동적인 유사 비휘발성 메모리 용어

소개

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목차

Abstract / 초록
1. Introduction / 서론
2. Device Architecture / 소자 구조
3. Operation Mechanism / 동작 원리
4. Comparative Analysis / 비교 분석
5. Simulation and Performance / 시뮬레이션 및 성능
6. Applications and Market / 응용 및 시장 전망
7. Conclusion / 결론
Acknowledgment / 감사의 글
References / 참고문헌

본문내용

Abstract / 초록
This paper introduces the concept of DRWM (Dynamic Read-Write Memory), a quasi-nonvolatile memory cell based on a dual-dielectric floating-metal capacitor (HRC-MOS structure). Unlike conventional DRAM or Flash, the DRWM offers low-voltage operation, rapid charge retention over several seconds to minutes, and full CMOS compatibility. This hybrid mechanism allows high-speed and low-power memory applications for AI Edge and IoT systems.
본 논문은 이중 절연막 부유 금속 커패시터(HRC-MOS) 구조를 기반으로 한 유사 비휘발성 DRWM(Dynamic Read-Write Memory)의 개념을 제시한다. DRWM은 기존 DRAM이나 Flash와 달리 저전압 구동, 수 초~수 분 수준의 전하 보유, CMOS 호환성을 동시에 달성하며, AI Edge 및 IoT 응용에 적합한 고속·저전력 메모리 구조를 제공한다.

참고자료

· S. Aritome et al., “Reliability issues of Flash memory cells,” Proc. IEEE, 1993.
· H. Iwai, “CMOS scaling for sub-50nm,” Microelectron. Eng., 2009.
· R. Bez et al., “Introduction to Flash Memory,” Proc. IEEE, 2003.
· T. P. Ma and P. V. Dressendorfer, *Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits*, Wiley, 1989.
· OpenAI ChatGPT (GPT-5), AI-assisted Semiconductor Design Documentation, 2025.