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접합 다이오드 근사해석 실험 결과보고서2025.11.181. 접합 다이오드의 특성 측정 1N4148 다이오드를 이용하여 다양한 전류 조건에서 다이오드의 전압값을 측정하고 분석하는 실험이다. 10mA 흐름 시 실험값 0.745V, 시뮬값 0.754V로 약 1% 차이를 보였고, 50mA 흐름 시 실험값 0.824V, 시뮬값 0.870V로 약 5% 차이를 나타냈다. DMM의 다이오드 모드로 측정한 문턱전압은 0.750V이며, 이 값 이상의 전압이 인가되면 다이오드가 도통되어 전류가 흐르는 특성을 확인했다. 2. 다이오드 근사해석 방법의 비교 제1근사해석(Ideal)은 문턱전압을 무시하고 0V...2025.11.18
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_15 회로해석(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 망로전류법 회로 내의 각 망로전류를 KVL을 이용하여 구하는 방법. 각 저항에 걸리는 전압을 단자 전류가 아닌 망로전류로 표시해야 한다. 2. 마디 전압법 회로 내의 각 마디 전압을 KCL을 이용하여 구하는 방법. 각 저항에 흐르는 전류를 단자전압이 아니라 마디 전압으로 표시해야 한다. 3. 브리지 회로 실험에서 사용된 브리지 회로에 대해 망 전류법과 마디 전압법을 적용하여 루프 방정식과 절점 방정식을 세우고 해를 구하는 과정을 설명하고 있다. 4. LTspice 시뮬레이션 실험 회로를 LTspice로 시뮬레이션하여 망 전류법...2025.05.13
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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다이오드 응용회로: 클리퍼 및 클램퍼 회로 특성2025.11.121. 클리퍼 회로(Clipper Circuit) 클리퍼 회로는 다이오드를 이용하여 입력 신호의 특정 부분을 제거하는 회로입니다. 입력 신호가 일정 전압을 초과하면 다이오드가 동작하여 그 부분을 잘라내는 방식으로 작동합니다. 양의 클리퍼와 음의 클리퍼로 구분되며, 신호 처리 및 보호 회로에 널리 사용됩니다. 2. 클램퍼 회로(Clamper Circuit) 클램퍼 회로는 다이오드와 커패시터를 이용하여 입력 신호의 DC 레벨을 변경하는 회로입니다. 신호의 형태는 유지하면서 전체 신호를 위아래로 이동시키는 특성을 가집니다. 양의 클램퍼와 ...2025.11.12
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전기회로1 7장 레포트 요약정리2025.11.151. RC 회로 분석 RC 회로의 과도 응답 및 정상 상태 응답을 분석하는 내용으로, 저항과 커패시터로 구성된 회로에서 시간에 따른 전압과 전류의 변화를 다룬다. 회로 방정식을 세우고 미분방정식을 풀어 시간 함수로 표현된 응답을 구하는 과정이 포함된다. 2. RL 회로 분석 RL 회로의 특성을 분석하는 부분으로, 저항과 인덕터로 이루어진 회로에서 전류와 전압의 시간 응답을 계산한다. 인덕터의 자기 에너지 저장 특성과 회로의 시상수를 이용하여 과도 현상을 분석하는 내용을 포함한다. 3. 1차 회로의 과도 응답 1차 선형 회로의 과도 ...2025.11.15
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 및 기준전압 실험2025.11.161. PN 접합 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스 순방향 바이어스는 P형 반도체에 양의 전위, N형 반도체에 음의 전위를 인가하는 방식으로, 다이오드가 전도 상태가 되어 전류가 흐른다. 역방향 바이어스는 P형에 음의 전위, N형에 양의 전위를 인가하여 다이오드가 차단 상태가 된다. Si 다이오드의 순방향 임계전압은 약 0.63V, Ge 다이오드는 약 0.2~0.3V로 측정되었다. 2. 다이오드 특성곡선 및 비선형 특성 다이오드는 전압과 전류 사이에 옴의 법칙이 성립하지 않는 비선형 소자이다. Si 다이오드는 0.7V 구간에서 전...2025.11.16
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