"박막공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 반도체 증착 OLED 반도체 공정실험 박막공정 cvd 페로브스카이트 가공단가 나노소자> 무기공업화학

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"박막공정" 검색결과 821-840 / 3,367건

무기화학 전고체전지 레포트

있는 제조 공정)에 초점을 맞춰 개발이 진행되고 있는 것으로 보인다. 전고체 전지의 양산 시점을 앞당기기 위해 분말의 압축 성형, 롤투롤(Roll-to-roll) 코팅, 반도체 박막 등의 다양한 제조 공정 방식이 시도되고 있다. ... (de facto standards)이 결정되면 제품 혁신의 비중은 감소하고 제조 효율화에 초점을 맞춘 공정 혁신(Process Innovation)의 비중이 증가하게 된다. 다른 차 ... 세대 전지와 달리 전고체 전지는 제품 혁신 자체(필요 특성을 충족시킬 수 있는 고체전해질 후보 소재의 개발) 보다 이를 양산하기 위한 공정 혁신(고체 전해질의 특성을 극대화할 수

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.29

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[중앙대 A+, 고체재료실험]미세조직 결과레포트

- 미세조직의 특징 설명금속 제조 공정상 마지막으로 실시하는 열처리 과정이 템퍼링이므로, 템퍼링한 미세조직이 금속 특성을 결정하는 가장 중요한 작용을 한다. 따라서 금속 특성을 향상 ... boundary와 마찬가지로 세멘타이트의 입계에서의 핵생성은 original austenite boundary에서 일어나며 매우 얇은 박막으로 초기 형성되는데 이러한 박막은 기계 ... 을 실시하므로 사후의 공정에 대한 낭비를 없애서 공정의 실패에 따르는 생산원가의 상승을 억제할 수 있다는 장점이 있다. 또한 설계에서 예측하지 못한 변수나 공정에 따른 강도의 약화

리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.03.07 | 수정일 2020.03.08

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반도체 제조 공정

이라고도 하며 웨이퍼에 그려진 회로패턴을 정밀하게 완성하는 공정이다. 노광공정을 거친 웨이퍼에서 불필요한 부분의 박막을 물리적 화학적 방법을 이용해 선택적으로 제거해 나감 ... 부분에 이온형태의 불순물을 주입하여 전자소자의 영역을 만들어주고 가스관 화학반응을 통해 형성된 물질을 웨이퍼 표면에 증착함으로서 여러 가지 막을 형성하게 된다.6. 박막증착공정 ... 반도체 제조 공정1.반도체 회로 설계주어진 공정 조건에 맞추어 제품의 특성을 구체화 하고 밑그림을 그리는 단계. 다양한 반도체 제품을 설계하기 위해 오늘 날에는 여러 가지

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.01.27

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국민대학교 융합특강 중간 소감문

다. 이를 통해 집적회로 시장의 90%를 차지하게 되었다. 세 번째는 공정의 발전이 있다. 반도체 특성상 미세 제조공정이 필수인데, 오염물을 제어하고 산화와 패터닝 도핑 박막증착등 ... 라고 불리운다. 약 1960년 이후 실리콘의 연구논문 수가 철의 연구논문 수를 능가하고 있다.3. 반도체 제조 공정반도체 산업의 성공 요인으로는 첫 번째로 재료가 있다 실리콘은 값 ... 의 공정기술이 발전함에 따라 반도체 산업이 상당히 발전하게 되었다. 이를 통헤 고든 무어 박사가 이야기 한것처럼 반도체 칩의 트랜지스터 수는 2년마다 2배로 증가하게 되었다. 이후

시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.01.05

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High k 물질에 관하여

노력이 진행 되고 있습니다. 그 과정에서 공정이 점차 세밀해지고 집적도가 높아짐에 따라서 트랜지스터의 channel이 짧아지게 되면서 '터널링 효과‘와 같은 Short ... 작은 DRAM 소자의 제작을 위해서는 사용되는 유전체의 박막의 두께를 감소시키거나 capacitor의 유효 표면적을 증가시켜야만 했습니다. 그러나 박막의 두께가 약 4 nm 이하 ... 된 면적 내에서 유효표면적을 증가시키기 위해 실린더의 형태의 capacitor를 이용하고 있으나 photo/etch 공정 기술로는 원하는 capacitor의 높이를 제작하기가 한계

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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[고체 물리] 스퍼터링 결과 보고서

-3}Ar Flow(sccm)18Growth time(minute)402. 토의사항우리 실험의 목적은 박막 성장 방법 중의 하나인 sputtering을 이용해 substrate ... 지 않아서 불순물이 들어갔기 때문인 것으로 보인다. 이 실험 결과로 만들어진 구리가 증착된 실리콘 박막을 다음 실험에서 반도체로 이용한다.실험에서 쓴 실리콘 wafer는 둥근 모양 ... 을 하고 있었다. 그 이유는 실리콘을 만드는 공정 과정에서 찾을 수 있다. 실리콘은 melted sand로부터 만들어 지는데, 이 것이 적정한 온도까지 올라갔을 때 crystal s

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.07.30

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LBL-SA 법에 의한 SiO2 박막의 제조 실험

LBL-SA 법에 의한 SiO2 박막의 제조 실험 20141262 이완재실험 목적 LBL-SA 를 통하여 고분자 – 고분자 , 고분자 – 산화물 (ceramic) 의 박막을 만들 ... 고 , LBL-SA 의 원리와 흡착 방법 , 박막의 특성 평가 방법을 익힌다 .기초 지식 1) LBL-SA 법 2) 용액의 농도 및 PH 조절 3) 박막의 특성 평가법 4) 박막 ... 의 응용 분야LBL-SA 법 두 물질의 정전기력을 이용 하여 박막을 제조하는 LBL 법은 광학용 디바이스를 위한 반사방지 막을 제조하기 위한 적합한 방법이다 . 왜냐하면 박막을 제조

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.03.18

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플렉서블디스플레이(Flexible Display) 레포트(디스플레이공학)

-제품구조※PI (Polyimide)를 사용하는 이유는?Ⅱ. 플렉서블 디스플레이 기술동향-생산기술-봉지공정 비교-시장전망1. Flexible Display정의디스플레이 특성의 손실 ... (1).Flexible OLED－ OLED 구동방식은 보조광원이 불필요하여 완전한 플렉서블을 구현할 수있으나, 공정 난이도가 LCD 구동방식 대비 높고 유기 발광물질이 수분에민감 ... 한 점 등의 단점이 있다.(2).Flexible LCD- 구동방식은 비교적 제조공정이 간단하나, 보조광원이필요하여, Curved TV와 같은 대형 디스플레이에만 적용 가능한 수준이

리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.08.24 | 수정일 2019.09.23

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생명과환경 = ) 태양광발전의 경제성이 앞으로 어떻게 변화할 것인지 조사해보시오.

번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수 대역을 가지는 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 그리고 3세대 태양전지는 획기적으로 효율을 증가시킬 수 있을 것이다. 현재 양자점과 나노 입자 ... 전지에서 사용한 전극 형태를 이용한 태양전지가 개발되었으며 광 변환 효율이 24%로 현재 실리콘 태양전지 중 가장 높은 효율을 기록하고 있다. 그리고 2세대 태양전지는 같은 박막 ... 증착 장비의 발달로 인하여 화합물 반도체 분야에서 빠르게 발전하고 있다. 또한, 터널구조를 이용하여 pn 접합 태양전지를 금속 전극 없이 반도체 박막만으로 직렬연결이 가능하여 한

방송통신대 | 7페이지 | 3,000원 (50%↓) 1500원 | 등록일 2018.09.12 | 수정일 2018.10.12

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[커피와 바리스타] 과제물

냄새가 나지않고 시각적으로도 인위적인데다가 박막재가 별도로 제조되고 라미네이팅되기 때문에 제조공정이 복잡하여 제조비용이 많이 소요되는 문제점이 있다.이러한 문제점을 커피로 극복 ... 슬러지를 이용한 재활용품에 대한 수요가 저조하고 그 가공 공정 또한 까다로워 활용빈도가 낮다는 문제점이 있고, 커피슬러지는 통상 80% 혹은 85%의 함수율을 가지기 때문에, 일반 ... 를 프레스로 성형한 후 그 표면에 나무무늬가 인위적으로 연출시킨 박막재를 라미네이팅하여 제조된다. 표면에 합성수지로 된 박막재가 라미네이팅되어 있으므로 내부로부터 아무런 자연적인

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.01.27

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디스플레이 액정 킥백볼티지 관련 레포트

전압 감소-> flicker 현상 발생 (픽셀 전압이 새어나감 기생 캡으로)백 채널 에치 구조에서 a-si층이 얇을 경우 생기는 장점 : 공정시간 단축, 누설 전류 감소문제점 ... 장점 :반면에 공기 및 수분을 막아주고, 열에도 강하고, 전자제품이 뜨거워도 크기가 늘어나지 않고, 빛도 잘 투과엘시디 공정 : 전극 형성, 클리닝, 배향막 인쇄, 러빙, 클리닝 ... 박막층 웨이퍼에 증착하드 베이킹 :남아있는 용해물 제거, 웨이퍼에 남은 PR을 더 강하게 붙게함, 솔벤트 완전 제거.스퍼터링 : 금속 증착PECVD : a-si,n+asi,sinx

리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.05.30

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CIGS 박막 태양전지에 대한 보고서

로 제조할 수 있다. 특히, 유연 기판을 사용할 경우 롤투롤(roll-to-roll) 공정에서 양산성이 대폭 증대되어, 스테인레스 스틸 포일을 기판으로 사용한 CIGS 박막형 태양 ... 과 공정 자동화 및 표준화 기술개발이 필요한데, CIGS 박막 태양전지는 장기간의 연구개발을 통해 현재 대량생산체제 단계에 진입하였고, 효율과 제조단가 측면에서 더욱더 빠른 속도 ... CIGS 박막 태양전지에 대해- CIGS 박막 태양전지란?CIGS 박막 태양전지의 역사는, 1953년에 H. Hahn에 의해 처음으로 CuInSe2(CIS) 결정이 합성

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2017.01.24

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재료공학실험1 - Photolithography에 대한 이해

Photolithography 보고서1. Negative PR은 일부 특수한 공정에서 사용합니다. 그 중, 디스플레이 Color Filter(C/F) 공정은 Negative PR ... 을 사용하게 되는데, 여기서 Color Filter 공정은 무엇이고, 왜 Negative PR을 사용해야 하는지 정리하세요.Negative PR은 UV를 조사받지 않은 곳이 현상액 ... 부분의 공정에서는 Positive PR을 사용하는데, 이는 해상력이 월등히 높아서이다. Negative PR은 빛을 받으면, Crosslink된 Polymer에 의해 접촉력이 강해지

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.11.14

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반도체제조공정 실습 레포트 A++

의 이온화율이 증가하고 이 부분이 스퍼터율 증가로 이어져 박막의 두께가 증가했음을 알 수 있다.1조와 3조를 비교하면 3조의 공정압력이 2배 높음을 알 수 있으며, 박막의 두께는 감소 ... 가 두꺼워진 것이지만, 가스유량이 너무 많을 경우에는 오히려 전자의 MFP를 감소시켜 박막의 두께가 감소할 수도 있다.1조와 5조의 차이는 가스유량과 공정압력을 모두 증가시켰고, 박막 ... 의 두께는 증가했음을 알 수 있다. 이는 공정압력 증가로 인한 스퍼터율 감소보다 유량 증가로 인한 이온화율 증가가 박막형성에 더 큰 기여를 했음을 알 수 있다.2. 접촉각 측정s

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.11.21

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국내 기업중 한 회사를 선정하여 간략한 회사소개 후, 해당 기업을 마이클 포터의 5팩터 경쟁요인에 적용하여 경쟁력을 분석하시오.

며, 전체 매출의 90%이상을 차지하고 있다. 그 밖에도 OLED용 박막봉지장비(Thin Film Encapsulation system)와 UVC LED용 MOCVD(Metal ... 으로 선정되었고, 2015년 5월 코스닥 라이징스타기업에 선정됐으며, 2018년 12월에는 3D NAND 공정용 하드마스크 증착 재료 및 증착장비 개발로 대한민국 기술대상 대통령상을 수상 ... 식각 장비 시장에 가스 방식의 Dry Etcher(GPE) 장비를 개발하여 진입하였으며, 장비 성능의 차별화를 위해 2012년 GPE 와 다른 공정을 하나의 장비에서 동시에 수행

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.06.10 | 수정일 2023.01.17

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[고분자공학실험]ITO Pattering 공정

반대의 다른 박막의 패턴이 형성된다.나. Lithography 공정Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응 ... 가 가능하다. 물론 꿀이나 물엿 같은 정도의 점도를 가진 물질도 사용 할수 없다. 반도체 공정상에 많이 사용하며, 반도체는 기판이라는 크리스탈 위에 다른 물질을 스핀코팅해서 박막(아주 ... ITO Pattering 공정1. 실험 목적가. OLED / PLED / OTFT / OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO를 원하는 pattern으로 식각하는 법

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.12 | 수정일 2020.08.05

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TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허

TFT 전체 제조 공정02 TFT 단위공정 & 개선기술2.1 TFT 단위공정 소개2.1.1 박막증착 공정2.1.2 식각 공정2.1.3 포토리소그래피 공정2.1.4 이온주입 공정2.2 ... TFT 단위공정 개선기술 소개2.2.1 박막증착 공정- 원자층증착법- 플라즈마 강화 원자층증착법2.2.2 식각 공정- 조성물 구성비에 따른 식각문제 해결2.2.3 포토리소그래피 ... 았으며 크게 4가지 기술, 즉 박막증착기술, 식각기술, 사진패턴기술, 이온주입기술로 나누었다. 이를 토대로 각 기술 공정을 알아보고 기술의 문제점, 개선방안을 중심으로 새로운 기술의 특허

리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.03.08

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물리 증착법(PVD)에 대한 조사[정의 및 원리, 특성, 종류 등]

으로 증착 시키는 공정을 말한다. 원하는 금속 물질에 가해진 에너지가 운동에너지로 변하여 물질이 기판으로 이동하여 박막을 형성하게 된다.- PVD의 증착면은 수 나노미터에서 수천 ... 위에 증착 할 수 있는 장비를 사용하는 공정으로써, 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용된다.4.2.2.E-beam evaporation의 박막증착 형성 ... Physical Vapor Deposition[Report]과 목 명 : 박막재료공학담당교수 :학 과 : 재료공학전공학 번 :이 름 :목 차1. 박막제조를 위한 증착법2. PVD

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.01.06

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화학 증착법(CVD)에 대한 조사[정의, 원리, 응용, 특성, 종류 등]

-product)들은 다시 탈착되어 진공펌프에 의해 외부로 배기된다.- Growth Rate of CVD3. CVD의 응용- 실리콘 IC의 제조에 주로 사용되는 공정으로 부도체 박막 ... 에서 반응 용기 내에 단순한 열에너지에 의한 화학 반응을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다. APCVD System 은 CVD 공정의 초기 형태이며 Silicon 산화막 증착에 사용 ... 로 를 지나면서 박막이 형성되는 형태이다.- Wafer 표면의 온도가 약 400℃ 부근의 공정임에 따라 주변 부품이나 Injection 부분 등의 냉각을 위한 냉각 장치가 필연

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.01.06

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반도체공정-식각공정

로 중요하게 여겨지고 있다.지금까지 반도체 회로패턴을 완성하는 식각 공정(Etching)에 대해 알아보았다. 반도체는 필요 물질의 박막(Thin Film)을 실리콘 기판 전면에 바른 ... 깎아 내는 작업의 반복이 필요한데, 회로 패턴이 그려진 대로 웨이퍼에 전기가 흐르도록 만드는 과정인 식각공정(Etching)에 대해 소개해 드리겠습니다.식각 공정은 필요한 회로 ... 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 과정▲ 식각공정(Etching)식각공정은 웨이퍼에 액체나 기체의 etchant(플라즈마도 포함)를 이용해 불필요한 부분을 선택적으로 제거

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.02.27 | 수정일 2020.09.16

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