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쌍극성 접합 트렌지스터(BJT) 특성 실험2025.11.161. 쌍극성 접합 트렌지스터(BJT) 구조 및 단자 BJT는 베이스, 컬렉터, 에미터 세 개의 단자를 가진 반도체 소자입니다. 실험에서 저항 측정을 통해 베이스 단자를 구분하였으며, DMM 측정값이 개방으로 나타나 NPN 트렌지스터임을 확인했습니다. 트렌지스터의 재료는 실리콘이며, 양음 순서의 저항 측정으로 단자 배치를 파악할 수 있습니다. 2. BJT의 베타값(β) 특성 및 VCE의 영향 VCE가 증가하면 컬렉터와 베이스 사이의 전위차가 증가하여 pn 접합 영역의 유효 길이가 줄어들고, 이로 인해 전하 수가 감소하여 전류 증폭 효...2025.11.16
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Push-Pull Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Push-Pull 증폭기 동작 이해 이 실험의 목적은 Ω Ω인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Deadzone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하는 것입니다. 실험에 사용되는 장비와 부품은 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, DMM, NPN Transistor 2N3904, PNP Transistor 2N3906, 1kΩ 저항, 100Ω 저항, UA741cp op-amp 등입니다. 2. Classic...2025.04.27
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 결과보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.031. Pushbutton switch 연결 Pushbutton switch을 브레드보드를 이용해서 연결할 때, Pushbutton switch의 핀이 브레드보드와 완전히 호환되지 않아 누를 때마다 계속 빠지는 현상이 있었다. 이때 회로를 제 때 끊지 않아 저항에 계속 전류가 흐르게 된 경우가 있었고 이로 인한 저항에 미치는 영향이 있었을 것이라 생각한다. 2. 저항 과전류 문제 만약 Pushbutton switch가 없다면 저항에 과전류가 흐르게 되어 회로전체, 특히 저항에 과도한 열이 발생하고 이로 인해 저항이 타버릴 수 있다. ...2025.05.03
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전기회로설계 및 실습_설계 실습1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계_결과보고서2025.01.211. 저항 측정 2-wire 측정법과 4-wire 측정법을 통해 저항을 측정하는 방법을 설계하고 실습을 통해 확인했습니다. 10 kΩ 저항을 측정한 결과 2-wire 측정법에서는 0.9%의 오차가 있었지만, 4-wire 측정법에서는 1% 이하의 오차를 보였습니다. 또한 저항 값이 낮은 경우 4-wire 측정법이 더 정확한 것을 확인했습니다. 2. 전압 측정 건전지의 양단에 연결하여 전압을 측정한 결과 6.48V를 얻었고, 극성을 반대로 연결하면 -6.48V가 나왔습니다. DMM으로 측정한 전압 값은 4.504V로 오차가 0.09%였...2025.01.21
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Voltage Regulator 설계 - 직류전압 공급기2025.11.181. 전파정류회로 및 직류전압 공급기 설계 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 5kΩ 부하에 걸리는 직류전압의 최대치가 4.4V이고 ripple이 0.9V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터의 크기를 설계한다. 다이오드의 저항은 0.7kΩ으로 가정하며, 전류가 흐를 때 다이오드 2개를 지나간다. 2. Ripple 전압 및 필터 설계 출력 전압의 ripple을 0.9V 이하로 제한하기 위해 커패시터 필터를 설...2025.11.18
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Thevenin등가회로 설계 결과보고서2025.11.141. Thevenin 등가회로 Thevenin 등가회로는 복잡한 회로를 단순화하는 방법으로, 임의의 선형회로를 전압원 VTh와 저항 RTh의 직렬 조합으로 표현한다. 본 실험에서는 원본 회로에서 RL에 걸리는 전압(0.324V)과 전류(0.997mA)를 측정하고, RL을 제거한 상태에서 VTh(1.4V)를 측정하며, 전원을 제거한 상태에서 RTh(1.083kΩ)를 측정하여 Thevenin 등가회로를 구성했다. 이를 통해 복잡한 회로 분석을 간단하게 수행할 수 있음을 확인했다. 2. 회로 측정 및 오차 분석 실험에서 측정된 전압은 0...2025.11.14
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서2 (보고서 1등)2025.05.101. 건전지 내부 저항 측정 설계실습 2에서는 건전지의 내부 저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였습니다. 건전지의 내부 저항이 작을수록 좋은 건전지이며, 실습에 사용되는 6V 건전지의 내부 저항은 0~1Ω 사이의 값을 가질 것으로 예상됩니다. 측정 회로는 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 전력 소비를 최소화하였습니다. 2. DC 전원 공급기 출력 전압 측정 DC 전원 공급기의 출력 전압을 측정하는 방법에 대해 설명하였습니다. Output 1과 Output 2의 (+)단자 사이의 전압은 측정되지 않거나 0V로 측정될 것입...2025.05.10
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험2025.11.171. 다이오드 특성 및 문턱전압 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 이해하기 위해 DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. Si 다이오드의 순방향 전압은 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V이며, 역방향 바이어스 시 개방회로를 나타낸다. 두 방향에서 모두 1V 이하의 낮은 값이 나오면 접합부가 단락된 상태이고, 모두 OL이 표시되면 개방된 상태이다. 2. 직렬 다이오드 구조 회로 분석 직렬 다이오드 구조에서는 다이오드의 문턱전압과 저항값을 이용하여 이론적인 출력전압(Vo)과 다이오드...2025.11.17
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동국대학교 기계공학실험 계측실험 I, J 레포트2025.11.181. 키르히호프의 법칙 및 옴의 법칙 전기회로의 기본법칙으로, 키르히호프의 전류법칙(KCL)은 노드로 들어오는 전류와 나가는 전류가 같다는 원리이고, 전압법칙(KVL)은 닫힌 회로에서 전압상승의 합이 0이 된다는 원리이다. 옴의 법칙은 도체의 전위차에 의해 흐르는 전류가 일정하며 전류와 전압이 선형 비례관계에 있음을 나타낸다. 이 법칙들을 이용하여 직렬 및 병렬 연결된 회로에서 저항, 전류, 전압의 관계를 분석할 수 있다. 2. 디지털 멀티미터와 측정기기 디지털 멀티미터(DMM)는 직류/교류 전압, 전류, 저항 등 다양한 물리량을 ...2025.11.18
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BJT의 특성 및 바이어스 실험 결과보고서2025.11.181. BJT(쌍극성 트랜지스터) 특성 측정 본 실험에서는 2SC3198GR, 2SC3198Y, 2N2222 등 3개의 BJT 트랜지스터를 대상으로 단자 번호, 형태, 반도체 재료를 파악하고 DMM을 이용하여 다이오드 스케일과 저항 스케일로 측정했습니다. 각 트랜지스터의 베이스, 이미터, 컬렉터 단자를 식별하고 실리콘 재료의 npn형 트랜지스터임을 확인했습니다. 측정 결과 트랜지스터마다 내부 저항이 다르게 나타났으며, 이는 실험에서 요구하는 측정값 획득에 영향을 미쳤습니다. 2. BJT 바이어스 특성 분석 실험 결과 VBE가 증가할수...2025.11.18
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