전자회로 설계 및 실험2 결과 레포트_18장

소개

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목차

1. 제목
2. 실험 결과 및 분석
3. 컴퓨터 시뮬레이션

본문내용

제목: 제18장 공통 베이스 및 이미터 폴로어(공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기
실험 결과 및 분석
2.1
공통 베이스 직류 바이어스
(a)

<변경된 그림 18-1> <변경된 그림 18-1의 dc 회로>
위 왼쪽 그림처럼 그림 18-1을 변경을 하였다. R_1은 32kΩ, C_1과 C_2 10μF으로 변경을 하였다. 이때 위 회로에서 커패시터는 모두 개방이 되고 교류 전압인 v_sig는 단락이 되면 해당 회로는 오른쪽 그림과 같은 dc 회로가 되며 이 회로를 테브닌 정리를 통해 V_TH, R_TH은 다음과 같이 구해진다.
V_TH = V_CC x R_2/(R_1+ R_2 ) = 10 x 10k/(32k+10k) = 2.38, R_TH = R_1 || R_2 = 32k || 10k = 7.62kΩ

이를 통해 식을 세우면 다음과 같다. 이때 β = 100으로 계산하면
V_TH = I_B x R_TH + 0.7 + I_E x R_E = I_E x (R_TH/(1+ β) + R_E) + 0.7 = I_E x 1.08k + 0.7
I_E = (2.38 - 0.7 )/1.08k = 1.56mA이다.
V_B = V_TH - I_B x R_TH = V_TH - 1/(1+ β) I_E x R_TH =2.38 – 1/101 x 1.56m x 7.62k = 2.26V
V_E = V_B – 0.7 = 2.26 – 0.7 = 1.56V
V_C = V_CC – α x I_E x R_C = 10 – 1.56m x 3k = 5.32V
r_e = V_T/(I_E ) = 26mV/(1.56mA ) = 16.67Ω

(b)

<V_B의 측정값> <V_E의 측정값> <V_C의 측정값>
위 사진을 통해 V_B, V_E, V_C의 측정값이 각각 2.29V, 1.65V, 4.9V가 나오는 것을 확인을 할 수가 있었다. 이를 통해 I_E = V_E/R_E = 1.65/1k = 1.65mA, r_e = V_T/(I_E ) = 26mV/(1.65mA ) = 15.8Ω이 계산이 되었다.

앞에서 이론치 계산을 통해 I_E, r_e의 값이 각각 1.56mA, 16.67Ω과 측정값을 통해 계산한 I_E, r_e의 값이 각각 1.65mA, 15.8Ω이라는 근사하다는 것을 통해 옳게 구해짐을 알 수가 있었다.

참고자료

· 없음