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중앙대학교 전기회로설계실습 A+ 결과보고서 3. 분압기(Voltage Divider) 설계2025.05.031. 분압기(Voltage Divider) 설계 이번 측정에서 오차가 발생한 이유에는 우선 측정할 때 브레드보드를 이용하였기에 브레드보드의 내부저항의 영향이 있었을 것이다. 또한 실험테이블이 냉방기 근처에 있었고, 온도에 민감한 저항을 여러 개 사용하였기에 이에 따른 영향이 있었을 수 있다. 또한 실험에 사용한 DMM과 DC Power Supply에서의 오차가 발생했을 가능성이 있고, 마지막으로 측정자의 조작 미숙에 의한 오차가 발생했을 수 있다. 1. 분압기(Voltage Divider) 설계 분압기는 전자 회로에서 매우 중요한 ...2025.05.03
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BJT 바이어스 회로 실험 분석2025.11.161. BJT 고정 바이어스 회로 BJT의 고정 바이어스 회로는 베이스 저항을 통해 일정한 베이스 전류를 공급하는 방식입니다. 실험에서 2N3904와 2N4401 트랜지스터를 사용하여 동작점 변화를 측정했으며, VBE는 0.65V, IC는 약 4.2mA로 나타났습니다. 이론값과 측정값의 오차는 가변저항 측정 부정확성과 DMM 내부저항의 영향으로 발생했습니다. 2. BJT 전압 분배기 바이어스 회로 전압 분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 베이스 전압을 분배하여 안정적인 바이어스를 제공합니다. 실험 결과 2N3904에서 VB 0....2025.11.16
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RL회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.151. RL 회로의 시정수 측정 실험을 통해 10mH 인덕터의 시정수를 측정하였다. DMM을 통해 인덕터의 저항을 26.9Ω으로 측정하였고, 1KΩ의 가변저항을 사용하여 10us의 시정수를 갖는 RL 회로를 구성하였다. 오실로스코프를 통해 측정한 결과, 시정수가 8us로 나타났는데, 이는 이론값과 약 20% 정도의 오차가 있었다. 오차의 원인으로는 가변저항과 인덕터의 오차, 측정 과정에서의 오차 등이 있었다. 2. 입력 전압의 OFFSET 및 크기 변화에 따른 영향 입력 전압의 OFFSET을 제거하고 크기를 5V로 증가시켜 실험을 반...2025.05.15
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전기회로설계실습 7장 예비보고서2025.01.201. RC 회로의 시정수 측정 이 보고서에서는 RC 회로의 시정수를 측정하는 방법을 설계하고 있습니다. 먼저 DMM의 내부 저항을 측정하는 방법을 제시하고, 이를 이용하여 2.2 μF 커패시터의 충전 및 방전 시간을 측정하는 실험 절차를 설명합니다. 또한 시정수가 10 μs인 RC 회로를 설계하고, 이 회로에 0.5V 사각파를 인가했을 때의 저항 전압과 커패시터 전압 파형을 예상하고 있습니다. 마지막으로 RC 회로에 사각파를 인가했을 때의 저항과 커패시터의 전압 파형을 이론적으로 설명하고 있습니다. 1. RC 회로의 시정수 측정 R...2025.01.20
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[A+] 전자회로설계실습 8차 결과보고서2025.05.101. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 단일 Current Mirror를 직접 설계한 뒤에 DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, 전류, 저항 등을 측정 및 기록하였다. 단일 Current Mirror의 전류 오차는 0.6%였고, 10mA에 근접하여 저항 값을 조절하지 않아도 되었다. 측정한 결과를 통해 단일 Current Mirror의 출력 저항을 계산할 수 있었다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 Cascode Current Mirror를 직접 설계...2025.05.10
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중앙대 전기회로설계실습 12차 예비보고서2025.04.271. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 설계실습 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 예비보고서에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 저항의 경우 Function generator와 연결하여 주파수 변화에 따른 저항 값의 변화를 DMM으로 측정하고, 커패시터와 인덕터의 경우 RL 회로와 RC 회로를 구성하여 입력전압과 저항전압의 비와 위상차를 Oscilloscope로 측정하여 고주파 특성을 분석하는 방법을 제시하고 있습니다. 2. 기생 인덕터의 영향 R=10...2025.04.27
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중앙대학교 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입려저항 측정회로 설계(예비) A+2025.01.271. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 수Ω 정도로 작으며 새 건전지의 경우 0.05Ω의 출력저항을 가진다. 따라서 내부저항은 0에 가까운 아주 작은 값일 것이라 예상한다. 건전지(6 V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 하였다. 10Ω 저항에 0.6A 전류가 흐르고 6V 전압이 걸리므로 10Ω 저항에 소비되는 전력은 3.6W이다. 2. 옴의 법칙과 전류 계산 10Ω의 저항에 1V를 인가하면 전류는 100mA이다. D...2025.01.27
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RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답 실험2025.11.151. RLC 직렬회로의 과도응답 RLC 직렬회로에서 저항, 인덕터, 커패시터의 값에 따라 부족감쇠, 과감쇠, 임계감쇠 응답이 발생한다. 공진주파수 ω₀ = 1/√(LC), 감쇠상수 α = R/2L, 진동주파수 ωd = √(ω₀² - α²)의 공식을 사용하여 회로의 특성을 분석한다. R=500Ω, L=10mH, C=0.01㎌인 경우 부족감쇠 응답이 발생하며, R=4kΩ인 경우 과감쇠 응답이 발생한다. 2. 임계감쇠 조건 및 측정 임계감쇠는 α = ω₀인 상황으로, R/2L = 1/√(LC)일 때 발생한다. L=10mH, C=0.01㎌...2025.11.15
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서7_RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계(보고서 1등)2025.05.101. RC회로의 시정수 측정 실습을 통해 RC회로의 시정수를 측정하는 방법을 알아보았다. DMM의 내부저항을 활용하여 RC회로를 구성하고, 10V 직류전압을 이용한 실험에서 이론적 계산 값과 실제 측정 값의 오차가 7.95%로 나타났다. 또한 Function Generator를 이용한 실습에서는 시정수가 9μs로 계산된 10μs와 10%의 오차를 보였다. 오차의 원인으로는 저항과 커패시터의 값 차이, 시계를 이용한 수동 측정의 한계 등이 지적되었다. 2. RC회로의 과도응답 특성 RC회로에 사각파를 인가했을 때의 전압 및 전류 파형...2025.05.10
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반파 및 전파 정류 회로 실험2025.11.171. 반파 정류(Half-Wave Rectification) 반파 정류는 하나의 다이오드를 사용하여 정현파 입력 신호로부터 직류값을 얻는 회로이다. 반파 정류 신호의 평균값은 피크 전압의 31.8%이며, 식 Vdc = 0.318Vm을 만족한다. 다이오드의 순방향 바이어스 천이전압(VT)이 입력 신호의 피크값에 비해 크지 않으면 직류값에 현저한 영향을 미친다. 실험에서는 1kHz, 8Vp-p의 정현파 신호를 사용하여 반파 정류 회로의 출력 전압과 파형을 측정하고 이론값과 비교한다. 2. 전파 정류(Full-Wave Rectificat...2025.11.17
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