용하여 SiO2막 내에 메꾸어 넣는 다마신(Damascene)이라 불리는 방법을 이용할 가능성이 높기 때문이다. 따라서 다층 배선구조의 진전과 함께 SiO2 에칭이 반복되는 빈도는 더욱 높아진다. 이상과 같은 패턴 형성에 있어서 중요한 적 반응을 촉진시켜주기 때문에 이 과정은 필수적이다.① DUV post-exposure bake (PEB)PEB동안에 DUV resist의 빛에 노출된 부분은 식각액에 잘 용해될 수 있게 변하게 된다. UV exposure동안 Photoacid generator(PAG)는 노출된 부분에 acid를 발생시키고 나서 식각액에 의해 잘 식각되도록 PEB는 resist에 열을 가하게 된다. 이때 resist는 acid-catalyzed deprotection 반응을 일으키게 된다.② Conventional I-line PEB실용적으로 PEB가 사용되는 곳은 conventional DNQ-novolak i-line resist이다. PEB는 soft bake step 에서 얻은 것과 같은 몇몇 효과를 가져 오게 되는데, 예를 들면 이렇다. resist에 남아있는 4~7% 정도의 solvent를 2~5%정도를 감소시켜준다. PEB가 i-line resist에 가져다주는 가장 큰 이익은 exposure동안생긴 standing wave defect을 감소시켜주는 것이다.Standing wave defect의 생성은 아래 그림에서 잘 나타내주고 있다. substrate에 반사된 가간섭성의빛(coherent light)이 nonuniform intensity를 발생시켜서 sidewall 부근에 standing wave defect을 만들게 된다. PEB는 온도를 증가시켜 PAC sensitizer를 resist쪽으로 확산시켜서 이런 standing wave defect을최소화하게 된다.그림 4) Reduction of standing wave effect due to PEB2) DevelopPhotoresist development (PR 식각)은 exposure에 의해서 변화된 resist의 soluble region을 용해시키기 위해서 liquid chemical developer로 사용된다. PR 식각의 가장 주된 목표는 resist 물질 안에 있는 reticle pattgative resist의 developNegative resist는 UV광에 노출된 후에 경화되므로 이 노출된 resist는 식각액에 불용해성이다.(그림 6참조) Negative resist development를 위해서 굉장히 작은 화학반응이 필요하다. 이 과정은 unexposed resist의 solvent를 씻어내는 과정을 포함한다. 이 부분은 경화되지 않아서 부드럽고 용해되기 쉽다. 식각액으로는 일반적으로 xyrene 같은 organic solvent를 사용한다.Negative resist의 가장 큰 문제점은 washing하는 동안 UV광에 노출된 resist가 식각액을 흡수해서 팽창 하거나 왜곡되는 것이다. 이 때문에 식각되지 않는 side wall은 찢어지거나 부풀게 된다. 그래서 이문제를 최소화하려는 연구가 계속되고 있다.그림 6) Negative resist Crosslinking② Positive resist의 developWafer microlithography에서 많이 사용되는 두 종류의 positive resist는 conventional DNQ i-line resist(~0.35μm) 와 chemically amplified(CA) DUV resist (under 0.35μm)이다. 이 두 종류의 resist모두 phenolic-based resin 이다. conventional i-line resist는 novolak resin으로 구성되어 있고,CA DUV resist는 PHS resin으로 구성되어 있다. 이 두 resist는 화학적으로 매우 다르지만 기본용해액에 모두 용해되는 phenolic resin임에는 분명하다.그림 7) Development of positive resistDeveloper◎ Dissolution rate : the speed of the developer.? 생산성을 위해서는 dissolution rate이 높을수록 좋다. 하지만 너무 빠른 식각속도는 bad resistperformance를 야기 시킬 lopmentPuddle development는 식각하는 방법으로서 스프레이방식에 기초한 장비와 같은 방식이다. Puddle form은 fig.3.6에 나타나있다. 전체 wafer에 puddle meniscus 형성을 위한 적절한 식각액 양이 필요하다. 과도한 식각액은 wafer 뒷면까지도 묻게 될 수 있다.그림 9) Puddle resist development3) Hard bakePost-development thermal bake 후에 시행되는 hard bake는 남아있는 solvent를 증발시키고 resist를굳히기 위해서 행해진다. 이 공정은 resist의 점성을 높이고, 다음 공정(etching)을 준비하기 위함이다. 또한 hard bake는 남아있는 모든 developer와 수분을 제거 한다.Exposure가 끝나면 hard bake에서는 solvent 증발을 돕고 maximum resist densification을 위해서 solvent의 끊는점까지 온도를 올리게 된다. 보통 hard bake는 positive resist의 경우 130℃에서 negative resist의 경우 150℃에서 시행된다. Resist는 열을 받았을 때 녹아서 흐르게 쉬운 물질이므로 hard bake 온도보다 높은 온도는 resist가 녹여 pattern의 변형을 발생시키므로 주의해야 한다. (그림 10참조)그림 10) Softened resist flow at high temperature4) Develop inspectResist에 새겨진 패턴들은 결함을 찾기 위해서 post-develop inspection 과정을 겪게 된다. 이 과정은 이후 과정인 etching이나 implantation로 넘어가기 전에 defective wafer를 찾아서 제거하기 위해서이다. Defective resist pattern은 etching 이나 implantation을 할 때 scrap을 일으키기 때문이다.Post-develop inspection에서 실패 시 두 가지 결과를 낳한다.
    공학/기술| 2008.10.07| 10페이지| 2,000원| 조회(864)
    미리보기
  • photo resist
    1. Photo Resist(1) 감광막( Photo Resist )이란?PR은 빛이나 방사, 열 등 여러 형태의 에너지에 노출되었을 때 내부구조가 바뀌는 특성을 가진 혼합물이다. 반도체에 적용되는 PR의 구조 변화는 현상 가능에서 현상 불능 혹은 그 역으로 바꾸어진다. PR은 복사업계에서 쓰여 왔는데, 1920년에 인쇄회로기판업계에서 먼저 응용하기 시작했다. 반도체 산업은 1950년대에 웨이퍼공정에 이 기술을 적용시켰다. 반도체에 쓰이는 PR은 Eastman Kodak 회사에서 최초로 개발되었다.50년대 말, KPR과 KMER 등의 음성 PR이 만들어 졌다. 비슷한 시기에 Shipley 회사에서는 양성 PR을 만들었다. 그 뒤로 많은 회사들이 더 미세한 패턴을 균일성 있고 공정에 너무 민감하지 않게 형성할 수 있는 PR을 개발하면서 시장에 뛰어들었다.PR은 패턴 크기나 공정을 생각지 않고는 선택할 수 없다. 한 번 공정이 설정되었으면 PR을 바꿀 때는 충분한 테스트가 선행되어야 한다.PR의 주요 성분기능다중체(Polymer)에너지에 반응하여 구조를 바꾼다. (고분자화 또는 광분해)용제(Solvent)박막을 스핀으로 입힐 수 있게 한다.센시타이저(Sensitizer)노광되었을 때 PR의 광 화학적 반응을 조절하고 수정한다.첨가물특별한 용도 PR의 주요 성분과 기능- 감광액(점착성의 유기용액)을 웨이퍼 기판 위에 필요한 양만큼 떨어트린 후 스피너(spinner)로 기판을 수천 rpm(revolutions per minute)의 속도로 회전시키면 기판 표면 위에 1μm 두께의 얇은 막이 균일하게 형성된다.) 이 막이 PR인데, 이 막은 빛에 노출되면 그 물리적 특성이 변화되는 성질을 이용하여 마스크) 패턴을 실리콘 웨이퍼 위에 옮길 수 있는 것이다.(2) Photoresist의 종류 및 특징1-감광막은 음성형 감광막(negative PR)과 양성형 감광막(positive PR)으로 구분된다. 음성형 감광막은 현상액(developer) 용매에 빛이 쪼여진 부분이 용해되지 않고, 나머지 부분이 용해되는 성질을 갖고 있다. 양성형 감광막은 빛이 쪼여진 부분이 용해되고 나머지 부분이 용해되지 않는 성질을 갖는 것이다. 음성형 감광막은 양성형 감광막보다 감도가 높고 산화막(SiO2)에 대한 밀착성이 우수하고 화학약품에 대한 내식성도 강하지만 해상도가 낮은 것이 큰 단점으로 지적되고 있다. 음성형 감광막의 해상도 한계는 4μm 정도이므로 3μm 이하의 해상도를 필요로 하는 초고집적회로 제작에는 해상도가 우수한 양성형 감광막을 사용하고 있으나, 산화막과의 밀착성이 나쁘고 기계적 충격에 약한 단점이 있다.파라미터음성양성아스펙트 비(분해능)높다접착성좋다노출속도빠르다핀홀갯수적다공정상태민감하다스텝커버리지좋다가격높다현상액용제수성스트리퍼산화막 식각산산금속층 식각클로린용제 화합물단순용제음성 및 양성 PR의 비교1) Negative lithography빛에 노출 된 부분이 잘 용해되지 않고 경화되는 resist를 negative resist라 하는데, negative lithography는 이 resist를 이용한다. 따라서 마스크의 패턴 된 부분을 제외한 곳이 photoresist에 새겨지게 된다. 구체적인 방법은 아래의 그림(Fig1.1)과 같다.Figure 1.1 Negative lithography2) Positive lithographypositive lithography는 negative와 정반대의 특성을 가지게 된다. 즉 마스크의 패턴 된 부분이 그대로 photoresist에 남게 된다. positive resist는 1970년대부터 각광받아 지금까지도 submicron 스케일의 lithography에서 많이 사용되고 있다.Figure 1.2 Positive lithography(3) Photoresist 최근 개발 동향1) RET ( 해상도 향상 기술 . Resolution Enhancement Techniques)- 장파장의 제한적인 해상도 한계를 연장하고자 광학적 기술을 응용하여 리소그라피 광원의 파장이소자의 최소 선폭보다 길게 되는 기술.- 1997년 0.25μm 세대부터 사용- 100 nm 선폭 공정에 248 nm 의 KrF 포토레지스트가 사용- 65 nm 선폭 공정에 193 nm 의 ArF 포토레지스트가 사용- 60 nm 이하의 선폭 공정에 F2 (157 nm) 가 사용될 것으로 예상2) 157 nm 포토레지스트- 157 nm 의 파장은 모든 탄화수소화합물의 기본 흡수파장영역이기에 흡광도 최소화에 문제가 발생한다.3) 157 nm 사용을 위해 해결해야 할 5가지 과제- 광밀도 (optical density) : 노광용 빛이 포토레지스트 필름을 투과할 수 있어야 미세패턴이 제대로형성된다. 이에 광밀도 문제가 해결해야할 가장 큰 과제이다.▶ 해결 과제①광원에 대한 높은 투과성 (transparency)② 마스킹 재료로서의 높은 내에칭성③ 여러 종류의 기판 (subsrate) 에 대한 접착성④ 노광 후 수용성 염기성 용액에 대한 용해성⑤ 157 nm의 높은 에너지에 의해 생길 수 있는 out-gasing 의 최소화4) 157 nm 포토레지스트용 고분자- 실록산 (siloxane) 이나 불소 (fluoride) 치환 유기 고분자가 유망하다.① 실록산계고분자.ㄱ) PDMS (poly dimetyul siloxane )전자선 (E-beam) 에 의해 포토레지스트로서의 특성을 평가 받았으며 우수한 내에칭성ㄴ) poly dimethyl siloxane-co-tertiary-butyl methacrylate공중합체로 작용된 tetriary-butyl methacrylate 의 함량 조절에 의하여 염기성 현상액에 현상이 가능ㄷ) PMSA (poly methyl silsesquioxane)ㄹ) ethyl POSS (polyhedral oligomeric silses quioxanes)cage-type 구조를 가지고 있어, out-gassing 의 위험을 감소시키고, 전통적인 레지스트의physicochemical 필름 특성을 유지..a) 그라프트 공중합체를 이용한 것.② Fluorocarbon계 고분자 : 157 nm 영역에서 고분자 주쇄에 불소를 치환시키면 실리콘 함유레지스트에 비해 투과도를 획기적으로 낮출 수 있음을 발견. 텍사스대, 코넬대, 등에서 연구.--> 해상도 향상의 실마리..* 첨가제 : Fluorocarbon 계 고분자를 이용할 땐 첨가제가 필요하다. 단분자형 첨가제와 고분자형 첨가제가 있으며, 단분자형에는 대표적으로 용해 억제제(dissolution inhibitor)가 있음.* 용해억제제의 기본적인 요구.a. Inhibit base polymer - polymer 에 대해 용해 억제 효과가 있을 것b. Switchable - 노광후 발생한 산에 대해 현상액에 대한 용해성이 증가할 것c. transparent - 투과도가 좋을 것d. Soluble in casting solbent - 포토레지스트 용매에 대한 용해성이 좋을 것e. Low bolatility - 포토레지스트 공정 중의 다양한 bake 조건에 휘발성이 없을 것f. Phase compatible with base polymer - 상분리가 되지 않을 것i. Cheap, non-toxic, etc - 경제성 , 환경 친화성 이 있을 것5) 문제점① 실록산계고분자의문제점ㄱ) Polymer backbone 에 함유된 Si에 의한 out-gassing실리콘이 함유된 기체가 발생하여 노광장비의 렌즈에 증착이 되면 공기 중의 산소에 의해 쉽게 SiO2 로 산화되어 렌즈의 굴절률에영향을 미침. 이에 회로도의 이미지를 왜곡.==> 따라서 실록산 고분자 주쇄의 안정화와 다양한 기능기에 대한 연구 필요.ㄴ) Transparencyㄷ) Inherently low Tgㄹ) Poor adhesion propertiesㅁ) Poor imaging performance② 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점* 포토레지스트의 기본적 요구 사항- 설계된 회로의 패턴을 잘 구현할 수 있어야 한다.- 광식각 공정 뒤의 에칭 공정 중에 형성된 패턴을 유지하는 masking 기능이 필요- 지금까지 경험에 의하면 투과도가 높은 고분자일수록 내에칭성이 저하.고분자 골격 구조에 불소를 치환시킨 (main-chain fluorinated 고분자)가 현재까진 최상이며내에칭성 향상을 위해 고분자 주쇄를 fluorination 시키고, 다환 구조를 도입시킴으로 투과도를 훼손치 않고 내에칭성을 끌어올린 최초의 고분자이며 또한 그 동안의 팽윤 문제를 해결한 점에선 다시금현재까진 최상의 위치를 점하고 있다.--> 하지만 실제 반도체 공정에 적용시키기엔 턱없는 수준MASK집적 회로 제작에 사용되는 마스크는 라이트 필드(Light field) 마스크와 다크 필드(dark field) 마스크로 구분된다. 라이트 필드 마스크는 패턴이 있는 부분이 불투명하고 나머지 대부분이 투명하고, 다크 필드 마스크는 대부분이 불투명한 반면에 패턴이 있는 부분은 투명하다. 라이트 필드 마스크는 필드의 대부분이 투명하여 정의된 부분을 정확하게 식별할 수 있기 때문에 연속적인 마스크간의 정렬이 용이하여 선호되고 있다. 그러나 아주 반사가 잘되는 알루미늄 선로는 다크 필드 마스크를 주로 사용한다. 따라서 라이트 필드와 다크 필드 마스크를 잘 조합하여 상황에 맞게 사용하여야 한다.
    공학/기술| 2008.10.07| 7페이지| 2,000원| 조회(4,757)
    미리보기
  • [정보통신]디지털방식의 장단점 평가A+최고예요
    ☆Digital system★디지털이란 정보를 쉽고 정확하고 신속하게 처리할 수 있도록 어떤 양 또는 데이터를 2진수 `숫자 0과 1의 조합'으로 변환하는 기술이다.그림 1) 디지털 신호의 파형디지털은 입력된 파형을 분해해, 0 이나 1 이라고 불리 우는 가장 단순한 신호로 변환해서 기록한다. 그래서 극히 작은 노이즈가 끼어든 곳이라도 간단하게 인식하고 수정 제거할 수 있다.그림 2) 디지털신호의 잡음처리☆Digital system의 장점★1. 고품질송신하는 순간에는 깨끗한 상태의 신호를 내보내지만 이 신호가 전송되는 과정에서 이러한 잡음이 원래의 신호에 끼인 채로 수신자에게 전달된다. 장거리 유선통신의 경우에 신호가 약해지는 것을 보완하기 위하여 중간 중간에 수신된 신호를 다시 증폭시켜서 보내는 장치를 가지게 되는데, 아날로그 시스템에서는 수신된 신호 중에서 원래의 신호와 잡음을 구분할 수 없기 때문에 증폭기에서는 잡음이 있는 채로 수신된 신호를 증폭시키게 된다. 따라서 잡음도 같이 증폭되어 다시 전송되게 된다. 이러한 과정을 여러 차례 거치게 되면 원래 신호에 비하여 잡음이 커지게 되어 통화품질이 낮아지게 된다.그러나 디지털방식에서는 보재는 정보가 0이지 1인지에 따라 계단 모양의 신호를 전송하게 된다. 이러한 신호는 잡음이 끼어도 원래의 신호가 0을 나타낸 것이었는지 1을 나타내는 것이었는지 판단하는 데에는 별 무리가 없다. 따라서 0인지 1인지의 여부를 판단한 후에 다시 정확한 계단 모양의 신호를 전송한다면 그 동안 끼인 잡음의 영향을 완전히 제거할 수 있을 것이다. 이러한 이유로 디지털 방식은 고품질의 통신수단을 제공할 수 있기 때문에 수많은 통신 산업들은 아날로그 시스템을 디지털로 전환하고 있다.2. 압축하나의 음성 신호는 64kbps의 전송능력이 있는 통신망을 통하여 전송될 수 있다. 그러나 음성의 파현이 가지고 있는 특성을 잘 활용하면 1초 동안의 음성신호를 64,000 비트보다 더 적은 비트로 표현할 수 있다. 이러한 기술을 압축이라고 한다.압축기술을 사용하면 동일한 전송능력을 가지고서도 디지털 방식은 아날로그 방식보다 더 많은 양의 정보를 전송할 수 있다. 이러한 압축은 화상정보의 경우에도 높은 효과를 가져온다. 예를 들면 지상파 TV가 디지털로 바뀌게 되면 현재의 10여개의 채널 수는 30개 정도로 늘어나게 되는 것이다.3. 멀티미디어 서비스음성이나 화상정보가 모수 디지털화되게 되면 모든 종류의 정보들이 디지털이라는 단 한 가지 유형의 정보로 변환된다. 따라서 디지털 정보를 보낼 수 있는 단 하나의 망으로 음성정보, 화상정보, 동영상, 데이터 등 모슨 정보를 보낼 수 있게 된다. 즉 멀티미디어 서비스가 가능하게 된다.4. 통신과 컴퓨터의 결합아날로그 신호를 컴퓨터가 관리하는 것은 용이하지 않지만 디지털 신호를 관리하는 것은 데이터를 관리하는 것과 별반 다를 바가 없다. 따라서 통신 데이터에 대하여 여러 가지 작업을 다양하게 수행하여 새로운 신규서비스들을 제공할 수 있는 지능망이 가능해지게 된다. 이러한 지능망을 통하여 유선전화나 이동전화가 더 다양한 부가 서비스들을 제공할 수 있게 되었다.☆Digital system의 단점★1. 양자화오차 (A/D, D/A 변환오차)아날로그 신호를 디지털 신호로 바꾸는 과정을 간단하게 A/D 변환 (Analog/ Digital) 이라고 부른다. 이러한 A/D 변환 과정의 핵심은 연속적인 신호를 일정한 시간단위로 쪼개고 각 시간 단위에서의 신호의 크기 또한 정해진 단계만큼 계단화 시키는 것이다. 바로 이렇게 sampling된 신호의 크기들을 discrete하게 단계화 하는 과정을 양자화라고 부른다.이렇듯 연속적인 신호를 단계화하면서 어느 정도 오차가 발생하는데, 이러한 원 신호와 양자화 신호와의 오차를 양자화 오차 (Quantization error)라고 한다. 원신호의 왜곡을 막기 위해선 신호의 성질과 상태에 따라서 양자화하는 디지털 level의 수를 조절함으로써 적절한 수준의 양자화 에러를 유지해야 한다.2. 유한 비트 연산에 의한 오차디지털은 단지 유한개의 수만을 정확하게 나타낼 수 있으며 그 외의 수들은 표시될 수 있는 하나의 수에 의하여 근사되어 진다.십진법에서 정수를 저장하기 위해 디지털에서는 하드웨어에 의존하는 자릿수를 사용한다.따라서 디지털이 나타낼 수 있는 유한 비트가 존재하며 유한 비트를 넘어가는 모든 수는 더 이상 디지털 시스템에서 표현되지 못하고, 오차가 발생하게 된다.
    공학/기술| 2006.03.31| 4페이지| 1,000원| 조회(2,267)
    미리보기
전체보기
받은후기 1
1개 리뷰 평점
  • A+최고예요
    1
  • A좋아요
    0
  • B괜찮아요
    0
  • C아쉬워요
    0
  • D별로예요
    0
전체보기
해캠 AI 챗봇과 대화하기
챗봇으로 간편하게 상담해보세요.
2026년 05월 15일 금요일
AI 챗봇
안녕하세요. 해피캠퍼스 AI 챗봇입니다. 무엇이 궁금하신가요?
6:21 오전
문서 초안을 생성해주는 EasyAI
안녕하세요 해피캠퍼스의 20년의 운영 노하우를 이용하여 당신만의 초안을 만들어주는 EasyAI 입니다.
저는 아래와 같이 작업을 도와드립니다.
- 주제만 입력하면 AI가 방대한 정보를 재가공하여, 최적의 목차와 내용을 자동으로 만들어 드립니다.
- 장문의 콘텐츠를 쉽고 빠르게 작성해 드립니다.
- 스토어에서 무료 이용권를 계정별로 1회 발급 받을 수 있습니다. 지금 바로 체험해 보세요!
이런 주제들을 입력해 보세요.
- 유아에게 적합한 문학작품의 기준과 특성
- 한국인의 가치관 중에서 정신적 가치관을 이루는 것들을 문화적 문법으로 정리하고, 현대한국사회에서 일어나는 사건과 사고를 비교하여 자신의 의견으로 기술하세요
- 작별인사 독후감