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물리학실험 옴의 법칙2025.11.141. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전자회로에서 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 나타내는 기본 법칙입니다. 실험을 통해 탄소저항(10Ω, 100Ω)에서 전류-전압 그래프가 직선 형태를 나타내며, 일정한 기울기(저항값)를 유지함을 확인했습니다. 이는 V=IR 공식이 성립함을 의미합니다. 탄소저항의 경우 전압에 관계없이 일정한 저항을 가지므로 옴의 법칙을 만족합니다. 2. 다이오드의 특성 다이오드는 비옴성 물질로서 옴의 법칙을 만족하지 않습니다. 순방향(양의 전압)으로 전류가 흐를 때는 매우 낮은 저항을 가지지만, 역방향(음의 전압)으로는 ...2025.11.14
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BJT 기본 특성 실험 결과 보고서2025.01.291. NPN형 BJT의 전류-전압 특성 NPN형 BJT는 베이스-에미터 전압 VBE가 약 0.7V 이상일 때 동작을 시작한다. 이때 베이스 전류 IB가 흐르며, 이 작은 전류로 큰 콜렉터 전류 IC를 제어할 수 있다. 콜렉터 전류는 베이스 전류의 증폭된 값으로, IC = βIB의 관계를 따른다. 출력 전압 VO는 공급 전압 VCC에서 콜렉터 저항 RC에 의해 결정되며, VO = VCC - ICRC로 계산된다. 콜렉터 전류가 커지면 출력 전압이 줄어들어 트랜지스터는 출력 전압을 제어할 수 있다. 2. PNP형 BJT의 전류-전압 특성...2025.01.29
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다이오드 정류 및 클램핑 특성 실험 보고서2025.11.161. 반파 정류기 (Half-Wave Rectifier) 반파 정류기는 다이오드를 저항과 직렬로 연결하여 AC 신호를 정류한다. 순방향 전류만 흐르므로 출력은 정류된 신호가 된다. 실험에서 1N4004 다이오드를 사용하여 3.41V 진폭의 정현파를 30.1Hz 주파수로 입력했을 때, 최대 출력 전압은 약 2.81V였다. 다이오드의 순방향 강하는 두 가지 방법으로 계산되어 0.6V와 0.3366V의 값을 얻었으며, 차이는 다이오드의 내부 저항 때문인 것으로 분석되었다. 2. 전파 브릿지 정류기 (Full-Wave Bridge Rect...2025.11.16
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옴의 법칙 측정값 및 계산2025.04.261. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항과 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 탄소저항은 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 다이오드는 옴의 법칙을 만족하지 않는다는 것을 확인하였다. 특히 발광 다이오드에서는 빛이 나오는 현상을 관측할 수 있었고, 빛이 나오는 시간과 발광 조건에 대해서도 추정할 수 있었다. 2. 탄소저항 실험 1에서 33Ω와 100Ω의 탄소저항을 사용하여 옴의 법칙 만족 여부를 확인하였다. 실험 결과 33Ω의 경우 3.03%의 오차율을 보여 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 100Ω의 경우 5.5%의 오차율을 보여 ...2025.04.26
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전기전자공학실험-발광 및 제너 다이오드2025.04.301. 발광 다이오드 발광 다이오드는 이름이 함축하는 바와 같이 충분한 에너지를 받았을 때 가시광선을 내는 다이오드이다. 순방향으로 바이어스된 p-n 접합에 있어서, 접합부에서는 정공과 전자의 재결합이 일어난다. 재결합은 구속되지 않은 자유전자가 가지고 있는 에너지가 다른 상태로 전달되는 것을 필요로 한다. GaAsP나 GaP와 같은 LED 재료에서 빛 에너지의 광자가 눈에 보이는 가시광원을 생성하기에 충분한 수로 방출된다. 이것이 소위 전계발광(electroluminescence)과정이다. 모든 LED에 대하여 밝고, 선명하고, 또...2025.04.30
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적외선 정수기 텀프로젝트 아날로그 실험 및 설계2025.04.251. 적외선 센서 (TCRT-5000) 적외선 센서 TCRT-5000을 사용하여 물체 감지 기능을 구현하였습니다. 센서 민감도 향상을 위해 4.7K옴 저항을 연결하였고, 정수기 거리 조절을 위해 가변저항을 사용하였습니다. 2. 비교기 (LM324) 비교기 LM324를 사용하여 타이머 기능을 구현하였습니다. 물체가 감지되면 릴레이 코일에 전류가 흘러 접점이 변하고, 이때 비반전 단자에 전압이 흐르게 됩니다. 연산증폭기에 병렬로 연결된 커패시터가 타이머로 작용하여 전하가 충전되고, 충전이 완료되면 비교기에 의해 모터가 멈추게 됩니다. ...2025.04.25
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펠티에 효과와 주울열의 법칙2025.11.131. 펠티에 효과 (Peltier Effect) 1834년 장 펠티에에 의해 발견된 현상으로, 두 개의 서로 다른 금속이 접점을 가지고 있을 때 전위차를 걸어주면 열의 이동이 발생한다. 열전대에 전류를 흐르게 하면 각 접점에서 발열 또는 흡열 작용이 일어난다. 한 쪽은 열이 발생하고 다른 쪽은 열을 빼앗기는 현상을 이용하여 냉각과 가열이 가능하며, 냉동기나 항온조 제작에 사용된다. 간단한 구조, 환경친화성, 높은 신뢰성을 가지고 있어 국부 냉각기 등에 널리 사용되고 있다. 2. 주울열의 법칙 (Joule's Law) 영국의 물리학자...2025.11.13
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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교류및전자회로실험 실험5-1_다이오드 특성실험 결과보고서2025.01.201. 다이오드 특성 이번 실험에서는 다이오드의 전압-전류 특성을 실측을 통해 확인하였다. 다이오드가 정방향으로 연결되었을 때 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가 그 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가하는 것을 확인하였다. 역방향으로 연결되었을 때는 전류가 흐르지 않음을 확인하였다. LED의 경우에도 비슷한 특성을 보이지만, 전압-전류 특성 곡선에서 특정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가, 해당 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가함을 확인하였다. 2. 부하선 특성 실험을 통해 다이오드 회로에서 부하선을 얻는 방법을 확인하였...2025.01.20
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JFET 특성 및 바이어스 회로 실험2025.11.161. JFET 포화전류 및 핀치오프 전압 JFET의 기본 특성을 측정하는 실험으로, 포화전류(IDSS)는 9mA, 핀치오프 전압(VP)은 -4V로 측정되었다. VGS가 -3.5V 이상일 때 핀치오프 상태가 발생하며, 이 상태에서는 드레인 전류(ID)가 0에 가까워진다. 핀치오프는 게이트-소스 간 역방향 바이어스가 증가하면서 채널이 차단되는 현상이다. 2. JFET 전달특성 및 출력특성 VGS 값의 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 전달특성과 VDS 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 출력특성을 분석했다. VGS=0V일 때 ID는 최대...2025.11.16
