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공통 베이스 및 콜렉터 트랜지스터 증폭기2025.11.161. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력신호를 이미터 단자에 인가하고 컬렉터로 출력을 얻는 회로이다. 입력과 출력 간의 위상반전이 없으며, 입력 임피던스는 낮고 출력 임피던스는 높다. 교류 전압 이득은 RE>>re일 때 1에 가까우며, 이미터와 컬렉터 간의 전압이득은 Ic·Rc/(Ie·(re'+RE))로 계산된다. 공통베이스 회로에서 출력의 전압 부호가 바뀌며 입력 전류의 방향도 반대이므로 위상차이가 없다. 2. 공통 콜렉터 증폭기 공통 콜렉터 증폭기는 두 가지 형태로 나뉜다. 콜렉터에 저항이 있는 경우 전압이득은 Rc/...2025.11.16
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공통 이미터 증폭기 설계 및 실험2025.11.171. 공통 이미터(Common-Emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 이미터가 신호 접지에 있는 증폭기로, 입력 포트는 베이스와 이미터 사이, 출력 포트는 컬렉터와 이미터 사이에 위치한다. 중간 정도의 입력 저항, 큰 전압 이득, 큰 전류 이득, 큰 출력 저항을 특징으로 하며 다단 증폭기의 중간 증폭단으로 주로 사용된다. 부하 저항 증가 시 증폭도가 증가하고, 바이어스 저항 변화에 따라 트랜지스터의 동작점이 포화 또는 차단 영역으로 이동하여 출력 파형에 왜곡이 발생한다. 2. 회로 설계 및 부품 선정 공통 이미터 회로 설계에서 트...2025.11.17
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실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
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공통 이미터 증폭기 설계 및 시뮬레이션2025.11.141. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) BJT는 베이스, 컬렉터, 에미터 3개 단자를 가지며, 4단자망 증폭기로 사용하기 위해 한 단자를 공통으로 사용한다. 공통 이미터 구성에서는 입력이 베이스로, 출력이 컬렉터로 나온다. 이 구조는 중간 정도의 입력저항, 큰 전압이득, 큰 전류이득을 가지며 주로 중간 증폭 단으로 사용된다. Small signal model로 표현 가능하며, 전압이득은 Rc 값에 따라 변한다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 공통 이미터 증폭기의 전압이득은 Rc와 RL 값에 따라 ...2025.11.14
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전자회로실험 A+ 7주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. BJT Amp Biasing 이 실험에서는 BJT 증폭기의 바이어싱 방법에 대해 학습하고 각 방법의 장단점을 비교했습니다. 실험에서 다룬 바이어싱 방법은 Simple Biasing, Resistive Divider Biasing, Resistive Divider Biasing with Emitter Degeneration, Self-biasing 등입니다. 각 방법의 특성을 실험 결과를 통해 확인했으며, 저항 값 변화에 따른 민감도, 안정성, 효율성 등을 분석했습니다. 실험 결과를 통해 BJT 증폭기 설계 시 적절한 바이어싱 ...2025.05.10
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[A+인증] 회로실험 레포트 모음2025.01.231. 트랜지스터 특성 곡선 측정 이번 실험에서는 NPN형 트랜지스터에서 베이스의 전류에 따라 컬렉터의 전류가 달라짐을 관찰했습니다. 또한, 베이스에 걸리는 전류에 따른 컬렉터와 에미터 사이에 걸린 전류를 나타내는 특성 곡선을 도출했습니다. 실험 결과를 통해 트랜지스터의 증폭 작용은 베이스 전류에 의해 결정된다는 것을 알 수 있었습니다. 다만 일부 오차가 발생한 원인으로는 가변 저항 조정의 어려움, 도선 저항, 발열 현상 등을 들 수 있습니다. 1. 트랜지스터 특성 곡선 측정 트랜지스터 특성 곡선 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한...2025.01.23
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기초전자실험_9장_BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스_결과레포트2025.04.301. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로는 하나의 전원을 사용하여 바이어스 전압을 얻고 전류를 공급하는 회로입니다. 동작점의 전류와 전압 값들이 전원 전압과 부하 저항에 직접적인 영향을 받아 안정도가 좋지 않습니다. 안정성을 높이기 위해 부하 저항 값을 줄이게 되는데, 이 경우 전압 이득이 감소하게 되어 주로 스위치 회로에 사용됩니다. 2. 전압분배기 바이어스 회로 전압분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 전원 전압을 분배하는 바이어스 회로입니다. 비교적 구조가 복잡하지만 전압 이득 때문에 증폭기에 가장 폭넓게 사용되는 회로...2025.04.30
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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전자회로실험2 복합구조 - BJT와 JFET 다중증폭단2025.11.171. BJT와 JFET의 기본동작원리 BJT는 전류로 전류를 제어하는 쌍극성 소자로 자유전자와 정공이 모두 전도에 참여하며, NPN과 PNP 구조가 있다. JFET는 전압(전계)으로 전류를 제어하는 단극성 소자로 N채널과 P채널이 있다. BJT는 Base/Emitter/Collector 단자를 가지고 JFET는 Gate/Source/Drain 단자를 가진다. 두 소자 모두 빠른 스피드, 큰 전류용량, 높은 입력임피던스, 낮은 온도민감도의 장점을 가진다. 2. 교류결합 다중증폭단 시스템 높은 주파수 신호 증폭에 사용되며, 증폭단 간에...2025.11.17
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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