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BJT 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 실험2025.11.171. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 한 개 또는 두 개의 전원을 이용하여 구성되며, 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. βRE≫RB 조건에서 이미터 전류는 BJT의 β 영향을 받지 않으므로, 트랜지스터 교환 시 IC와 VCE의 변화가 거의 없다. 실험에서 2N3904 트랜지스터를 사용하여 β값 162.3105를 결정하고, 측정된 VB=5.7902V, VRC=5.0742V로부터 IB=14.2098uA, IC=2.3065mA를 계산했다. 2. 컬렉터 피드백 회로 컬렉터 피드백 회로는 베이스 저항이 BJT의 컬렉터...2025.11.17
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공통 베이스 및 이미터 팔로워 트랜지스터 증폭기2025.11.171. 공통 베이스(CB) 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가진다. 이 회로는 큰 전압 이득을 제공하며, 교류 입력 임피던스는 베이스 단자가 접지될 때 계산되고, 교류 출력 임피던스도 특정 식으로 결정된다. 실험에서는 직류 바이어스, 교류 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스를 측정하고 이론값과 비교하여 회로의 특성을 분석한다. 2. 이미터 팔로워(EF) 또는 공통 컬렉터(CC) 증폭기 이미터 팔로워 회로는 주로 임피던스 정합에 사용되며 전...2025.11.17
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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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공통 베이스 및 콜렉터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. Emitter Follower(EF) 증폭기 Emitter Follower는 공통 콜렉터 증폭기로, 직류 바이어스 설정을 통해 베이스-에미터 및 콜렉터-에미터 PN 접합에 적용된다. 낮은 임피던스 입력 신호를 높은 임피던스 신호로 변환하고, 높은 임피던스 출력 신호를 낮은 임피던스 신호로 변환하여 임피던스 매칭을 향상시킨다. 전압이득은 약 1배이며, 위상변화가 없는 특징이 있다. 콜렉터 전류가 일정하게 유지되어 안정성과 신뢰성이 높고, 온도 변화나 외부 잡음에 민감하지 않다. 2. 트랜지스터 직류 바이어스 특성 실험에서 Emi...2025.11.16
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
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소신호 전압 증폭 회로 실험 보고서2025.01.041. 소신호 신호 소신호(미약신호)는 센서신호, 수신된 통신신호, 생체신호, 물리/화학현상 신호와 같이 크기가 거의 잡음 수준인 신호를 말한다. 이러한 소신호를 증폭하기 위해서는 입력 및 출력 임피던스 개념을 고려해야 한다. 2. 공통 이미터(Common Emitter) 증폭기 공통 이미터 증폭기는 입력신호가 베이스 단자에 인가되고 컬렉터에서 출력신호가 나오도록 구성된 회로이다. 이 회로는 이미터 단자가 접지되어 입력과 출력에 공통단자 역할을 하므로 공통 이미터 증폭기라고 부른다. 이 증폭기는 저주파 전압 증폭, RF 트랜시버, 저...2025.01.04
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JFET 바이어스 회로 실험2025.11.171. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정되며, Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만난다. 실험에서 IDSS=9.4854mA, Vp=-2.9520V를 측정하였고, VGS=-1V일 때 IDQ(계산값)=4.147mA, IDQ(측정값)=4.4893mA로 나타났다. 2. 자기 바이어스 회로 자기 바이어스 회로에서는 Vgs의 크기가 드레인 전류 Id와 소스저항 Rs의 곱으로 정의되며, 회로의 바이어스 선은 원점에서 시작해 전달 특성곡선과 직류...2025.11.17
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