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트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
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공통 에미터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 증폭기는 베이스로 공급된 입력신호에 따라 베이스와 에미터 사이의 전류가 증가하고, 콜렉터와 에미터의 전압이 증가하면서 콜렉터 전류가 증가되어 전압이득이 발생한다. 실험에서 Av가 275배 증가하여 입력 신호와 출력 신호의 크기가 100배 이상 증폭되는 것을 확인했다. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 낮은 출력 임피던스를 가져 증폭된 출력 신호가 다른 회로로 전달될 때 손실이 적고 전력 손실이 적다는 장점이 있다. 2. 전압 분배기 바이어스 공통 에미터 회로의 직류값 측정에서 2N390...2025.11.16
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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JFET 특성 및 바이어스 회로 실험2025.11.161. JFET 포화전류 및 핀치오프 전압 JFET의 기본 특성을 측정하는 실험으로, 포화전류(IDSS)는 9mA, 핀치오프 전압(VP)은 -4V로 측정되었다. VGS가 -3.5V 이상일 때 핀치오프 상태가 발생하며, 이 상태에서는 드레인 전류(ID)가 0에 가까워진다. 핀치오프는 게이트-소스 간 역방향 바이어스가 증가하면서 채널이 차단되는 현상이다. 2. JFET 전달특성 및 출력특성 VGS 값의 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 전달특성과 VDS 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 출력특성을 분석했다. VGS=0V일 때 ID는 최대...2025.11.16
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 2. BJT의 기본 특성 실험 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 확인한다. 3. BJT의 동작...2025.01.15
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A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험8_결과보고서_BJT전압-전류특성,(degenerated)common emitter2025.05.101. BJT 전류-전압 특성 실험을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 분석하였다. 이론적 계산과 모의실험 결과를 실험 결과와 비교하여 BJT의 동작 특성을 확인하였다. 베이스 전류가 증가함에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 증가하는 것을 확인하였고, 이론적 계산 값과 실험 결과가 유사함을 확인하였다. 2. Common Emitter 증폭회로 Common Emitter 증폭회로의 동작을 이론적으로 계산하고 모의실험을 통해 검증하였다. 베이스 저항 값에 따라 최대 전압 이득을 얻을 수 있는 콜렉터 저항 값을 찾았으며, 실험 결과와 비교하여...2025.05.10
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 예비레포트2025.05.101. B급 전력 증폭기 B급 상보 대칭형 전력 증폭기를 구성하여 그 동작을 이해하는 것이 실험의 목적입니다. B급 증폭기는 트랜지스터의 베이스-에미터 부분이 입력신호의 반주기 동안 순방향 바이어스되고 나머지 반주기 동안 역방향 바이어스되는 특징이 있습니다. 이로 인해 전류가 반주기 동안만 흐르게 됩니다. B급 전력 증폭기는 변압기 없이 동일한 특성의 PNP 및 NPN 트랜지스터 각 1개를 사용하여 구성할 수 있습니다. 이때 두 트랜지스터의 기능이 서로 보완되어 상보 대칭형 증폭기가 됩니다. 하지만 실제 회로에서는 트랜지스터 베이스-...2025.05.10
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각 모드에 따른 BJT 에너지 밴드2025.05.081. NPN BJT의 에너지 밴드 다이어그램 NPN BJT에 대한 각 모드(Active Mode, Inverted Mode, Saturation Mode, Cutoff Mode)에서의 에너지밴드 다이어그램을 설명하였습니다. Equilibrium 상태의 에너지 밴드를 먼저 살펴보고, 각 모드에 따른 에너지 밴드 다이어그램을 제시하였습니다. Active Mode에서는 Emitter-Base에 Forward Bias, Base-Collector에 Reverse Bias가 인가되어 전자가 Emitter에서 Collector로 이동하는 과정...2025.05.08
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달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로 실험2025.11.171. 달링턴 회로 2개 이상의 트랜지스터를 직결하여 사용하는 복합 회로로, pnp 또는 npn형 트랜지스터 2개를 조합시켜 1개의 등가 트랜지스터로 만드는 접속 방법이다. 전류 증폭률은 2개 트랜지스터의 곱으로 되어 매우 커진다. 직결형 컬렉터 접지 회로로도 불리며, 특성이 개선되어 고감도의 직류 증폭기, 고입력 저항 증폭기, 전력 증폭기 등에 사용된다. 2. 캐스코드 회로 초단에 이미터 접지 증폭 회로, 다음 단에 베이스 접지 증폭 회로를 종속으로 접속한 증폭 회로이다. 출력 임피던스가 커질 뿐만 아니라 높은 이득을 갖는 증폭기로...2025.11.17
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