Thermal Process, 열공정, 반도체 공정 정리 레포트

소개

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목차

① Thermal Process Hardware
② Oxidation
③ Diffusion
④ Annealing
⑤ High-temperature Chemical Vapor Deposition
⑥ Rapid Thermal Processing
⑦ Recent Developments
⑧ Review Questions

본문내용

1-1 Introduction
열 공정은 확산 노 라는 고온의 노에서 일어난다. 노에는 두가지 종류가 있는데 석영 튜브와 열을 받는 원소들의 방향에 따라 수직, 수평 노가 있다. 노에는 일반적으로 균일성, 정확한 온도 제어, 낮은 입자 오염, 높은 생산성, 높은 신뢰성 및 낮은 비용이 요구된다. 노는 제어 시스템, 공정 튜브, 가스 전달 시스템, 배기 시스템 및 적재 시스템의 5 가지 기본 구성 요소로 구성된다. 저압 CVD(LPCVD) 가공에 사용되는 노도 진공 시스템이 필요하다.
수직 노는 수평 노보다 더 많은 장점을 갖고 있다. 예를 들어 낮은 입자 오염, 많은 수의 무거운 웨이퍼를 처리할 수 있는 능력, 더 나은 균일성, 낮은 유지 보수 비용 및 더 작은 설치 공간 등의 장점이 있다. 특히 cleanroom을 크게 만드는 것은 매우 비싸 작은 설치 공간은 매우 중요하다. 또한, 웨이퍼가 수직으로 쌓여있기 때문에 큰 입자는 상단 웨이퍼에만 떨어지고 아래 웨이퍼에 도달하지 않기 때문이다.
웨이퍼 보트, 패들 및 웨이퍼 타워와 같은 열처리로의 대부분의 부품은 용융된 석영으로 만들어진다. 석영은 단 결정 이산화규소로 고온에서도 매우 안정한 물질이다. 이것의 단점은 취약성과 금속성 불순물이다. 석영은 나트륨 장벽이 아니기 때문에 미량의 나트륨은 항상 튜브를 관통하여 웨이퍼의 장치에 손상을 줄 수 있다. 온도가 1200도 이상일 때 작은 박편이 발생하여 입자 오염을 일으킬 수 있습니다.
SiC는 고온 노에 사용되는 또 다른 물질이다. 석영과 비교하여 SiC는 열 안정성이 높고 이동 이온 장벽이 더 우수하다. SiC의 단점은 석영보다 더 무겁고 더 비싸다는 것이다. 장치 치수가 더욱 감소함에 따라, 처리 요구 사항을 충족시키기 위해 더 많은 SiC 부품이 노에서 사용될 것이다.

1-2 Control system
컨트롤러는 여러 마이크로컨트롤러에 연결된 컴퓨터로 구성된다. 각 마이크로 컨트롤러는 웨이퍼 로딩 및 언 로딩, 각 단계에 대한 처리 시간,......<중 략>

참고자료

· 없음