[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험10_결과

목차

Ⅰ. 서론
1. 실험 목적
2. 배경 이론

Ⅱ. 실험 장비 및 실험 방법
1. 실험 순서
2. 실험 장비

Ⅲ. 실험결과
1. 실험1

Ⅳ. 토론
1. 데이터 분석
2. 토론

Ⅴ. 결론

Ⅵ. 참고문헌

본문내용

1. 실험 목적
가) MOSFET 트랜지스터를 사용하여 Common-Source 증폭기 회로설계
나) 동작 검증

2. 배경이론
가) 실험 이론
１) MOSFET Amplifier
① Biasing the MOSFET Amplifier

MOSFET의 게이트 전압에 따라 출력 전압이 그래프와 같이 변하는 것을 확인할 수 있다. 그래프에서 게이트 전압이 임계 전압(Threshold Voltage)보다 낮으면 MOSFET에 전류가 흐르지 않아 출력 전압이 V_DD로 유지된다. 반면 게이트 전압이 임계 전압을 초과하면 MOSFET에 전류가 흐르기 시작하고, 출력 전압은 게이트 전압의 크기에 따라 달라진다. 그러나 게이트 전압이 증가하여 MOSFET이 선형 영역(Linear Region)에 도달하면, 게이트 전압의 변화에 따른 출력 전압의 변화가 감소한다.

２) The MOSFET Amplifier with a Small Time-varying Signal

1) 에서 시간에 따라 변하는 작은 신호를 게이트에 인가하면 위와 같은 출력 특성을 보인다. 그래프는 포화 영역(Saturation Region)에서의 동작을 나타낸다. 이 영역에서는 작은 입력 신호 변화를 증폭하여 출력으로 나타낸다. 그러나 동작 영역이 임계 전압보다 낮은 경우 입력 신호를 가하더라도 출력 전압은 V_DD로 유지된다. 반면, 선형 영역에서 동작할 때는 출력 신호가 입력 신호보다 더 작은 변화를 보인다.

II 실험 장비 및 실험 방법 (Materials & Methods)
1. 실험 순서
가) 실험 1

１) 실험 1-1

① 위의 회로 설계
② PSpice를 통해 트랜지스터에 흐르는 전류의 값이 2.3 ~ 2.6mA가 되도록 하는 RG1의 값을 구하기.

참고자료

· Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019)
· Irwin, 『Engineering Circuit Analysis』, WILEY(2015)
· Sedra, 『Microelectronic Circuit 7th』, OXFORD(2016)
· 실험 교안, pdf