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전기전자공학실험-JFET 바이어스 회로2025.04.301. JFET 고정 바이어스 회로 JFET 고정 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. JFET의 드레인 특성곡선과 부하선의 교점이 동작점을 결정하며, 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있습니다. 또한 출력단의 전압 VDS를 구할 수 있습니다. 2. JFET 자기 바이어스 회로 JFET 자기 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. 이 회로에서는 VGS가 출력 전류 ID의 함수이며, 고정되지 않습니다. 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있으며, 출력단의 전압 VDS, VS,...2025.04.30
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A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
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기초회로실험 옴의법칙 실험 예비보고서2025.11.121. 옴의 법칙(Ohm's Law) 1827년 독일의 물리학자 옴이 발견한 법칙으로, 폐회로에서 전압, 전류, 저항의 관계를 나타낸다. 저항에 걸리는 전류(I)는 공급 전압(V)에 비례하고 저항값(R)에는 반비례한다. 기본 식은 V=IR이며, 선형 전기회로에서 기본적으로 적용되는 법칙이다. 옴의 법칙은 3가지 형태로 변형될 수 있으며, R=V/I, I=V/R 등으로 표현된다. 비오옴성(Non-ohmic) 물질은 이 법칙을 만족하지 않는다. 2. 분압기와 분류기(Voltage divider and Current divider) 실험의...2025.11.12
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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전류계 분류기 및 전압계 배율기 & 옴의 법칙 결과보고서2025.01.121. 전류계 분류기 및 전압계 배율기 이번 실험에서는 전류를 측정하는 방법과 전압을 측정하는 방법을 배웠습니다. 전류를 측정할 때는 멀티미터를 회로와 직렬로 연결해야 하고, 전압을 측정할 때는 멀티미터를 저항과 병렬로 연결해야 합니다. 실험을 통해 이를 이해하게 되었고, 오차율도 5% 미만으로 만족스러운 결과를 얻었습니다. 2. 옴의 법칙 옴의 법칙을 실험을 통해 확인하였습니다. 고정저항과 가변저항을 사용하여 전압, 전류, 저항의 관계를 측정하였고, 실험값과 이론값이 잘 일치하는 것을 확인하였습니다. 전압이 증가하면 전류도 증가하고...2025.01.12
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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실험 11_공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 특성 실험을 통해 MOSFET의 각 단자들의...2025.04.28
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험8_결과보고서_BJT전압-전류특성,(degenerated)common emitter2025.05.101. BJT 전류-전압 특성 실험을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 분석하였다. 이론적 계산과 모의실험 결과를 실험 결과와 비교하여 BJT의 동작 특성을 확인하였다. 베이스 전류가 증가함에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 증가하는 것을 확인하였고, 이론적 계산 값과 실험 결과가 유사함을 확인하였다. 2. Common Emitter 증폭회로 Common Emitter 증폭회로의 동작을 이론적으로 계산하고 모의실험을 통해 검증하였다. 베이스 저항 값에 따라 최대 전압 이득을 얻을 수 있는 콜렉터 저항 값을 찾았으며, 실험 결과와 비교하여...2025.05.10
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테브냉 정리 기초실험 결과보고서2025.11.121. 테브냉 정리(Thevenin's Theorem) 테브냉 정리는 전기회로 이론의 핵심 정리로, 복잡한 선형 회로를 간단한 등가회로로 변환하는 방법입니다. 임의의 선형 회로는 테브냉 등가전압원과 테브냉 등가저항으로 구성된 간단한 회로로 표현될 수 있으며, 이를 통해 회로 분석을 단순화하고 부하 저항에 따른 전류와 전압 변화를 쉽게 계산할 수 있습니다. 2. 등가회로 변환 복잡한 전기회로를 테브냉 등가회로로 변환하는 과정은 개방회로 전압(Vth)과 테브냉 등가저항(Rth)을 구하는 것입니다. 개방회로 전압은 부하가 없을 때 측정되며...2025.11.12
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A+ / 회로망 정리 실험보고서2025.05.131. 중첩의 원리 중첩정리(Superposition Theorem)는 옴의 법칙을 전원이 여러 개인 회로에도 적용한다. 회로망에 중첩정리를 적용하기 위해서는, 특정한 조건들이 만족되어야 한다. 1. 모든 부품들은 선형(linear)이어야 하는데 이는 전류가 인가 전압에 비례한다는 것을 의미한다. 2. 모든 부품들은 양 방향성이어야 한다. 이는 전압원의 극성이 반대가 되어도 전류의 값이 동일하다는 것을 의미한다. 3. 수동소자(Passive component)들이 사용될 수 있다. 수동소자는 증폭이나 정류를 하지 못하는 저항, 커패시...2025.05.13
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