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전자과 졸업작품/캡스톤 디자인(전동킥보드 헬멧 상태에 따른 모터제어 시스템)

창의적종합설계 I 최종발표(보고서)과 제 명전동킥보드 안전운행을 위한 헬멧 착용감지 시스템 설계 및 구현팀 명특화분야□ 국방산업 ■ 스마트메카트로닉스 □ 도시힐링과제유형□ 기술이전형□ 창업연계형□ 학교/학과개선형□ 기업애로사항해결형□ 지역사회연계형□ 현장실습연계형□ 학과연계형(융합형)■ 전공아이디어구현형□ 주제선택형□ 보고서제작형 □ 작품제작형예산지도교수소속참여업체업체명-가족회사-담당자-연락처-참여 학생 현황성명학년학과학번연락처1234학부생 창의 설계 경진대회 발표 내용0000. 00. 00.팀장팀원팀원팀원1. 과제의 필요성 및 목표1) 필요성 및 문제점 제시공유 전동킥보드는 우리 생활에 자주 이용되고 있다. 하지만 많이 이용되어왔던 만큼 관련 사고도많아지고 있는데, 2017년 195건이었던 관련 사고는 2020년 571건으로 3배 가까이 증가했다.그래서 2021년 5월 이러한 사고를 줄이기 위해 관련 규제안을 마련하여 시행 중이다.하지만 이런 규제에도 헬멧 미착용, 동승과 같은 법규 위반이 계속되고 있다.- [그림-1] 전동킥보드 사고 현황전동킥보드를 이용하는 사람들을 인도나 자전거도로에서 쉽게 볼 수 있는데, 현행법상 차도에서운행해야 한다. 그리고 차도에서 운행하다 보면 차량과 오토바이와 사고가 일어날 수도 있는데.그래서 오토바이와 마찬가지로 헬멧의 필요성이 강조된다.하지만 헬멧의 필요성이 강조되고 있음에도 착용하지 않고 그것을 대수롭지 않게 여겨 문제가 되고 있다.- [그림-2] 사고 났을 때 헬멧의 중요성2) 목표그래서 우리 코로나민C조는 헬멧의 착용여부에 따라 전동킥보드의 사용이 가능하도록 설계하고제작하여 사고의 빈도를 낮추는 것이 목표이다.2. 과제 수행 방법 및 내용 (아주 상세하게 작성)1) 설계 (개념 설계, 설계 구성도, 설계도 등)개념설계헬멧 착용 여부에 따라 전동킥보드의 모터가 제어되도록 구상설계도회로.1 Master회로 (헬멧) 회로.2 Slave회로 (전동킥보드)2) 수행 방법론작품 진행 과정1. 블루투스 모듈 설정을 통해 다른 회로 간 통신 확인2. 센서를 연결한 뒤 센서의 신호를 블루투스 모듈을 통해 송신 및 수신 확인3. 수신된 센서의 신호를 앱 인벤터에서 인식하는지 확인4. 전동킥보드의 컨트롤러 ? 배터리 사이에 (+)단자에 릴레이 모듈 연결5. 센서의 신호를 넘겨받아 릴레이 모듈을 제어하는지 확인6. 릴레이 모듈이 동작할 때 모터가 동작하는지 확인3) 작품 완성 사진헬멧 (Master)전동킥보드 (Slave)4) 작품 동작 설명헬멧에 연결되어 있는 Master 회로의 초음파 센서를 통해 착용의 여부를 신호로 전동킥보드의 Slave 회로에 송신. Slave 회로에서는 앱 인벤터에서 수신된 신호의 상태를 확인하고, 수신된 신호의 상태에 따라 릴레이 모듈을 제어하여 전동킥보드를 제어5) SW 리스트1) 블루투스 모듈 설정(Master/Slave)1-1) 블루투스 모듈 (시리얼 통신 진입 Master/Slave 공통)#include SoftwareSerial bluetooth(2, 3);void setup(){Serial.begin(9600);bluetooth.begin(9600);}void loop(){if (bluetooth.available()) {Serial.write(bluetooth.read());}if (Serial.available()) {bluetooth.write(Serial.read());}}1-2) 시리얼 모니터 설정기본설정(HC-06) : 통신속도 9600 보드레이트 / No line ending1-2-1 : 블루투스 모듈 AT 통신 확인(AT) 1-2-2 : 블루투스 모듈 버전 확인(AT+VERSION)1-2-3 : PIN번호 설정(AT+PIN****) 1-2-4 : 모듈 Master 설정(AT+ROLE=M)MASTER#include ?SoftwareSerial mySerial(8,9);int trig = 12, echo = 13;?void setup() {Serial.begin(9600);mySerial.begin(9600);pinMode(trig, OUTPUT);pinMode(echo, INPUT);}?void loop() {float duration, distance;char data;digitalWrite(trig, HIGH);delay(1);digitalWrite(trig, LOW);duration = pulseIn(echo, HIGH);distance = ((float)(duration * 340) / 10000) / 2;Serial.print("거리 : ");Serial.print(distance);Serial.println("cm");if(distance

공학/기술| 2022.09.29| 7페이지| 15,000원| 조회(1,326)

졸업작품, 전자과, 캡스톤디자인, 졸작, 전자공학과, 헬멧, 전동킥보드, 헬멧감지

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전자회로실험 with Pspice 4~5장 레포트(NPN, PNP BJT)

주제실험 6-1, 6-2. 결과보고서학번이름결과정리? 실험 6-1∥ NPN형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기[표 6-6] NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 시뮬레이션 결과R _{C} [k ohm ]I _{BQ} [mA]I _{CQ} [mA]beta _{DC}V _{BEQ} [V]V _{CEQ} [V]V _{CBQ} [V]동작모드0.470.067[mA]19.8[mA]295.51.08[V]10.1[V]8.97[V]순방향 활성모드1.00.067[mA]19.4[mA]289.51.076[V]10.07[V]8.994[V]1.30.067[mA]19.1[mA]285.11.078[V]7.97[V]6.892[V]1.80.067[mA]18.8[mA]280.61.076[V]5.42[V]4.344[V]2.20.067[mA]18.5[mA]276.11.082[V]2.48[V]1.397[V]2.70.067[mA]18.1[mA]270.11.078[V]1.076[V]-0.002[V]포화모드? 실험 6-2∥ PNP형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기[표 6-7] PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 시뮬레이션 결과R _{C} [k ohm ]I _{BQ} [mA]I _{CQ} [mA]beta _{DC}V _{BEQ} [V]V _{CEQ} [V]V _{CBQ} [V]동작모드0.47-0.058[mA]-5.431[mA]93.640.78[V]8.24[V]7.46[V]순방향 활성모드1.0-0.058[mA]-5.12`[mA]88.280.78[V]6.79[V]6.01[V]1.3-0.058[mA]-4.866[mA]83.90.78[V]5.2[V]4.42[V]1.8-0.058[mA]-4.52[mA]77.930.78[V]3.88[V]3.1[V]2.2-0.058[mA]-4.09[mA]70.520.78[V]2.26[V]1.48[V]2.7-0.058[mA]-3.87[mA]66.720.78[V]1.82[V]1.04[V]고찰[1]- [그림 6-11]의 그래프]V _{EQ} [V]V _{CQ} [V]0.47-0.05[mA]-4.23[mA]84.6-1.38[V]-0.646[V]-3.68[V]1.0-0.036[mA]-3.32`[mA]92.22-1.67[V]-0.97[V]-4.89[V]1.3-0.021[mA]-2.12[mA]101-1.885[V]-1.07[V]-5.62[V]1.8-0.018[mA]-1.59[mA]88.33-1.976[V]-1.19[V]-7.26[V]2.2-0.011[mA]-1.16[mA]105.45-2.04[V]-1.37[V]-7.905[V]2.7-0.008[mA]-1.08[mA]135-2.09[V]-1.405[V]-8.331[V]R _{C} [k ohm ]V _{EBQ} [V]V _{ECQ} [V]V _{BCQ} [V]동작모드0.470.734[V]3.034[V]2.3[V]순방향 활성모드1.00.7[V]3.92[V]3.22[V]1.30.815[V]4.55[V]3.735[V]1.80.706[V]6.33[V]5.624[V]2.20.786[V]6.535[V]5.865[V]2.70.685[V]6.926[V]6.241[V]고찰[2]- [그림 6-12]의 그래프로부터, 베이스 바이어스 전류I _{BQ} 값이 고정된 상태에서 컬렉터 저항R _{C} 값이 증가함에 따라BJT의 동작점 위치가 어떻게 변하는지 설명하라.- [그림 6-12]⇒ 베이스 바이어스 전류값이 고정된 상태에서 컬렉터 저항이 증가하면 컬렉터 베이스 전압의 값이 점차 증가하면서 포화모드에서순방향 활성모드로 동작점 위치가 변한다.주제실험 6. 실험 사진학번이름실험 사진- 실험 [6-1, 6-2] 실험 회로DC 전원공급장치 설정실험값 측정- 실험 [6-3. 6-4] 실험 회로DC 전원공급장치 설정실험값 측정주제시뮬레이션 4-2. 예비보고서학번이름목표? 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로의 특성 해석하기실험과정? 시뮬레이션 회로 제작 및 시뮬레이션을 위해 OrCAD Capture CIS Lite 프로그램 실행? 교재 내 그림 4-6 시뮬레이션 회로 제작? 제} [mA]I _{L} [mA]0.0473.19728[V]-0.000005[mA]-68.027[mA]0.14.99854[V]-0.029125[mA]-49.985[mA]0.475.58433[V]-32.275[mA]-11.882[mA]1.05.59227[V]-38.485[mA]-5.5928[mA]3.35.59695[V]-42.334[mA]1.697[mA]무부하(R _{L} `=∞)5.59894[V]-44.011[mA]문의사항-주제시뮬레이션 4-2. 예비보고서학번이름실험 사진제너 다이오드를 이용한 정전압 회로 Pspice 시뮬레이션- PSpice를 이용한 회로 구성(부하 상태)- 회로 구성 후 시뮬레이션 결과 창(부하 상태)주제시뮬레이션 4-2. 예비보고서학번이름실험 사진제너 다이오드를 이용한 정전압 회로 Pspice 시뮬레이션- PSpice를 이용한 회로 구성(무부하 상태)- 회로 구성 후 시뮬레이션 결과 창(무부하 상태)주제시뮬레이션 5-1. 예비보고서학번이름목표? NPN형 BJT의I _{C} `-`V _{CE} 특성 해석하기실험과정? 시뮬레이션 회로 제작 및 시뮬레이션을 위해 OrCAD Capture CIS Lite 프로그램 실행? 교재 내 그림 5-5 시뮬레이션 회로 제작? 제작한 회로 시뮬레이션을 이용한 실험값 확인? 시뮬레이션 결과 확인 후 실험값 기록결과정리? PSpice을 이용한 5-1 회로제작 및 시뮬레이션- 시뮬레이션 회로 제작- “Place Part” 메뉴에서 “R”과 “Vdc“, “Q2N3904”를 검색해 저항과 직류전원 그리고 트랜지스터와 “Place ground”에서GROUND를 입력, 배치한 뒤, “Place Wire”를 눌러 배선을 그린다. 그리고 저항은RB`=`100[K ohm ]로 직류전원은V _{BB`} `=`1[V]V _{CE`} `=`1[V]로 설정한다.- 제작한 회로 시뮬레이션- “PSpice”의 “Simulation” 창을 열어 “Analysis type”을 ‘DC Sweep’으로 지정한 뒤, “Options”에서 “Prim이션 회로 제작? 제작한 회로 시뮬레이션을 이용한 실험값 확인? 시뮬레이션 결과 확인 후 실험값 기록결과정리? PSpice을 이용한 5-2 회로제작 및 시뮬레이션- 시뮬레이션 회로 제작- “Place Part” 메뉴에서 “R”과 “Vdc“, “Q2N3904”를 검색해 저항과 직류전원 그리고 트랜지스터와 “Place ground”에서GROUND를 입력, 배치한 뒤, “Place Wire”를 눌러 배선을 그린다. 그리고 저항은RB`=`100[K ohm ]로 직류전원은V _{BB`} `=`2[V]V _{CE`} `=`4[V]로 설정한다.- 제작한 회로 시뮬레이션- “PSpice”의 “Simulation” 창을 열어 “Analysis type”을 ‘DC Sweep’으로 지정한 뒤, “Options”에서 “Primary Sweep”을선택하고 “Sweep Variable”에서 ‘Voltage source’를 선택하여 VCE을 입력한다. 그리고 “Sweep type”은 ‘Linear’를 선택하고‘Start value’에 0.0V, ‘End value’에 6.0V, ‘Increment’에 0.05V를 입력한다. 그리고 베이스, 이미터, 컬렉터에 흐르는 전류를 확인할 수 있도록 컬렉터에 Current Marker를 연결하고, 베이스-이미터 전압을 확인할 수 있도록, 베이스 단자에 VoltageMarker를 연결한다.[표 5-2] NPN형 BJT의I _{C} `-`V _{BE} 특성 시뮬레이션 결과V _{BB} [V]V _{BE} [mV]I _{B} [ mu A]I _{C} [mA]I _{E} [mA]0.2200[mV]00-0.00002[mA]0.4400[mV]00-0.000038[mA]0.6568.6[mV]0.3143[ mu A]0.0246[mA]-0.0251[mA]0.8622[mV]1.78[ mu A]0.1954[mA]-0.197[mA]1.0648.2[mV]3.6[ mu A]0.440[mA]-0.443[mA]2.0682.6[mV]13.2[ mu A]1.97[mA]-1.983d value’에 -6.0V, ‘Increment’에 -0.05V를 입력하고, “Secondary Sweep”을 선택하고, “Sweep Variable”에서 ‘Voltage source’를 선택하여 VBB을 입력한다. 그리고 “Sweep type”은 ‘Linear’를 선택하고 ‘Start value’에 -1.0V, ‘End value’에 -5.0V‘Increment’에 -1.0V를 입력하고, 다이오드에 흐르는 전류를 확인할 수 있도록 컬렉터에 Current Marker를 연결한다.[표 5-4] PNP형 BJT의I _{C} `-`V _{CE} 특성 시뮬레이션 결과I _{C} [mA]V _{CE`} [V]-0.1-0.4-0.8-2.0-4.0-5.0V _{BB} [V]-1-0.210[mA]-0.290[mA]-0.296[mA]-0.314[mA]-0.346[mA]-0.360[mA]-2-0.797[mA]-1.131[mA]-1.155[mA]-1.231[mA]-1.351[mA]-1.412[mA]-3-1.367[mA]-1.97[mA]-2.013[mA]-2.140[mA]-2.356[mA]-2.461[mA]-4-1.913[mA]-2.80[mA]-2.860[mA]-3.04[mA]-3.345[mA]-3.50[mA]-5-2.435[mA]-3.61[mA]-3.690[mA]-3.925[mA]-4.32[mA]-4.515[mA]문의사항-주제시뮬레이션 5-3. 예비보고서학번이름실험 사진PNP형 BJT의I _{C} `-`V _{CE} 특성 시뮬레이션- PSpice를 이용한 회로 구성- 회로 구성 후 시뮬레이션 결과 창주제시뮬레이션 5-4. 예비보고서학번이름목표? PNP형 BJT의I _{C} `-`V _{BE} 특성 해석하기실험과정? 시뮬레이션 회로 제작 및 시뮬레이션을 위해 OrCAD Capture CIS Lite 프로그램 실행? 교재 내 그림 5-8 시뮬레이션 회로 제작? 제작한 회로 시뮬레이션을 이용한 실험값 확인? 시뮬레이션 결과 확인 후 실험값 기록결과정리? PSpice을 이용한 5-4 A]

공학/기술| 2022.08.04| 16페이지| 1,500원| 조회(380)

레포트, 전자회로실험, pspice, 전자공학과

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전자회로실험 with pspice 6~10장 레포트(NPN, PNP, MOSFET)

주제실험 6-1, 6-2. 결과보고서학번이름결과정리? 실험 6-1∥ NPN형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기[표 6-6] NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 시뮬레이션 결과R _{C} [k ohm ]I _{BQ} [mA]I _{CQ} [mA]beta _{DC}V _{BEQ} [V]V _{CEQ} [V]V _{CBQ} [V]동작모드0.470.067[mA]19.8[mA]295.51.08[V]10.1[V]8.97[V]순방향 활성모드1.00.067[mA]19.4[mA]289.51.076[V]10.07[V]8.994[V]1.30.067[mA]19.1[mA]285.11.078[V]7.97[V]6.892[V]1.80.067[mA]18.8[mA]280.61.076[V]5.42[V]4.344[V]2.20.067[mA]18.5[mA]276.11.082[V]2.48[V]1.397[V]2.70.067[mA]18.1[mA]270.11.078[V]1.076[V]-0.002[V]포화모드? 실험 6-2∥ PNP형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기[표 6-7] PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 시뮬레이션 결과R _{C} [k ohm ]I _{BQ} [mA]I _{CQ} [mA]beta _{DC}V _{BEQ} [V]V _{CEQ} [V]V _{CBQ} [V]동작모드0.47-0.058[mA]-5.431[mA]93.640.78[V]8.24[V]7.46[V]순방향 활성모드1.0-0.058[mA]-5.12`[mA]88.280.78[V]6.79[V]6.01[V]1.3-0.058[mA]-4.866[mA]83.90.78[V]5.2[V]4.42[V]1.8-0.058[mA]-4.52[mA]77.930.78[V]3.88[V]3.1[V]2.2-0.058[mA]-4.09[mA]70.520.78[V]2.26[V]1.48[V]2.7-0.058[mA]-3.87[mA]66.720.78[V]1.82[V]1.04[V]고찰[1]- [그림 6-11] 전압분배V]2.70.034[mA]0.936[mA]27.532.41[V]1.76[V]8.3[V]R _{E} [k ohm ]V _{BEQ} [V]V _{CEQ} [V]V _{CBQ} [V]동작모드0.470.68[V]0.21[V]-0.47[V]포화상태1.00.65[V]3.28[V]2.63[V]순방향 활성모드1.30.548[V]4.31[V]3.762[V]1.80.58[V]5.6[V]5.02[V]2.20.63[V]6.27[V]5.64[V]2.70.65[V]6.54[V]5.89[V]? 실험 6-4∥ PNP형 BJT 자기 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기[표 6-9] PNP형 BJT의 자기 바이어스 회로 시뮬레이션 결과R _{C} [k ohm ]I _{BQ} [mA]I _{CQ} [mA]beta _{DC}V _{BQ} [V]V _{EQ} [V]V _{CQ} [V]0.47-0.05[mA]-4.23[mA]84.6-1.38[V]-0.646[V]-3.68[V]1.0-0.036[mA]-3.32`[mA]92.22-1.67[V]-0.97[V]-4.89[V]1.3-0.021[mA]-2.12[mA]101-1.885[V]-1.07[V]-5.62[V]1.8-0.018[mA]-1.59[mA]88.33-1.976[V]-1.19[V]-7.26[V]2.2-0.011[mA]-1.16[mA]105.45-2.04[V]-1.37[V]-7.905[V]2.7-0.008[mA]-1.08[mA]135-2.09[V]-1.405[V]-8.331[V]R _{C} [k ohm ]V _{EBQ} [V]V _{ECQ} [V]V _{BCQ} [V]동작모드0.470.734[V]3.034[V]2.3[V]순방향 활성모드1.00.7[V]3.92[V]3.22[V]1.30.815[V]4.55[V]3.735[V]1.80.706[V]6.33[V]5.624[V]2.20.786[V]6.535[V]5.865[V]2.70.685[V]6.926[V]6.241[V]고찰[2- [그림 6-12] 전압분배 바이어스 회로의 이미터 저항R _{E}에 따른397.5v _{S}의 첨두-첨두값[V]0.1[V]v _{S}와v _{O}의 위상관계반대위상R _{L} [k ohm ]v _{O}의 첨두-첨두값[V]0.515.2[V]1.06.4[V]1.57.6[V]2.08.1[V]2.48.4[V]3.08.53[V]3.68.8[V]고찰[1][표 7-5] NPN형 BJT 공통이미터 증폭기의 전압이득 비교R _{L} [k ohm ]시뮬레이션 결과에 의한 전압이득A _{v,"sim"} [V/V]식 (7.1)에 의한전압이득A _{v,cal} [V/V]측정값으로부터 계산된 전압이득A _{v,means} [V/V]0.5169.7[V/V]-61.4[V/V]52[V/V]1.080.3[V/V]-86.7[V/V]64[V/V]1.586.9[V/V]-101.1[V/V]76[V/V]2.090.7[V/V]-110.3[V/V]81[V/V]2.493.7[V/V]-115.6[V/V]84[V/V]3.095.4[V/V]-121.4[V/V]85.3[V/V]3.696.8[V/V]-125.6[V/V]88[V/V][그림 7-10] 부하저항R _{L}에 따른 공통이미터 증폭기의 전압이득 변화(NPN형 BJT)주제실험 7-2. 결과보고서학번이름결과정리? 실험 7-2∥ PNP형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작특성 측정하기[표 7-4] PNP형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작 특성 측정 결과동작점 전류, 전압(시뮬레이션 결과)I _{BQ} [mA]-0.1[mA]V _{EBQ} [V]0.62[V]I _{CQ} [mA]-8.33[mA]V _{ECQ} [V]6.8[V]소신호 파라미터 계산값r _{pi } `=` {V _{T}} over {I _{BQ}} [k ohm ]-0.26[k ohm ]g _{m} `=` {I _{CQ}} over {V _{T} `} [mA/V]-320[mA/V]beta _{o} `=`g _{m} r _{pi }83.3v _{S}의 첨두-첨두값[V]0.1[V]v _{S}와v _{O}의 위상관계반대위상R _{L} [k ohm ]v _{O}의 첨두-첨두값[V]0 전원공급장치 설정함수발생기 설정오실로스코프 파형주제실험 8-1. 결과보고서학번이름결과정리? 실험 8-1∥ NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 동작 특성 측정하기[표 8-3] NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 동작 특성 측정 결과동작점 전류, 전압(시뮬레이션 결과)I _{BQ} [mA]0.051[mA]V _{BEQ} [V]0.7[V]I _{CQ} [mA]5.3[mA]V _{CEQ} [V]10[V]소신호 파라미터 계산값r _{pi } `=` {V _{T}} over {I _{BQ}} [k ohm ]0.509[k ohm ]g _{m} `=` {I _{CQ}} over {V _{T} `} [mA/V]203.8[mA/V]beta _{o} `=`g _{m} r _{pi }103.76v _{S}와v _{O}의 위상관계동일위상v _{S}의 첨두-첨두값[V]1.94[V]v _{O}의 첨두-첨두값[V]1.92[V][그림 8-8] NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기의v _{S}와v _{O}의 측정 결과 파형고찰[1][표 8-5] NPN형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 전압이득 비교시뮬레이션 결과에 의한 전압이득A _{v,"sim"} [V/V]식 (7.1)에 의한전압이득A _{v,cal} [V/V]측정값으로부터 계산된 전압이득A _{v,means} [V/V]전압이득0.98[V/V]0.99[V/V]0.98[V/V]주제실험 8-2. 결과보고서학번이름결과정리? 실험 8-2∥ PNP형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 동작 특성 측정하기[표 8-4] PNP형 BJT 공통컬렉터 증폭기의 동작 특성 측정 결과동작점 전류, 전압(시뮬레이션 결과)I _{BQ} [mA]-0.08[mA]V _{BEQ} [V]0.8[V]I _{CQ} [mA]-8.2[mA]V _{CEQ} [V]6.5[V]소신호 파라미터 계산값r _{pi } `=` {V _{T}} over {I _{BQ}} [k ohm ]0.325[k ohm ]g _{m} `=` {I _{CQ}} over {V _{T} `} [mA/V]315.3[mA/V]be 결과I _{D} [mA]V _{DS`} [V]0.10.40.82.04.05.0V _{GG} [V]0.5000.03[mA]0.21[mA]0.374[mA]0.431[mA]1.00000.118[mA]0.286[mA]0.39[mA]1.20000.097[mA]0.27[mA]0.371[mA]1.40000.076[mA]0.243[mA]0.36[mA]1.60000.054[mA]0.24[mA]0.337[mA]1.80000.03[mA]0.239[mA]0.285[mA]2.000000.192[mA]0.23[mA]? 실험 9-2∥ N-채널 MOSFET의I _{D} `-`V _{GS} 특성 측정하기[표 9-5] N-채널 MOSFET의I _{D} `-`V _{DS} 특성 측정 결과(V _{DS} `=`4V)I _{D} `=`I _{S}#``[mA]V _{GG`} [V]0.21.01.41.61.82.02.2000000.03[mA]0.37[mA]고찰[1][그림 9-13] N-채널 MOSFET의I _{D} `-`V _{DS} 특성 측정 결과 파형고찰[2][그림 9-14] N-채널 MOSFET의I _{D} `-`V _{GS} 특성 측정 결과 파형주제실험 9. 실험 사진학번이름실험 사진실험 [9-1] 실험 회로- 실험 [9-2] 실험 회로DC 전원공급장치 설정함수발생기 설정[실험 9-1] 오실로스코프 파형(XY-모드)주제실험 10-1. 결과보고서학번이름결과정리? 실험 10-1∥ N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기[표 10-4] N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정 결과R _{D} `[k ohm ]V _{GSQ} `[V]I _{DQ} `[mA]V _{DSQ} `[V]동작모드0.512.28[V]12.86[mA]7.41[V]포화모드0.752.254[V]11.2[mA]5.8[V]1.02.23[V]9.88[mA]4.37[V]1.32.20[V]8.78[mA]3.07[V]1.52.19[V]8.02[mA]2.29[V]1.82.168 설정

공학/기술| 2022.08.04| 13페이지| 2,000원| 조회(429)

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디지털회로실험 7-세그먼트, 비동기식 카운터 실험 레포트 평가D별로예요

디지털회로실험실험보고서제목 : 7-세그먼트 디코더 및 표시기비동기식 카운터 (4비트 비동기식 상향 카운터)(4비트 비동기식 하향 카운터)(비동기식 2진 · 5진 카운터)1. 기본 이론- BCD × 7- 세그먼트 디코더- 7-세그먼트(7-segment)는 [그림 1]과 같이 LED 7개로 숫자를 표시한다.- 7-세그먼트(7-segment)는 0000 ~ 1001까지 즉, 0부터 9까지의 숫자를 출력할 수 있으며, 1010 ~ 1111까지는입력이 없어, 무관항으로 처리한다.- [그림 1] 7-세그먼트(7-segment) 구성- [표 1] 7-세그먼트(7-segment) 진리표입력출력DCBA{bar{a}}{bar{b}}{bar{c}}{bar{d}}{bar{e}}{bar{f}}{bar{g}}0000*************0*************1000*************10*************1*************0*************00*************11001010×××××××1011×××××××1100×××××××1101×××××××1110×××××××1111×××××××1. 기본 이론- 비동기식 카운터- 비동기식 카운터는 첫 번째 플립플롭의 CP(clock pulse)에만 클럭펄스가 입력된다. 다른 플립플롭은 직전플립플롭의 출력을 다음 플립플롭의 CP 입력으로 사용하므로 리플 카운터(ripple counter)라고도 한다.- 비동기식 카운터는 J-K 플립플롭 또는 T 플립플롭을 사용하여 구성한다. J-K 플립플롭을 사용할 때는 모든 J 입력과K 입력을 논리 1로 하고, T 플립플롭을 사용할 때는 T 입력을 논리 1로 하여 토글(toggle) 상태로 만든다.- 4비트 2진(16진) 비동기식 상향 카운터- 2진수를 순차적으로 카운트할 수 있는 2진 상향 카운터는 비동기식 카운터의 가장 일반적인 형태로,플립플롭 4개를 사용하여 16진 카운터의 계수 상태표로, 2진수 4자리(Q _{D,``} Q _{C,} ``Q _{B,``} Q _{A} `)0**************************1*************11151. 기본 이론- 4비트 2진(16진) 비동기식 하향 카운터- 비동기식 하향 카운터는 각 플립플롭은 세트되고, 카운터는 1111에서 시작하여 15번쨰 클록펄스의끝에서 0000으로 감소한다.- 모든 플립플롭의 입력은 J = K = 1이므로, 출력은 토글 상태로 동작한다. 그리고 각 플립플롭은 2진수로1111에서 0000까지 카운트한다.- [그림 5] 비동기식 하향 카운터 논리회로도 - [그림 6] 비동기식 하향 카운터 상태도- [그림 7] 비동기식 하향 카운터 타이밍도- [표 3] 비동기식 하향 카운터 상태표클록펄스Q _{D} `Q _{C}Q _{B}Q _{A} `10진수클록펄스Q _{D} `Q _{C}Q _{B}Q _{A} `10진수***************************************1***************************************01*************1*************01. 기본 이론- 비동기식 2진 · 5진 카운터(7490)- 비동기식 2진 · 5진 카운터는 2진 카운터(mod-2 카운터)와 5진 카운터(mod-5 카운터)가 독립적으로 내장되어있으며, 2진 카운터로 사용할 때는 클록 입력을 Input A에 넣고 출력은Q _{A} `에서 얻는다. 그리고 5진 카운터로사용할 때는 클록 입력을 Input B에 넣고 출력은Q _{D``} Q _{C} `Q _{B`} `에서 얻는다.-Q _{A} `를 Input A에 넣으면 10진 카운터로 쓸 수 있으며, 이때 상태표는 [표 4]와 같다.- [그림 8] 비동기식 2진 · 5진 카운터(7490) 핀 배치도- [표 7] 비동기식 2진 · 5진 카운터(Q _{A} `를 Input B로 입력했을 때)클록펄스Q _{D} `Q _{C}Q _{B}Q _{A} `10진수클록펄스Q _{D} `Q _{C}Q _{B}Q _{A} `10진수*************00*************028011174 7-세그먼트의 값이 0부터 9까지 출력된다.- 7-세그먼트 회로에 전원 공급기로 케이블을 연결하여 5[V]의 전압을 인가한다.- 7-세그먼트 회로의 입력을 바꿔가며, 입력에 따른 출력(7-세그먼트 값)을 확인한다.- 4비트 비동기식 상향 카운터 실험(7400, 7476)- 4비트 비동기식 상향 카운터 회로에서{bar{PR}}은 1로 하고,{bar{CLR}}는 0으로 한 다음 1로 바꾸면,클록이 입력되면서 0부터 카운터를 시작한다.- 4비트 비동기식 상향 카운터 회로에 전원 공급기로 케이블을 연결하여 5[V]의 전압을 인가한다.- 4비트 비동기식 상향 카운터 회로에서{bar{PR}}과{bar{CLR}}를 번갈아 입력하여 출력을 확인한다.- 4비트 비동기식 하향 카운터 실험(7476)- 4비트 비동기식 하향 카운터 회로는 1111에서 시작하여 15번째 클록펄스의 끝에서 0000으로 감소한다.- 4비트 비동기식 하향 카운터 회로에 전원 공급기로 케이블을 연결하여 4[V]의 전압을 인가하고,파형발생기를 이용하여 파형은 Square로 설정하고, 주파수(Frequency)는 2.0[Hz]로, Vpp(Amplitude)는8[Vpp]로 설정하고 출력을 누른다.- 4비트 비동기식 하향 카운터 회로에서 1111에서 0000까지 1씩 감소하는지 출력을 확인한다.- 비동기식 2진 · 5진 카운터(7490)- 비동기식 2진 · 5진 카운터 회로는 0000에서 시작해서 1001까지 1씩 증가하는, 즉 0에서 9까지순차적으로 증가한다.- 비동기식 2진 · 5진 카운터 회로에 전원 공급기로 케이블을 연결하여 4[V]의 전압을 인가하고,파형발생기를 이용하여 파형은 Square로 설정하고, 주파수(Frequency)는 2.0[Hz]로, Vpp(Amplitude)는8[Vpp]로 설정하고 출력을 누른다.- 비동기식 2진 · 5진 카운터 회로에서 0000에서 1001까지 1씩 증가하는지 출력을 확인한다.3. 실험 결과7-세그먼트 디코더 및 표시기 실험 결과D : 0, C : 0, B : 0, A 1010 ~ 1111까지의 입력을 가하면 7-세그먼트에 에러가 출력되는 것을확인할 수 있었다.- 이러한 실험 결과로 7-세그먼트는 10진수 0부터 9까지의 수를 출력한다는 것을 알 수 있다.- [표 9] 7-세그먼트 디코더 및 표시기 실험 결과10진수DCBA{bar{a}}{bar{b}}{bar{c}}{bar{d}}{bar{e}}{bar{f}}{bar{g}}표시00000**************************0*******************************************************************************************0011009101010×××××××에러111011×××××××에러121100×××××××에러131101×××××××에러141110×××××××에러151111×××××××에러3. 실험 결과4비트 비동기식 상향 카운터 실험 결과4비트 비동기식 상향 카운터{bar{CLR}}( 0 ~ 1) : 1,{bar{PR}} : 04비트 비동기식 상향 카운터{bar{PR}} : 14비트 비동기식 상향 카운터{bar{PR}}( 0 ~ 1 ) : 24비트 비동기식 상향 카운터{bar{PR}}( 0 ~ 1 ) : 64비트 비동기식 상향 카운터 실험- 4비트 비동기식 상향 카운터는{bar{CLR}}을 0으로 한 다음 1로 바꾸면 클록이 입력되면서, 0부터 카운터 하므로,{bar{CLR}}을초기화 한 뒤,{bar{PR}}을 0으로 한다음 1로 바꾸는 것을 1회씩 할 때마다 0000에서 1111까지 1씩 순차적으로 증가하는것을 확인할 수 있었다.- 이러한 실험 결과로 4비트 비동기식 상향 카운터는{bar{CLR}},{bar{PR}}을 사용하여 1씩 증가한다는 것을 알 수 있다.-[표 10] 비동기식 상향 카운터 결과CPDCBACPDCBA1***************************************110***************************************17××××9100018××××3. 비동기식 하향 카운터는 회로를 설계한 뒤 파형발생기에서 파형을 Square, 주파수(Frequency)를 1~2[Hz]로Vpp(Amplitude)를 8[Vpp]로 설정하면 회로에 LED가 1111에서 0000으로 1씩 감소하는 출력을 하는 것을 알 수 있다.- 이러한 실험 결과로 4비트 비동기식 하향 카운터는 1111부터 0000까지 1씩 감소한다는 것을 알 수 있다.-[표 11] 비동기식 상향 카운터 결과CPDCBACPDCBA*************0*************11****************************************************1611113. 실험 결과비동기식 2진 · 5진 카운터 실험 결과비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 0,Q _{B} : 0,Q _{A} ` : 0비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 0,Q _{B} : 0,Q _{A} ` : 1비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 0,Q _{B} : 1,Q _{A} ` : 0비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 0,Q _{B} : 1,Q _{A} ` : 1비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 1,Q _{B} : 0,Q _{A} ` : 0비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 1,Q _{B} : 0,Q _{A} ` : 1비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 1,Q _{B} : 1,Q _{A} ` : 0비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 0,Q _{C} : 1,Q _{B} : 1,Q _{A} ` : 1비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 1,Q _{C} : 0,Q _{B} : 0,Q _{A} ` : 0비동기식 2진 · 5진 카운터Q _{D} ` : 1,Q _{C} : 0,Q _{B} : 0,Q _{A} ` : 1비동기식 2진 · 5××

공학/기술| 2020.12.13| 10페이지| 1,500원| 조회(718)

디지털논리회로실험, 디지털회로실험, 7-세그먼트, 비동기식카운터

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디지털회로실험 가산기, 감산기 실험 레포트

디지털회로실험실험보고서제목 : XOR 게이트(XOR, 1비트 비교기, 보수기)가산기와 감산기(전가산기, 전감산기)1. 기본 이론- XOR 게이트- XOR(eXclusive OR 또는 배타적-OR) 게이트는 1을 홀수 개 입력하면 1을 출력하고, 짝수 개 입력하면,0을 출력하는 게이트이다.-A` OPLUS `B`=`X- [그림 1] NOR 게이트 논리기호 - [표 1] NAND 게이트 진리표입력출력ABC000011101110- XNOR 게이트- XNOR(eXclusive NOR) 게이트는 1을 짝수 개 입력하면 1을 출력하고, 홀수 개 입력하면 0을 출력하는게이트이다.-{bar{A` OPLUS `B}} `=`X- [그림 2] XNOR 게이트 논리기호 - [표 2] XNOR 게이트 진리표입력출력ABC*************. 기본 이론- 비교기- 비교기는 2개의 전압이나 전류를 비교하고 더 큰 쪽을 가리키는 디지털 신호를 출력하는 장치이다.- 2진 비교기는 두 2진수 값의 크기를 비교하는 회로이다.-F _{1} `=` {bar{AB}} `+AB``=` {bar{A`OPLUS B}} `=`A` ODOT B#F _{2} `=` {bar{A}} B`+A {bar{B}} `=`A` OPLUS B#F _{3} `=`A {bar{B}}#F _{4} `=` {bar{A}} B``- [그림 3] 비교기 논리회로 - [표 3] 비교기 진리표입력출력ABA=BA != B#A>BA`B)Y(`A`=`B`)Z(`A`

공학/기술| 2020.12.13| 10페이지| 1,500원| 조회(173)

반가산기, 전가산기, 디지털논리회로실험, 디지털회로실험, 전감산기, 반감산기

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