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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
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소신호 전압 증폭 회로 실험 보고서2025.01.041. 소신호 신호 소신호(미약신호)는 센서신호, 수신된 통신신호, 생체신호, 물리/화학현상 신호와 같이 크기가 거의 잡음 수준인 신호를 말한다. 이러한 소신호를 증폭하기 위해서는 입력 및 출력 임피던스 개념을 고려해야 한다. 2. 공통 이미터(Common Emitter) 증폭기 공통 이미터 증폭기는 입력신호가 베이스 단자에 인가되고 컬렉터에서 출력신호가 나오도록 구성된 회로이다. 이 회로는 이미터 단자가 접지되어 입력과 출력에 공통단자 역할을 하므로 공통 이미터 증폭기라고 부른다. 이 증폭기는 저주파 전압 증폭, RF 트랜시버, 저...2025.01.04
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BJT 기본 특성 실험 결과 보고서2025.01.291. NPN형 BJT의 전류-전압 특성 NPN형 BJT는 베이스-에미터 전압 VBE가 약 0.7V 이상일 때 동작을 시작한다. 이때 베이스 전류 IB가 흐르며, 이 작은 전류로 큰 콜렉터 전류 IC를 제어할 수 있다. 콜렉터 전류는 베이스 전류의 증폭된 값으로, IC = βIB의 관계를 따른다. 출력 전압 VO는 공급 전압 VCC에서 콜렉터 저항 RC에 의해 결정되며, VO = VCC - ICRC로 계산된다. 콜렉터 전류가 커지면 출력 전압이 줄어들어 트랜지스터는 출력 전압을 제어할 수 있다. 2. PNP형 BJT의 전류-전압 특성...2025.01.29
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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실험 08_공통 베이스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있으며, 크기는 공통 이미터 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스는 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있...2025.04.27
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