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옴의 법칙 보고서2025.01.231. 옴의 법칙 이번 실험에서는 옴의 법칙을 실험적으로 확인하였다. 33Ω과 100Ω의 저항을 사용하여 전압과 전류를 측정하고, 옴의 법칙을 이용하여 저항값을 계산한 결과, 실제 저항값과 매우 근접한 값이 측정되었다. 이를 통해 저항이 전압에 관계없이 일정한 저항값을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 다이오드의 경우 전압-전류 특성이 옴의 법칙을 만족하지 않는 비선형 특성을 보였다. 다이오드에 음의 전압이 가해지면 전류가 흐르지 않는 정류 작용을 관찰할 수 있었다. 또한 발광 다이오드의 경우 문턱 전압 이상에서 전류가 흐르며 ...2025.01.23
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 4. Thevenin 등가회로 설계2025.05.151. 테브난 등가이론 테브난 등가이론은 복잡한 회로를 한 개의 전압원과 저항으로 나타내어 바깥에 어떤 새로운 저항을 가져와도 쉽게 흐르는 전류와 걸리는 전압을 바로 측정할 수 있도록 한다. 따라서 테브난 등가회로가 실험적으로 맞는지에 대한 이해를 위하여 이번 실험은 중요하다. 2. 원본 회로 측정 그림 1과 같이 회로를 구성하고 RL에 걸리는 전압을 측정하였다. 이를 통해 RL을 통해 흐르는 전류를 계산하였다. 전압, 전류를 기록하였고, 3.1에서 계산한 값과의 오차를 확인하였다. 오차의 이유는 브레드보드의 자체저항, DMM의 저항...2025.05.15
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화 영역에서...2025.01.13
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LPF와 HPF 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. LPF 설계 C=10 ㎋인 커패시터와 R을 직렬 연결하여 cutoff frequency가 15.92 ㎑인 LPF를 설계하였습니다. 출력단자를 표시한 회로도를 그리고 R의 크기를 구하였습니다. 또한 LPF의 전달함수(H)의 크기와 위상을 0 ~100 ㎑까지 linear(H)-log(주파수) 그래프로 그렸습니다. 입력은 DC 성분이 0V인 순수한 AC입니다. 2. LPF 실험 LPF에 주파수가 10 ㎑이고 크기가 1 V인 정현파를 인가하였습니다. (a) 입력파형과 출력파형을 하나의 그래프에 그리고 (b) 출력의 크기와 입력에 대한...2025.04.25
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A+ 정보통신실험 3주차 예비보고서 - 푸스풀 전력 증폭 회로2025.01.061. 전력 증폭기 전력 증폭기는 스피커를 통해 소리로 변환시키기 위한 전기에너지를 증폭하는 회로입니다. 전력 증폭기의 주요 특징은 부하에 요구되는 전력을 공급하고, 진폭이 큰 신호를 증폭하며, 선형성이 중요하다는 것입니다. 전력 증폭기는 소신호 증폭기와 다른 바이어스 방법을 적용합니다. 2. 증폭기 분류 증폭기는 트랜지스터의 동작점(바이어스 전압전류)에 따라 A급, B급, AB급, C급으로 분류됩니다. A급 증폭기는 선형성이 높지만 효율이 낮고, B급 증폭기는 효율이 높지만 왜곡이 심합니다. AB급 증폭기는 A급과 B급의 중간 특성...2025.01.06
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_4 옴의 법칙2025.05.131. 전류 전류는 회로 안의 전하의 흐름을 의미하며, 전류의 측정 단위는 암페어(ampere)입니다. 암페어는 1초 동안 회로의 한 점을 통해 지나간 전하의 양으로 정의됩니다. 전류는 약자로 I로 쓰며 화살표로 흐르는 방향을 나타냅니다. 전류의 방향은 전기장에 의해 양전하가 움직이는 방향으로 정의되므로 실제 전자(음전하)가 움직이는 방향은 전류가 흐르는 방향과 반대가 됩니다. 2. 전류와 전압 사이의 관계 전기부품의 특성은 전류와 전압 사이의 관계를 통해 알아낼 수 있습니다. 그래프를 그리려면 한 변수(variable)의 값을 바꾸...2025.05.13
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기초전자회로및실험1 3주차 결과레포트2025.01.281. 옴의 법칙 실험과정 2에서는 전압이 2V씩 증가할 때마다 전류가 3.3~4mA 증가하고, 실험과정 4에서는 전압이 2V씩 증가할 때마다 전류가 1.6~2mA씩 증가한다. 변화량을 직접 계산하면 실험과정 2는 ΔI=ΔV/R=2/600=3.334mA, 실험과정 4는 ΔI=ΔV/R=2/1200 =1.667mA가 증가하는 것을 보면 약간의 오차는 있지만, 옴의 법칙을 어느정도 만족한다고 볼 수 있다. 2. 직렬 및 병렬 회로 직렬연결 실험에서는 어느 곳에서나 전류의 값이 유사하지만 전압은 다르다는 것, 병렬연결에서는 전류는 다르지만,...2025.01.28
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서52025.01.201. 슈미트 회로의 특성 슈미트 트리거 (=5 V)의 문턱 전압을 2.5 V로 설계하는 방법을 설명합니다. 문턱 전압 계산 공식을 이용하여 저항비를 1:1로 조정하면 원하는 문턱 전압을 얻을 수 있습니다. 실제 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 통해 2.42 V 부근에서 문턱 전압이 나타나는 것을 확인할 수 있습니다. 2. 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 공식을 도출합니다. 실습 이론에 나오는 식(8-3)과 식(8-5)를 연립하여 주파수 공식 f=1/2πRC를 도출할 수 있습니다. 3. 전압제어 발진기...2025.01.20
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BJT 고정 및 전압분배기 바이어스 실험2025.11.181. BJT의 동작점(Q-point)과 동작 영역 BJT는 cutoff, saturation, active 세 영역에서 동작합니다. Cutoff 영역에서는 거의 개방회로로 작동하며, saturation 영역은 비선형적으로 증가하는 영역입니다. Active 영역은 선형적 영역으로 증폭기로 사용됩니다. 동작점(Q-point)은 트랜지스터의 물리적 특성인 I-V 곡선과 외부 회로의 load line의 교점으로 결정되며, 트랜지스터의 물리적 특성과 외부 연결 회로에 의해 결정됩니다. 2. 고정 바이어스 회로의 특성과 열 폭주 고정 바이어스...2025.11.18
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MOSFET CS Amplifier 실험 보고서2025.11.181. MOSFET CS Amplifier 회로 MOSFET을 이용한 Common Source 증폭기는 Saturation mode에서 동작하며, 드레인 전류가 게이트 전압에 의해 제어된다. CS Amplifier의 AC 등가회로에서 출력 전압은 v_o = -g_m v_gs(r_o||R_D)로 표현되며, 전압이득은 A_V = -g_m(r_o||R_D)(R_i/(R_i+R_Si))이다. 주파수가 증가할수록 커패시터의 임피던스가 감소하여 전압이득이 이론값에 가까워진다. 2. MOSFET 바이어스 및 동작 원리 MOSFET은 드레인 전류가...2025.11.18
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