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냉음극 게이지(Cold Cathode Gauge) ppt 발표 자료 평가A+최고예요

Cold Cathode Gauge구성 동작 원리 관련 영상 장점 단점 종류 사용 분야 목 차구성 01 음극 양극 영구 자석 게이지 튜브 제어 장치 전류계 전원 공급기 진공 튜브동작 원리 02 중성 가스 분자 양극 원통 자기장 방향 양극과 음극 사이에 고전압 인가 (2kV ~ 6kV) 음극에서 전자 방출 양극 방향으로 나선형으로 진행 가스 분자와 충돌하여 이온화 이온 쌍의 이동으로 이온 전류 발생 ( 수 ㎂ ~ 수㎃ )관련 영상 03 Cold Cathode Gauge 동작 영상장점 04 필라멘트가 없음 연소 위험 X 자기장에 의한 전자 회전운동 이온화 효율 작동 시 가스 방출이 거의 없음 가스 누출 X 이온전류량이 많음 증폭장치 X단점 05 정확성 ↓ 올바른 사용법 안전에 유의해야함 고전압 자장 거리 사용상의 제약 부식, 퇴층 퇴적물 민감함1. 냉음극 이온화 진공계 2. 냉음극 마그네트론 진공계 종류 06냉음극 이온화 진공계 1 필라멘트 페닝 방전 측정범위 구조 양극내부 방전 이온생성 이온 전류측정 10¯ 2 ~10¯ 5 Torr 오염,산화 X 간단함 가스 방출량 훨씬 적음냉음극 마그네트론 진공계 2 뛰어난 성능 측정범위 차별화 전극간 장시간 포착- 초고진공 영역 지속 10¯ 10 Torr 음극 사이에 자계를 지나가게함사용 분야 07 역 마그네트론 기반 고 에너지 물리학, 분석장비, 레이저 생산 필라멘트 탈 걱정 no,방출 전류 필라멘트 조정 no 431 423 I-Mag 냉음극형 진공 센서참고 주소 http:// bosch.tistory.com/183 http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=fns71 logNo=100200540453 parentCategoryNo= categoryNo=139 viewDate= isShowPopularPosts=true from=search https://www.doopedia.co.kr/mv.do?id=101013000832709 http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=657463 cid=42338 categoryId=42338 http:// egloos.zum.com/jinhwanlee/v/10818292 http://blog.naver.com/ymsciences/220281724788 https://www.4science.net/goods/detail.do?glt_no=20950 https://www.vacuubrand.com/us/page828.html#comparison https://www.vacuubrand.com/us/page828.html#technicalData https://www.coleparmer.com/tech-article/diaphragm-vacuum-pump-applications https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=starletzzang logNo=120206511324 proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.co.kr%2F http://blog.naver.com/evepjh/220749842489 http://blog.naver.com/evepjh/220749817834 http://www.normandale.edu/departments/stem-and-education/vacuum-and-thin-film-technology/vacuum-lab/articles/how-to-choose-a-diaphragm-pump https:// welchvacuum.com/pages/about-us https://www.youtube.com/watch?v=TG9vtKK-LLw{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2018.04.26| 12페이지| 1,500원| 조회(808)

게이지, Gauge, 냉음극, Cold cathode, Cold cathode ..

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다이아프램 진공펌프 ppt 발표자료 (Diaphragm Vacuum Pump)

Diaphragm Vacuum Pump장비 구성 작동 원리 관련 영상 종류 장점 단점 사용 분야 목 차장비구성(VP3) 01 1. 고무 받침 7. 진공 호수 연결부 8. 환기구 11. 연결부 커버 12. 퓨즈 홀더 13. 퓨즈 14. 콘덴서장비구성(VP3) 01 2. 소음기 연결부 3. 전원코드 4. 소음기 5. 보호 캡 9. 하우징 10. 연결관작동원리 02 Diaphragm(다이아프램) 유체(공기) moter(동력) A B valve(밸브) valve(밸브)관련영상 03 Diaphragm pump 작동영상종류 1. Aluminium 버전 2. Chemistry 버전Aluminium 버전 주요 소재 1 내후성 , 내오존성 난연성 연속 사용온도 비중 불소 다량 함유 -40°C~ 260°C 고무 중 최고 1.8~2.0 ‘ 불소 고무 ’ 화학명 Fluoroelastomer 재질 기호 FKM or FPM 상품명 바이톤 내약품성 우수Chemistry 버전 주요 소재 2 ‘ 테프론 ’ 화학명 Polytetrafluoroethylene 재질 기호 PTFE 상품명 테프론 비점착성 난연성 연속 사용온도 마찰계수 한계산소지수 95% -100 °C ~ 260 °C 표면 에너지 최하 0.5 ~ 0.20 내약품성 매우 우수장점 05 유지 보수가 간편 이송기체 오염 X Oil - Free 성질 , 온도에 따라 간편히 부품 교체 가능 간단한 구조 10,000 ~ 15,000 시간의 다이아프램 수명 긴 수명 소음기 장착 , 구조 상의 특성 낮은 소음 , 진동단점 06 이물질 유입 및 접촉 다이아프램 파손 폭발성 가스의 압축 열에 의함 가스 폭발 구조상의 한계 ( 약 0.2 torr ) 초고진공 불가 비싼 불소 고무 , 테프론 고가의 소재사용 분야 – 플라즈마 식각 07 적절한 진공 상태 균일도 향상 속도 유지 불필요한 산란 방지참고 주소 http:// blog.naver.com/ymsciences/220281724788 https://www.4science.net/goods/detail.do?glt_no=20950 https://www.vacuubrand.com/us/page828.html#comparison https://www.vacuubrand.com/us/page828.html#technicalData https:// www.coleparmer.com/tech-article/diaphragm-vacuum-pump-applications https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=starletzzang logNo=120206511324 proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.co.kr%2F http://blog.naver.com/evepjh/220749842489 http://blog.naver.com/evepjh/220749817834 http:// www.normandale.edu/departments/stem-and-education/vacuum-and-thin-film-technology/vacuum-lab/articles/how-to-choose-a-diaphragm-pump https:// welchvacuum.com/pages/about-us https://www.youtube.com/watch?v=jOjwsKECDFg#action=share{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2018.04.26| 13페이지| 2,000원| 조회(560)

펌프, 진공 펌프, pump, vacuum pump, 다이아프램, 저진공, Diap..

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전압인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정

전자재료 및 실험REPORT6. 전압 인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정1. 실험제목전압 인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정2. 실험목적LED의 발광시점을 측정하고 작동원리를 이해한다.3. 이론적 배경◆ pn접합접합의 일종으로서, 반도체의 내부에서 p형과 n형의 성질을 나타내는 두 영역 사이의 경계 또는 전이 부분. 여러 가지 중요한 기능을 수행할 수 있어서 많은 반도체 장치의 중심적 부분이 되어 있다.첫째는 정류 작용인데 정류와 검파 다이오드를 준다. p형 영역에서 n형 영역쪽으로 전류가 흐르기 쉽고(순방향), 이 때 각 영역에서 상대 영역으로 소수 캐리어의 주입 작용이 있다. 이것은 접합 트랜지스터의 이미터나 발광 다이오드, 접합 레이저에도 이용된다.역방향으로 전압을 가하면 소수 캐리어의 수집 작용이나 공핍층의 정전 용량 특성, 공핍층 속에서의 전자 애벌란시 증배 현상 등이 생겨 접합 트랜지스터의 컬렉터라든가(가변 용량) 콘덴서, 애벌란시 포토다이오드 등에 이용된다.◆ LED발광다이오드(LED)란 갈륨비소 등의 화합물에 전류를 흘려 빛을 발산하는 반도체소자로, 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 소수캐리어를 주입하고 이들의 재결합에 의하여 발광시킨다.LED는 컴퓨터 본체에서 하드디스크가 돌아갈 때 깜빡이는 작은 불빛, 도심의 빌딩 위에 설치된 대형 전광판, TV 리모컨 버튼을 누를 때마다 TV 본체에 신호를 보내는 눈에 보이지 않는 광선 등을 만들 때 필요하다.전기에너지를 빛에너지로 전환하는 효율이 높기 때문에 최고 90%까지 에너지를 절감할 수 있어, 에너지 효율이 5% 정도밖에 되지 않는 백열등ㆍ형광등을 대체할 수 있는 차세대 광원으로 주목되고 있다.▶ LED의 구조 LED는 아래 위에 전극을 붙인 전도물질에 전류가 통과하면 전자와 정공이라고 불리는 플러스 전하입자가 이 전극 중앙에서 결합해 빛의 광자를 발산하는 구조로 이루어져 있는데, 이 물질의 특성에 따라 빛의 색깔이 달라진다.비정질 실리콘 양자점을 이용한 LED는 양자점의 크기를 자유롭게 조절하는 방법으로, 양자점의 크기만을 조절하면 총천연색 빛을 자유자재로 구현할 수 있어 이를 발광소자로 제작한 것이다.◆ LED에 적합한 재료- 발광파장이 가시 or 근적외영역에 존재하는 것- 발광효율이 높은 것- pn접합 제작 가능한 것비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3A 및 5A족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체 등◆ 발광기구 유형- 자유 캐리어의 재결합에 의한 것발광파장은 대략 hc/Eg과 같다. 이때 c는 광속, h는 플랑크 상수, Eg는 금지띠(band gap)의 에너지 폭이며, 비소화갈륨의 경우에는 파장이 약 900nm인 근적외광이 나온다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.- 불순물 발광중심에서의 재결합에 의한 것발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. 인화갈륨인 경우, 아연 및 산소 원자가 관여하는 발광은 적색(파장 700nm)이고, 질소 원자가 관여하는 발광은 녹색(파장 550nm)이다.▶파장과 에너지 갭에 따른 가시광 영역◆ 빛의 삼원색빨강과 초록의 빛을 겹치면 노랑, 빨강과 파랑의 빛을 겹치면 자홍, 초록과 파랑을 겹치면 청록이 나타난다. 물론 빨강과 파랑, 초록을 모두 겹치면 흰색이 나타난다.두 가지 색깔을 겹쳐서 흰색을 만들 때, 그 둘을 보색이라고 한다. 따라서 빨강과 초록이 겹쳐진 노랑은 파랑만 겹치면 흰색이 되므로, 노랑과 파랑은 보색 관계이다. 같은 논리로 자홍과 초록이 보색 관계이며, 청록과 빨강도 보색 관계이다.백색광에서 어떤 색깔을 뺀다면 남는 색깔은 뺀 색깔의 보색이 된다. 예를 들면 빨강만 흡수하는 색소에 백색광을 비출 때 그 빛은 반사되어 빨강의 보색인 청록색이 된다.4. 실험장비LED(Red, Yellow, Green, Blue, White), DMM, Power Supply5. 실험방법① Power Supply, DMM과 직렬 연결된 LED에 전압을 인가한다② 0V부터 천천히 0.2V씩 올리면서 LED발광시점(최소전압)과 손상시점(최대전압)을 측정하고, 그 시점들의 전류를 측정한다.③ 위 과정을 각 Yellow, Green, Blue, White LED에 반복한다.6. 실험결과LED색상발광 시점변색 시점손상 시점전압(V)전류(mA)변색전압(V)전류(mA)전압(V)전류(mA)Red1.80.029Orange4.874.812.0101.2Yellow1.80.039Red5.4130.112.2148.9Green2.00.040Orange5.0143.111.8150.1Blue2.20.046White4.090.36.6110.5White2.40.078xxx6.0149.67. 실험고찰본 실험의 결과 값을 보면 알 수 있듯이 색깔별로 발광, 변색시점에 도달하기까지의 필요 전압 값이 다르다. 이론상 빛 에너지는 파장에 반비례하고, 에너지 갭이 큰 물질이 짧은 파장의 빛을 낸다. 따라서 에너지 갭이 큰 물질이 필요 전압이 더 크기 때문에 그에 따라 빛의 파장이 조절되는 것이다.본 실험에서 실험자들이 직접 LED를 분해하고 물질을 분석해보지 않았기 때문에 물질간의 에너지 갭 차이로 인한 색 변화가 나타난 것으로 확신할 수는 없다. LED 제작에는 빛의 삼원색의 원리가 내포되는데, 예를 들어 예상해 보자면 다섯 가지 LED 모두 칩에 흰색을 내는 물질 또는 형광물질을 넣고 에폭시 렌즈의 색을 원하는 색으로 씌워서 이런 빛을 낼 수도 있을 것이고, 같은 White 빛을 내는 LED의 경우에도 Red, Blue, Green을 섞은 것도 있겠지만 Blue 빛을 내는 물질이 고가임을 고려하여 Magenta빛을 내는 칩에 Green 형광물질을 섞은 에폭시 렌즈를 씌워서 White 빛을 낼 수도 있다는 것이다. 그러나 LED별로 발광 시점에 대한 필요 전압의 차이가 어느 정도 있는 것으로 보아 물질 차이는 있을 것으로 추측된다.

공학/기술| 2018.04.26| 8페이지| 1,500원| 조회(254)

LED, 전압, 전자실험, 발광, 전압 인가시

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Al, α-Brass 길이와 단면적에 따른 비저항

전자재료 및 실험REPORT1. Al, α-Brass 길이와 단면적에 따른 비저항1. 실험제목Al, α-Brass 길이와 단면적에 따른 비저항2. 실험목적재료의 전기적인 성질인 비저항에 대하여 알아본다.3. 이론적 배경◆ 저항 : 전류의 흐름을 방해하는 작용으로 단위는 옴(Ω)을 사용한다.- 저항(R)의 요소 : 비저항(ρ), 단면적(A), 길이(L)R= {rho L} over {A} 로 표현 가능하다.◆ 비저항 : 물질의 조직에 의해서 발생되는 저항으로서 재질, 단면적, 형상, 온도에 따라 변화되며, 전기전도도의 역수다. 또한 기호는 ρ를 사용한다. 길이(L) 1m, 단면적(A) 1m2인 도체의 두 면 사이의 저항값(R)을 비교하여 나타낸 것이다. 단위는 MKS단위계에서 Ωm, CGS단위계에서 Ωcm를 사용한다.같은 물질이라면 물체의 크기와 상관없이 같은 값을 가진다.rho = {A} over {L} TIMES R 로 표현 가능하다.저항체의 단면적이 작을수록 그리고 길이가 길수록 전류는 작아지며 이는 저항이 커지는 것과 같은 의미이다. 여기서 전자의 이동에 대한 물질의 특성이 비저항(ρ)이다보통 비저항이10 ^{-6} OMEGA m 이하인 물질을 도체,10 ^{6} OMEGA m 이상인 물질을 부도체, 그리고 그 사이에 있는 물질을 반도체라고 부른다.순수한 물질에 다른 물질을 섞으면 전기전도도가 낮아지고 비저항은 커진다.◆ 주요 물질의 비저항(Ωm, 20℃)구리 : 1.68×10^-8아연 : 5.9×10^-8알루미늄 : 2.82×10^-8철 : 1.00×10^-7황동 : 0.80×10^-7규소 : 6.40×10^2◆ 고체의 저항 및 비저항 변화 요인1. 격자 내 불순물 유입고체시료에 원자의 크기와 조성이 다른 불순물이 유입될 경우 전자의 흐름을 저지하는 현상이 커져 저항과 비저항의 변화를 초래하게 된다.2. 합금의 온도와 조성에 따른 상 변화▷ Cu-Zn phasediagram합금의 경우 온도와 조성의 변화에 따라 상이 변이되는 경우가 많아 그에 따라 저항 및 비저항이 변화한다.3. 고체 시료의 형태 변형시료가 외부의 물리적 충격에 의해 변형될 경우 저항이 변화한다.4. 고체의 온도 변화고체 시료 내 원자가 열에너지를 받아 격자진동을 하면 전자 이동을 방해하여 저항이 높아진다.◆ Al-Alloy- 알루미늄에 구리, 마그네슘, 아연 등의 금속을 첨가한 합금.- 가볍고 강도가 높으며, 신전성이 양호하고 내식성이 뛰어나다.◆ 황동(Brass)- 구리와 아연의 합금.- 상평형도를 바탕으로 Zn 약 35%까지 α고용체로 α-황동이라 불린다. Zn 40%의 4:6황동으로는 α＋β의 조직이 되며, Zn 약 45% 이상에서는 β고용체로만 조직되어 β-황동이라고 부른다. 이 이상의 Zn함유량이 높은 합금은 약해서 실용되지 않는다. 이 합금계의 물리적 성질은 Zn 함유량에 의존한다.4. 실험장비Al, α-Brass, 자, DMM, 실톱, 버니어 캘리퍼스5. 실험방법① α-Brass와 Al을 각각 10cm, 15cm로 절단② 각각의 길이와 단면적을 측정한다③ 각각의 시료의 저항을 측정한다.④ 측정한 값을 이용하여 비저항을 계산한다.6. 실험결과Al Alloy길이(mm)지름(mm)표면적(μm^2)저항(mΩ)비저항(μΩm)10110.180.120.035870.0284510019.4295.60.0091130.0269314910.180.120.053550.0289515120.5330.060.013630.02980α-brass길이(mm)지름(mm)표면적(μm^2)저항(mΩ)비저항(μΩm)999.773.8980.125030.0933310120.1317.310.023670.0743614810.180.120.132350.0716415019.9311.0250.034640.071827. 실험 고찰DMM 내부의 저항 값이 매우 크지 않은 한 저항 값은 비교적 정확한 수치를 측정하여 계산에 사용할 수 있었겠지만, 비저항의 계산식상의 변수로 존재하는 길이나 단면적의 경우는 자를 이용하여 측정할 때 비교적 정확도가 떨어지는 눈금을 읽는 과정과 실톱을 이용하여 시편을 절단하는 과정에서 절단부위에 생기는 물리적 변형 또는 마찰열에 의한 격자진동 등의 미세구조 변화로 전자의 이동을 방해하는 요소에 의해 오차가 발생했을 확률이 가장 높다.또한 시편들의 불순물 포함 정도에 따라 미세구조 및 조성이 바뀌면 원자 간의 결합에 변화가 생기고 녹는점이 바뀌는데, 이에 의한 저항값 변화로 비저항 변동이 있을 수 있다.Al-Alloy의 경우 Al 95%정도로 유추 가능하며, α-brass는 Cu 65%에 Zn 35% 정도로 유추할 수 있는데, 이론적인 비저항 값이 순수 Al은 약 0.0282μΩm으로 실험결과 계산 수치와 거의 비슷한 값이 나왔고, 순수 Cu는 약 0.0168μΩm / 순수 Zn은 약 0.059μΩm으로 각각의 비저항 값보다 Cu-Zn합금인 α-brass의 실험결과 계산 수치가 더 높게 나온 것을 알 수 있다.

공학/기술| 2018.04.26| 6페이지| 1,500원| 조회(482)

합금, 황동, 비저항, 알루미늄 합금, 알파황동

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광전도셀(CdS cell)에 가해진 빛의 세기에 따른 저항 변화

전자재료 및 실험REPORT5. 광전도셀에 가해진 빛의 세기에 따른저항 변화1. 실험제목광전도셀에 가해진 빛의 세기에 따른 저항 변화2. 실험목적광전도셀의 원리를 이해하고 광전도셀을 이용하여 광원과 CdS celll 사이의 거리에 따른 저항변화를 측정한다.3. 이론적 배경◆ 빛의 세기특별히 감지기에 도달한 광자 또는 빛의 파동의 숫자를 뜻하며 빛강도라고도 한다. 밝은 물체는 강도가 세지만 필연적으로 에너지가 많은 것은 아니다. 광자의 에너지는 빛의 강도가 아닌 단지 파동의 파장 또는 진동수에 의존한다. 그러니까 X선의 광자들은 적외선의 광자보다 더 많은 에너지를 가진다.◆ pn접합접합의 일종으로서, 반도체의 내부에서 p형과 n형의 성질을 나타내는 두 영역 사이의 경계 또는 전이 부분. 여러 가지 중요한 기능을 수행할 수 있어서 많은 반도체 장치의 중심적 부분이 되어 있다.첫째는 정류 작용인데 정류와 검파 다이오드를 준다. p형 영역에서 n형 영역쪽으로 전류가 흐르기 쉽고(순방향), 이 때 각 영역에서 상대 영역으로 소수 캐리어의 주입 작용이 있다. 이것은 접합 트랜지스터의 이미터나 발광 다이오드, 접합 레이저에도 이용된다.역방향으로 전압을 가하면 소수 캐리어의 수집 작용이나 공핍층의(가변) 정전 용량 특성, 공핍층 속에서의 전자 애벌란시 증배 현상 등이 생겨 접합 트랜지스터의 컬렉터라든가(가변 용량) 콘덴서, 애벌란시 포토다이오드 등에 이용된다.◆ 광전도 효과절연체나, 반도체에 빛을 조사하면 전기전도도가 급증하여 전류가 흐르기 쉬워지는 현상을 말하며, 내부광전효과라고도 한다.황화납·황화카드뮴 등의 반도체는 광전도효과가 좋으므로 광전도셀을 만들어 빛의 세기측정장치, 특히 카메라의 노출계 등으로 많이 쓰인다. 셀레늄이나 황화카드뮴 등의 반도체에 빛을 조사하면 가전자띠의 전자가 빛을 흡수하여 전도띠로 옮아가 정공이 생긴다. 이들이 전류의 캐리어가 되어 전기전도도가 증가한다. 이 성질을 이용해서 여러 가지 반도체의 전자 에너지준위 등을 살필 수 있다.◆ 광전도셀빛을 비추면 빛에너지를 흡수해서 전하를 운반하는 하전체의 양이 증가하는데, 이때 전기전도율이 증가하는 성질을 가지는 소자이다. 빛의 변화를 전기의 변화로 변환하는 데 쓰인다.광전도소자라고도 하는데, 광전도재료로 만들어진 저항체에 정전압의 전원으로부터 전류를 흐르게 해 두고, 이 저항체에 빛을 비추면 저항이 감소되어 전류가 증가하며, 광량을 전기량으로 바꿀 수가 있다. 이와 같은 재료로서는 셀레늄·탈로파이드(탈륨과 황과 산소의 화합물)·저마늄·산화납·황화카드뮴·황화아연 등 여러 가지가 있다. 감도가 높고 소형이며 구조가 간단하여 사용하기 편리하나 전기전도도가 광량의 증가에 대해서 포화하는 경향이 있고, 빛의 급격한 변화에 대하여 전도도의 변화가 늦어지는 결점이 있다. 그러나 점차 결점이 개선되어 측광, 빛의 검출 외에 비디콘으로서 텔레비전, 촬상관에 이용되기도 하고, 증폭작용을 겸하여 갖춘 저마늄의 포토트랜지스터 등도 출현하였다.빛이 조사되지 않으면 전자가 원래 상태로 되돌아가는 재결합이 일어나는데, 약간의 시간적 지연이 따른다.◆ CdS 셀황화카드뮴(CdS)의 광전도 효과를 이용한 광센서. CdS는 그 에너지 갭이 약 2.4eV로서, 광감도가 인간의 시감도 곡선에 가까운데다 높은 광감도를 가지고 있어서 종래부터 많은 곳에서 광센서로 사용되어 왔다. CdS 셀은 카드뮴(Cd)과 유황(S)을 혼합한 다음, 이것을 가열, 소결시키거나 단결정으로 하여 만들 수 있으며, 저렴한 수법으로 간단히 제작할 수 있는 것도 특징이다. 그러나 일반적으로 조도가 낮을수록 응답시간이 더디고, 다소 안정성이 부족한 등의 문제점도 있다. 그 때문에 카메라 등의 조도계의 분야에서는 종래 대부분 CdS셀이 사용되었음에도 불구하고 Si 포토셀 등의 광기전력형의 광센서로 대체되고 있다.▶포토-저항 소자의 특성곡선◆ 수광소자소자에 흡수된 광자의 에너지를 측정할 수 있는 형태로 변환함으로써 광자 선속이나 광전력을 측정하는 소자.대체로 열소자와 광전소자로 분류된다. 열소자는 광자의 에너지를 열로 변환하는 기능을 수행하나 온도변화 과정에 요구되는 시간을 보아 효율이 낮고 상대적으로 느리다. 광전소자는 광전효과에 기반을 둔다. 즉, 소자에 흡수된 광자에 의해 소자를 이루는 물질 내에 전자, 홀과 같은 운반체가 발생되며 이 운반체의 흐름으로써 측정 가능한 전류가 발생된다.수광소자는 작동 파장의 고민감도, 빠른 응답속도, 최소 잡음이라는 장점을 지니고 있어 근적외선영역(0.8~1.6 μm)에서 작동하는 광섬유 통신체계에서 광신호를 검출하는 소자로 널리 쓰인다.4. 실험장비CdS cell (5Ø, 10Ø), DMM, 암실봉(10~70cm), 아이폰65. 실험방법① CdS로 구성된 5Ø, 10Ø의 광전도셀을 준비한다.② 준비된 암실봉을 이용하여 광원과 거리에 따른 저항을 측정한다.6. 실험결과암실봉 길이(cm)5ф 광전도셀 저항(kΩ)10ф 광전도셀 저항(kΩ)101.581.41201.871.82305.643.644027.0520.45062.148.260157.489.270249.1210.17. 실험고찰광전도셀이 빛을 받아서 작동되는 소자인 만큼 빛을 받는 면적이 더 넓은 직경 10Ø의 경우가 5Ø의 경우보다 전체적으로 저항 값이 작게 측정되었다. 이는 빛을 받는 면적이 넓을수록 소자가 빛을 받아들이는 양(광량)이 증가하게 되고, 그에 따라 가전자대에서 전도대로 여기되어 발생하는 정공과 전자의 양이 많아져 전기 전도도가 증가하기 때문일 것으로 추측된다.

공학/기술| 2018.04.26| 6페이지| 1,500원| 조회(561)

저항, CDS, 광전도셀, 광전도, CDS Cell

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