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[기초전자회로실험]직렬 및 병렬 다이오드 회로2025.04.281. 직렬 다이오드 회로 직렬 다이오드 회로에서는 각각 다이오드의 오프셋 전압 만큼의 전압 강하만 이루어진다. Si 다이오드 2개가 직렬회로에 있다면 1.4V의 전압강하만 이루어진다. 이때 연결된 저항값이 너무 작으면 다이오드가 Short 되어 버린다. 2. 병렬 다이오드 회로 병렬에서는 Si 다이오드가 2개가 병렬 연결 되었다면 그 절반의 전압 강하만 이루어진다. 만약 다이오드의 방향이 서로 반대로 되어있을 경우 순방향 바이어스 전압을 받는 다이오드에 대해서는 오프셋 전압만큼의 전압 강하가 이루어지며, 역방향 바이어스 전압을 받는...2025.04.28
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실험 15_다단 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 다단 증폭기 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하고자 한다. 2. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 연결하여 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하였다. 이를 통해 작은 부하 저항을 구동하면서 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 3. 입력-출력 임피던스 다단 증폭기의 전압 이득은 증폭기 자체의 전압 이득뿐만 아니라 입력-출력 ...2025.04.27
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 8장 연습문제 풀이2025.01.021. 공통소스 JFET 증폭기의 전압이득 공통소스 JFET 증폭기의 전압이득을 계산하기 위해 먼저 트랜스컨덕턴스 gm을 계산하고, 이를 이용하여 출력전압을 구한다. 출력전압은 입력전압에 비해 위상이 반전된다. 2. 공통 드레인 JFET 증폭기의 전압이득 공통 드레인 JFET 증폭기의 전압이득을 구하기 위해 교류소스저항 rs를 계산하고, 이를 이용하여 출력전압을 구한다. 출력전압은 입력전압과 동상이다. 3. 공통소스 MOSFET 교류증폭기의 전압이득 공통소스 MOSFET 교류증폭기의 전압이득을 구하기 위해 먼저 트랜스컨덕턴스 gm을 ...2025.01.02
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전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
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실험 14_캐스코드 증폭기 결과보고서2025.04.281. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가 회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서...2025.04.28
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실험 13_공통 게이트 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. MOSFET 증폭기 회로 이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 동작 원리, 전압 이득, 입력-출력 임피던스 등을 확인하였다. 3. 입력-출력 전달 특성 실험회로 1의 입력-출력 전달 특성을 확인하...2025.04.28
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 분석하여 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지를 알아야 한다. 또한 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의 곱은 일정한 관계가 성립하는데, 실험을 통해 이러한 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭...2025.01.13
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사이리스터 예비보고서2025.01.101. 사이리스터 동작 사이리스터는 p-n-p-n 4층 구조의 반도체 소자로, 특수한 반도체 정류 소자입니다. 게이트에서 일정한 전류를 흘리면 아노드와 캐소드 사이가 통전(턴 온)하여 그대로 통전 상태를 유지합니다. 통전 상태를 정지(턴 오프)시키려면 아노드와 캐소드 사이의 전류를 일정 값 이하로 낮출 필요가 있습니다. 이러한 특징을 이용하여 한번 통전 상태로 전환하면 통과 전류가 영(0)이 될 때까지 그 통전 상태를 유지할 필요가 있는 용도에 사용되고 있습니다. 2. 사이리스터의 장점 및 활용 사이리스터의 장점은 고전압 대전류의 제...2025.01.10
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서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 실험 1에서는 nMOS 정전류원 회로를 구성하고 RREF 값에 따른 IREF 전류를 측정하였다. 실험 결과 RREF가 200Ω일 때 IREF가 20mA에 가장 가까운 값을 가짐을 확인하였다. 또한 VX 변화에 따른 ISS 전류를 측정하여 VX가 0.7V 이상일 때 ISS가 거의 일정한 값을 유지함을 확인하였다. 이를 통해 channel length modulation 효과로 인해 실제 전류원 회로에서는 이상적인 정전류원 특성이 나타나지 않음을 알 수 있었다. 실험 2에서는 차동증폭기의...2025.01.21
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