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BJT 바이어스 회로 실험 분석2025.11.161. BJT 고정 바이어스 회로 BJT의 고정 바이어스 회로는 베이스 저항을 통해 일정한 베이스 전류를 공급하는 방식입니다. 실험에서 2N3904와 2N4401 트랜지스터를 사용하여 동작점 변화를 측정했으며, VBE는 0.65V, IC는 약 4.2mA로 나타났습니다. 이론값과 측정값의 오차는 가변저항 측정 부정확성과 DMM 내부저항의 영향으로 발생했습니다. 2. BJT 전압 분배기 바이어스 회로 전압 분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 베이스 전압을 분배하여 안정적인 바이어스를 제공합니다. 실험 결과 2N3904에서 VB 0....2025.11.16
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기초전자실험 결과레포트 - 공통 베이스 및 이미터 폴로어 (공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 이 증폭기는 입력과 출력의 위상이 같다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같아 위상 반전...2025.04.30
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전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같으므로 위상 반전이 일어나지 않는다. 3. 공통 베이스...2025.04.30
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전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit2025.01.131. BJT 자기 바이어스 회로 BJT의 자기 바이어스 회로의 특성을 알아보고 이해하는 실험입니다. NPN형 BJT 자기 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측정하고 그래프를 그려 이해하였습니다. 실험에서 이미터 저항을 변화시키며 전류와 전압을 측정하고 전류이득 β를 계산하였습니다. 키르히호프 법칙을 이용하여 동작점 전류와 전압을 계산하고 실험값과 비교하였습니다. 그래프를 통해 동작점이 활성영역에 있음을 확인하였습니다. 2. BJT 전압분배 바이어스 회로 NPN형과 PNP형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측...2025.01.13
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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BJT 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 실험2025.11.181. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 이미터 쪽에 저항을 추가한 구조로, 베이스 입장에서 negative feedback을 발생시켜 동작점을 안정화시킨다. 베타 값 증가로 인한 컬렉터 전류 증가 시 이미터 전압이 상승하여 베이스 전류를 감소시키고, 이를 통해 컬렉터 전류 변화를 억제한다. 회로방정식 분석 결과 RE >> RB/β 조건에서 IC가 베타 값에 거의 영향을 받지 않으며, 이는 동작점 안정성을 크게 향상시킨다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 회로는 베이스 저항이 VCC에 직접...2025.11.18
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BJT 바이어스 회로 실험 결과보고서2025.11.181. 고정 바이어스(Fixed Bias) 회로 고정 바이어스 회로는 베이스 저항을 통해 일정한 베이스 전류를 공급하는 방식입니다. 2SC3198Y와 2SC3198GR 트랜지스터를 사용하여 실험한 결과, 베타 값이 증가할수록 컬렉터 전류가 증가하는 직선적 관계를 보였습니다. 이는 베이스 전류가 고정되어 있기 때문에 베타의 변화가 컬렉터 전류에 직접적으로 영향을 미치기 때문입니다. 온도 변화에 민감하며 베타 값의 변동이 심해 온도 안정성이 낮습니다. 2. 전압분배 바이어스(Voltage Divider Bias) 회로 전압분배 바이어스는...2025.11.18
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BJT 고정 및 전압분배기 바이어스 실험2025.11.181. BJT의 동작점(Q-point)과 동작 영역 BJT는 cutoff, saturation, active 세 영역에서 동작합니다. Cutoff 영역에서는 거의 개방회로로 작동하며, saturation 영역은 비선형적으로 증가하는 영역입니다. Active 영역은 선형적 영역으로 증폭기로 사용됩니다. 동작점(Q-point)은 트랜지스터의 물리적 특성인 I-V 곡선과 외부 회로의 load line의 교점으로 결정되며, 트랜지스터의 물리적 특성과 외부 연결 회로에 의해 결정됩니다. 2. 고정 바이어스 회로의 특성과 열 폭주 고정 바이어스...2025.11.18
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스2025.04.301. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...2025.04.30
