핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성

문서 내 토픽

1. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성

NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다.
2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성

PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다.

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1. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성

NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성은 BJT의 기본적인 동작 원리를 잘 보여주는 중요한 특성입니다. 이 특성은 BJT가 증폭기, 스위치 등 다양한 전자 회로에서 활용될 수 있는 이유를 설명해줍니다. NPN형 BJT의 경우, 베이스-이미터 접합이 순방향 바이어스되면 베이스에서 이미터로 많은 전자가 주입되고, 이 전자들이 콜렉터로 흘러가면서 콜렉터 전류가 증가하게 됩니다. 이 때 콜렉터-이미터 전압이 증가하더라도 콜렉터 전류는 거의 일정하게 유지되는데, 이를 BJT의 포화 영역이라고 합니다. 이러한 특성은 BJT를 스위치로 활용할 수 있게 해줍니다. 또한 BJT의 선형 영역에서는 베이스 전류의 변화에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 변화하므로, 증폭기로 활용할 수 있습니다. 이처럼 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성은 BJT의 다양한 응용 분야를 이해하는데 매우 중요합니다.
2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성

PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성은 NPN형 BJT와 유사하지만, 전하 운반자의 극성이 반대라는 점에서 차이가 있습니다. PNP형 BJT의 경우, 베이스-이미터 접합이 순방향 바이어스되면 이미터에서 베이스로 많은 정공이 주입되고, 이 정공들이 콜렉터로 흘러가면서 콜렉터 전류가 증가하게 됩니다. 이 때 콜렉터-이미터 전압이 증가하더라도 콜렉터 전류는 거의 일정하게 유지되는 포화 영역이 존재합니다. 또한 선형 영역에서는 베이스 전류의 변화에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 변화하므로, PNP형 BJT도 증폭기로 활용할 수 있습니다. 이처럼 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성은 NPN형과 유사하지만, 전하 운반자의 극성이 반대라는 점에서 회로 설계 시 고려해야 할 사항이 달라질 수 있습니다.

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