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직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험2025.11.171. 다이오드 특성 및 문턱전압 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 이해하기 위해 DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. Si 다이오드의 순방향 전압은 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V이며, 역방향 바이어스 시 개방회로를 나타낸다. 두 방향에서 모두 1V 이하의 낮은 값이 나오면 접합부가 단락된 상태이고, 모두 OL이 표시되면 개방된 상태이다. 2. 직렬 다이오드 구조 회로 분석 직렬 다이오드 구조에서는 다이오드의 문턱전압과 저항값을 이용하여 이론적인 출력전압(Vo)과 다이오드...2025.11.17
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 고주파 증폭에서 자주 사용되는 구조로, 출력 저항을 증가시키고 고주파 특성을 개선하는 데 효과적이다. 이 회로는 두 개의 MOSFET을 사용하여, 첫 번째 트랜지스터가 신호를 증폭하고, 두 번째 트랜지스터가 출력을 처리하는 방식으로 동작한다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있으며, 캐스코드 구조 덕분에 매우 크게 나타날 수 있다. 캐스코드 증폭기는 주로 고주파 증폭기와 대역폭이 중요한 회로에서 자주 사용되며, 신호 왜곡이 적고 안정적인 성능을...2025.01.29
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응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
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MOSFET 실험 2-Single Stage Amplifier 1_예비레포트2025.01.121. MOSFET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. MOSFET은 N형 반도체나 P형 반도체 재료의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 NMOSFET이나 PMOSFET, 두 가지를 모두 가진 소자를 CMOSFET(Complementary MOSFET)으로 분류합니다. MOSFET은 축전기에 의한 전하 농도의 변화에 기초를 두고 있으며, 두 개의 단자(소스와 드레인)는 각각 ...2025.01.12
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MOSFET Current Mirror 설계 및 실습2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. 트랜지스터의 Transconductance Parameter를 Data sheet에서 구하고, Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 분석한다. 출력저항은 Channel Length Modulation 효과를 고려하여 계산하며, 10mA의 전류원 설계를 목표로 한다. OrCAD와 PSPICE를 이용한 시뮬레이션으로 설계값을 검증한다. 2. Cascode C...2025.11.13
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 입력-출력에 원하는 DC 전압 및 전압 이득이 나오게 하기 위해 DC 전류와 전류를 결정하여 회로를 구성했습니다. 입력 신호의 주파수를 변화시키면서 전압 이득의 변화를 측정하여 보드 선도를 그렸고, 이를 통해 3dB 대역폭을 구했습니다. 또한 이득 대역폭 곱을 계산하고, 이를 증가시키기 위한 방안으로 회로를 closed loop로 만드는 것을 제안했습니다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가 모델 그림 [18-5]의 실험회로를 소신호 등가 모델을 사용하여 등가회로로 표...2025.01.02
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.011. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였습니다. 구동신호(VIN)는 1 Hz, 5 Vdc의 square pulse (duty=50%)입니다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 회로를 설계하였으며, 이때 beta_force=10, VCE(sat)=0.2[mV], VBE(sat)=0.8[mV]로 설정하였습니다. LED에 흐르는 전류 IF=20[mA]=IE이며, IB=1.818[mA], IC=18.18[mA]로 계산되었...2025.05.01
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 20 차동 증폭기 기초 실험)2025.01.291. 정전류원 회로 정전류원 회로는 일정한 전류를 제공하는 회로로, 주로 전류 제어 및 안정적인 전류 공급이 요구되는 응용에서 사용된다. 첨부된 그림의 정전류원 회로는 MOSFET 소자 M_4와 M_3를 사용한 구조로 구성되어 있다. 이 회로는 MOSFET의 전류 제어 특성과 전류 거울 원리를 사용하여 기준 전류를 설정하고, 이를 기반으로 일정한 부하 전류를 제공하는 정전류원이다. 2. 차동 증폭기 회로 차동 증폭기는 두 입력 신호의 차이를 증폭하는 회로로, 높은 입력 저항과 낮은 출력 저항을 가지며 잡음 제거와 신호 증폭에서 중요...2025.01.29
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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