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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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전기회로실험 인덕턴스의 측정 및 직병렬 연결2025.11.121. 인덕턴스와 유도성 리액턴스 인덕턴스 L은 전류의 변화에 역작용하는 코일의 특성으로 단위는 헨리(H)이다. 유도성 리액턴스는 역기전력을 유발시키는 인덕턴스의 능력으로 기호는 XL이며 단위는 옴(Ω)이다. 유도성 리액턴스는 주파수와 인덕턴스에 따라 선형적으로 비례하며 XL = 2πfL 식으로 계산된다. 모든 인덕터는 저항 성분을 가지고 있으며, 직류전류는 인덕터의 인덕턴스에 영향을 미치지 못한다. 2. 주파수가 인덕턴스에 미치는 영향 실험 결과에서 주파수가 증가함에 따라 유도성 리액턴스도 증가함을 확인할 수 있다. 2kHz에서 1...2025.11.12
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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아주대학교 물리학실험2 실험 15 옴의 법칙(A+)2025.01.231. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에서 전압, 전류, 저항 간의 관계를 설명하는 기본적인 법칙이다. 옴의 법칙을 만족하는 물질을 옴성 물질, 옴의 법칙을 만족하지 않는 물질을 비옴성 물질이라고 한다. 옴성 물질은 전압과 전류 사이의 관계가 선형적이며 저항이 일정하게 유지되지만, 비옴성 물질은 전압과 전류 사이의 관계가 선형적이지 않고 저항이 일정하지 않다. 대표적인 비옴성 물질로는 다이오드, 트랜지스터 등이 있다. 2. 탄소저항 실험 1에서는 회로에 탄소저항을 연결하여 표시저항과 실제 저항 측정값을 비교하였다. 33Ω과 100Ω...2025.01.23
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전기공학 기초실험: 온도센서 및 다이오드 응용회로2025.11.121. Thermistor 온도센서 Thermistor는 온도 변화에 따라 저항값이 변하는 반도체 소자로, 온도계측회로에 사용되는 기초 센서이다. 온도에 따른 저항 변화 특성을 측정하고 분석하여 온도 측정의 기본 원리를 이해하는 실험이다. 온도센서의 기초특성을 파악하고 실제 온도계측 회로 설계에 적용하는 방법을 학습한다. 2. 다이오드 응용회로 다이오드를 이용한 클리퍼(Clipper) 및 클램퍼(Clamp) 회로는 신호 처리에 사용되는 기본 응용회로이다. 클리퍼 회로는 신호의 특정 부분을 제거하고, 클램퍼 회로는 신호의 직류 레벨을 ...2025.11.12
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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전기및디지털회로실험 실험5 결과보고서2025.01.121. 키리히호프의 법칙 이번 실험에서는 직류회로에서 키리히호프의 전압법칙과 전류법칙을 확인하였다. KVL을 통해 회로를 따라 어떤 경로를 거쳐 원래의 출발지점으로 돌아왔을 때 그 경로상에 존재하는 회로요소들의 전압을 모두 합하면 0이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 그리고 KCL을 통해 어떤 분기점에 대해서 그 분기점에 접속된 모든 방향에서 흘러 들어오는(혹은 흘러 나가는) 전류의 합은 0임을 확인할 수 있었다. 2. 중첩의 원리 2개 이상의 전원을 포함한 회로에서 어떤 점의 전위 또는 전류는, 각 전원이 단독으로 존재한다고 했을 ...2025.01.12
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회로이론및실험1 2장 옴의 법칙 A+ 예비보고서2025.01.131. 저항 저항은 전류의 흐름 또는 전하의 흐름을 방해하기 위한 물질의 특성이다. 전류가 상호작용하여 그들이 이동하는 동안 물질의 원자 구조에 의해 방해받기 때문에 이것을 모델링하여 회로 소자로 표현한다. 대부분의 물질은 전류에 대해 측정 가능한 저항을 나타낸다. 저항 값이 작은 구리와 같은 금속은 전류가 잘 통하는 물질이다. 2. 도전율 저항과 반대되는 개념인 도전율은 전류가 흐르기 쉬운 정도를 나타낸다. 기호로는 G를 쓰고, 단위로는 S(siemens, 지멘스)를 사용하며 저항의 역수로 정의된다. 3. 옴의 법칙 저항에 대한 전...2025.01.13
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옴의 법칙 결과보고서2025.05.081. 옴의 법칙 실험 1에서는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 표시저항과 계산한 저항값의 오차가 매우 작았고 V-I 그래프에서 일정한 기울기를 보여 옴성 물질임을 확인할 수 있었다. 실험 2와 3에서는 다이오드가 옴의 법칙을 만족하지 않는 비옴성 물질임을 확인하였다. 다이오드의 전압-전류 특성이 직선이 아니며 저항값도 일정하지 않았다. 또한 다이오드에 역방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지 않는 극성 특성을 보였다. 발광 다이오드의 경우 색에 따라 순방향 전압값에 차이가 있었다. 2. 저항 실험 1에서 사용한 33Ω과 1...2025.05.08
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접합 다이오드 근사해석 실험 결과보고서2025.11.181. 접합 다이오드의 특성 측정 1N4148 다이오드를 이용하여 다양한 전류 조건에서 다이오드의 전압값을 측정하고 분석하는 실험이다. 10mA 흐름 시 실험값 0.745V, 시뮬값 0.754V로 약 1% 차이를 보였고, 50mA 흐름 시 실험값 0.824V, 시뮬값 0.870V로 약 5% 차이를 나타냈다. DMM의 다이오드 모드로 측정한 문턱전압은 0.750V이며, 이 값 이상의 전압이 인가되면 다이오드가 도통되어 전류가 흐르는 특성을 확인했다. 2. 다이오드 근사해석 방법의 비교 제1근사해석(Ideal)은 문턱전압을 무시하고 0V...2025.11.18
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