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실험 11_공통 소오스 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화영역에서 ...2025.04.27
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_12 테브낭 정리(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 테브낭 정리 테브낭 정리는 임의의 선형회로를 내부 전압원과 내부 저항으로 구성된 등가회로로 변환할 수 있는 방법을 제공합니다. 이를 통해 회로의 특성을 간단하게 분석할 수 있습니다. 이 실험에서는 테브낭 등가회로를 구하고 부하저항의 효과를 비교하여 테브낭 정리의 유용성을 확인합니다. 2. 등가회로 변환 임의의 선형회로를 테브낭 등가회로로 변환하는 과정은 다음과 같습니다. 첫째, 구하려는 단자에서 부하저항을 제거하고 개방 단자 전압을 측정합니다. 둘째, 전원 등을 내부저항으로 대체하고 개방 단자에서 바라본 저항값을 계산합니다. ...2025.05.13
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부산대 기초전기전자실험 4주차 결과보고서2025.11.131. 비평형 브릿지 회로 비평형 브릿지 회로에서 R5를 제거한 상태에서 V1과 V2 양단의 전압을 측정하여 Vt를 구하는 실험이다. 이론값으로 V1은 8V, V2는 4V이며, Vt는 4V로 계산된다. 실제 측정값은 V1 8.009V, V2 3.982V, Vt 4.027V로 이론값과 매우 유사한 결과를 보여준다. 이는 브릿지 회로의 기본 원리를 확인하는 실험이다. 2. 테브난 정리 테브난 정리는 부하를 제외한 전체 회로를 독립 전압원 하나와 저항 하나가 직렬로 연결된 등가회로로 대체할 수 있는 방법이다. 실험에서 구한 Vth, Rt,...2025.11.13
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전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)2025.05.101. 다이오드 특성 실험을 통해 다이오드의 특성을 확인할 수 있었습니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 다이오드에 전류가 흐르고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 전류가 흐르지 않습니다. 이런 특성과 다이오드의 연결 방향에 따라 출력 전압(Vout)의 파형이 결정됩니다. 또한 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있었고, 이 전압이 다이오드의 온 전압(VD,on)입니다. 2. 다이오드의 소신호 동작 실험을 통해 전압이 아주 작게 변화할 때는 전류가 선형적으로 변하는 것처럼 보인다는 것을 알 수 있었습니다. 이 경우 다이오...2025.05.10
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전기전자개론 실험보고서 - 회로망정리(중첩, 데브닌, 노턴)2025.05.041. 중첩의 정리 중첩의 정리는 전류원이나 전압원에 관계없이 1개 이상의 전원을 가진 회로에서 어떤 요소의 전압 전류는 각각의 전원이 작용할 때의 전압 전류의 대수 합과 같다는 것을 설명합니다. 이를 통해 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있습니다. 2. 데브닌 정리 데브닌 정리는 임의의 선형 2단자 회로망을 데브닌 전압원 VTH와 내부저항 RTH의 직렬 연결된 등가회로로 대체할 수 있다는 것을 설명합니다. VTH와 RTH를 구하는 방법이 제시되어 있습니다. 3. 노턴의 정리 노턴의 정리는 임의의 선형 2단자 회로망을 하나...2025.05.04
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PSpice를 이용한 반전증폭기 회로 모의해석2025.11.141. PSpice 시뮬레이션 PSpice는 전기회로 모의해석을 위한 프로그램으로, 본 실험에서는 OP-AMP를 이용한 반전증폭기 회로를 구성하고 DC sweep과 AC sweep을 통해 회로의 특성을 분석하였습니다. DC sweep에서는 0~25V 범위의 입력전압에 따른 출력파형을 분석하였고, AC sweep에서는 10~1GHz 범위의 주파수 특성을 확인하였습니다. 2. 반전증폭기 회로 OP-AMP를 이용한 반전증폭기는 입력전압의 극성을 반대로 하면서 증폭하는 회로입니다. 본 실험에서 설계된 반전증폭기는 3배의 증폭률을 가지며, 5...2025.11.14
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OP-AMP를 이용한 복합 증폭 실험 결과 보고서2025.01.051. 가산 증폭 회로 가산 증폭 회로는 반전 증폭 회로의 한 종류로, 입력단자를 하나 더 추가한 회로입니다. 이 회로에서 출력전압 Vo는 입력전압 V1, V2, V3의 합에 비례하여 증가합니다. 실험을 통해 가산 증폭 회로의 동작을 확인하고, 이론값과 측정값의 오차율을 계산하였습니다. 2. OP-AMP 특성 및 활용 이번 실험에서는 OP-AMP의 다양한 증폭 기능을 확인하였습니다. 741 모델과 158 모델의 차이점을 비교하였고, 반전 증폭과 비반전 증폭 파형을 측정하였습니다. 실험 결과 OP-AMP의 특성을 잘 이해할 수 있었고,...2025.01.05
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Floyd의 기초회로실험 11장 중첩정리2025.01.191. 중첩정리 이 실험의 목적은 중첩 정리를 이용하여 두 개 이상의 전압원을 가진 선형회로에서 전압과 전류를 계산하고 실제 측정값과 비교하여 확인하는 것이다. 실험 결과 중첩정리가 올바르게 적용되었음을 확인할 수 있었다. 회로에서 계산된 전류와 전압값이 실제 측정값과 매우 유사한 것으로 나타났다. 2. 키르히호프의 법칙 실험에서 키르히호프의 전압법칙과 전류법칙이 성립함을 확인하였다. 전압의 대수합이 0에 가까운 값으로 나왔고, 전류의 합도 0에 가까운 값으로 계산되어 키르히호프의 법칙이 성립하는 것으로 나타났다. 3. 전류와 전압 ...2025.01.19
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JFET 바이어스 회로 실험2025.11.171. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정되며, Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만난다. 실험에서 IDSS=9.4854mA, Vp=-2.9520V를 측정하였고, VGS=-1V일 때 IDQ(계산값)=4.147mA, IDQ(측정값)=4.4893mA로 나타났다. 2. 자기 바이어스 회로 자기 바이어스 회로에서는 Vgs의 크기가 드레인 전류 Id와 소스저항 Rs의 곱으로 정의되며, 회로의 바이어스 선은 원점에서 시작해 전달 특성곡선과 직류...2025.11.17
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건국대학교 전기전자기초실험2 서미스터 결과레포트2025.01.291. 서미스터 LED 회로 실험 1에서는 서미스터와 LED로 구성된 회로를 구성하고, 출력 전압 Vout을 측정하였습니다. 측정된 전압 값을 바탕으로 서미스터의 온도를 추정하였습니다. 오차가 큰 이유는 전압 분배 회로의 분모 값이 소수점으로 차이가 나기 때문입니다. 2. 서미스터 온도 검출 회로 실험 2에서는 연산증폭기 LM358, 서미스터, LED 2개로 구성된 온도 검출 회로를 구성하였습니다. 서미스터의 온도에 따라 RED LED와 BLUE LED가 켜지는 것을 확인하였고, 오실로스코프로 Vout의 파형을 관찰하였습니다. 측정된...2025.01.29
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