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MOSFET 바이어싱 및 공통소스 증폭기 실험2025.11.161. MOSFET 바이어싱 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해 적절한 DC 바이어스를 인가하여 동작점을 결정한다. 동작점은 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 실험에서는 2N7000 MOSFET의 파라미터(gm, kn, Vth)를 추정하고, 다양한 Vdd 조건에서 드레인 전류 iD를 측정하여 바이어싱 특성을 분석한다. 2. 소신호 모델 소신호가 충분히 작아 vgs와 iD의 관계가 선형적일 때, 이들의 관계는 접선의 기울기 gm으로 나타낼 수 있다. 채널 변조 효과를 포함한 NMOSFET의 소신호 모델을 사...2025.11.16
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전자회로실험 A+ 7주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. BJT Amp Biasing 이 실험에서는 BJT 증폭기의 바이어싱 방법에 대해 학습하고 각 방법의 장단점을 비교했습니다. 실험에서 다룬 바이어싱 방법은 Simple Biasing, Resistive Divider Biasing, Resistive Divider Biasing with Emitter Degeneration, Self-biasing 등입니다. 각 방법의 특성을 실험 결과를 통해 확인했으며, 저항 값 변화에 따른 민감도, 안정성, 효율성 등을 분석했습니다. 실험 결과를 통해 BJT 증폭기 설계 시 적절한 바이어싱 ...2025.05.10
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Emitter Follower와 Class A Amplifier 실험 보고서2025.11.161. Emitter Follower (CC 증폭기) Emitter Follower는 CC 증폭기로 불리며 이득이 1에 가깝고 출력 저항이 매우 작은 회로다. 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 하여 부하에 충분한 전압을 전달할 수 있다. 실험에서 입력 임피던스는 매우 높지만 출력 임피던스는 27.78Ω으로 매우 작음을 확인했다. 2N3904 트랜지스터를 사용하여 DC 및 AC 특성을 측정하고 부하 저항 연결 시 출력 임피던스 변화를 관찰했다. 2. Class A Amplifier (공통 이미터 회로) Class A ...2025.11.16
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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JFET 바이어스 회로설계 실험2025.11.171. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정된다. Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만나게 된다. 이 방식은 간단하지만 온도 변화에 민감하여 Q점이 불안정할 수 있다. 2. 자기 바이어스 회로 자기 바이어스 회로에서는 Vgs의 크기가 드레인 전류 Id와 소스저항 Rs의 곱으로 정의된다. 회로의 바이어스 선은 원점에서 시작해 전달 특성곡선과 직류 동작점에서 교차한다. 소스 저항이 커질수록 바이어스 선은 수평에 가까워지고 드레인 전류는 작...2025.11.17
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JFET 바이어스 회로 실험2025.11.171. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정되며, Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만난다. 실험에서 IDSS=9.4854mA, Vp=-2.9520V를 측정하였고, VGS=-1V일 때 IDQ(계산값)=4.147mA, IDQ(측정값)=4.4893mA로 나타났다. 2. 자기 바이어스 회로 자기 바이어스 회로에서는 Vgs의 크기가 드레인 전류 Id와 소스저항 Rs의 곱으로 정의되며, 회로의 바이어스 선은 원점에서 시작해 전달 특성곡선과 직류...2025.11.17
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BJT 바이어스 회로 실험 결과보고서2025.11.181. 고정 바이어스(Fixed Bias) 회로 고정 바이어스 회로는 베이스 저항을 통해 일정한 베이스 전류를 공급하는 방식입니다. 2SC3198Y와 2SC3198GR 트랜지스터를 사용하여 실험한 결과, 베타 값이 증가할수록 컬렉터 전류가 증가하는 직선적 관계를 보였습니다. 이는 베이스 전류가 고정되어 있기 때문에 베타의 변화가 컬렉터 전류에 직접적으로 영향을 미치기 때문입니다. 온도 변화에 민감하며 베타 값의 변동이 심해 온도 안정성이 낮습니다. 2. 전압분배 바이어스(Voltage Divider Bias) 회로 전압분배 바이어스는...2025.11.18
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A급 및 B급 전력 증폭기 실험2025.11.171. A급 전력 증폭기 A급 바이어스 증폭기는 컬렉터 전류의 선형영역 중앙 근처에 동작점이 설정되어 입력전류의 전체 주기가 왜곡 없이 증폭된다. 선형성이 잘 유지되지만 입력전류에 무관하게 바이어스 전류가 항상 흐르므로 DC전력소비가 커서 전력 효율이 낮다. 최대 효율이 25%를 넘지 못하며 주로 아주 작은 부하 전력이 요구되는 응용 분야에만 사용된다. 2. B급 전력 증폭기 B급 바이어스 증폭기는 트랜지스터의 차단점에 동작점이 설정되어 입력전류의 양의 반 주기만 증폭된다. 상보형 푸시풀 구조를 이용하여 전체 주기의 신호를 얻을 수 ...2025.11.17
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Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 실험 결과2025.11.141. Common Emitter Amplifier Common Emitter Amplifier는 모든 BJT amplifier 구성 중에서 가장 널리 사용되는 증폭기이다. 이 실험에서는 저번 실험에서 설계한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 측정하였다. DC 전압 측정 결과 오차는 1% 내외였으나, base 전류는 13.3%의 오차를 보였다. 이는 전류값의 단위가 마이크로 단위로 매우 작아 측정 장비의 정밀도 한계로 인한 것이다. 또한 β값의 오차율은 15.3%를 나타냈다. 2. 주파수 응답 특성 주파수를...2025.11.14
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공통 이미터 증폭기 설계 및 시뮬레이션2025.11.141. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) BJT는 베이스, 컬렉터, 에미터 3개 단자를 가지며, 4단자망 증폭기로 사용하기 위해 한 단자를 공통으로 사용한다. 공통 이미터 구성에서는 입력이 베이스로, 출력이 컬렉터로 나온다. 이 구조는 중간 정도의 입력저항, 큰 전압이득, 큰 전류이득을 가지며 주로 중간 증폭 단으로 사용된다. Small signal model로 표현 가능하며, 전압이득은 Rc 값에 따라 변한다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 공통 이미터 증폭기의 전압이득은 Rc와 RL 값에 따라 ...2025.11.14
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