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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.041. 수동소자 수동소자란 전자회로를 구성하는 소자 중 전기적 에너지를 소모, 저장 혹은 전달할 뿐 다른 역할을 하지 않는 소자를 말하며 수동적으로 작용할 뿐이며 외부 전원 없이 단독으로 동작하게 됩니다. 수동소자의 예시로는 저항, 캐패시터, 인덕터 등이 있습니다. 2. 능동소자 능동소자는 전자회로를 구성하는 소자 중 입력 신호의 증폭 또는 발진 등을 작용할 수 있는 소자를 말하며 에너지 보존 법칙이 성립해야 하므로 다른 전원 장치로부터 에너지를 얻어 작동하며 전압원, 전류원, 저항 또는 축전기와 같은 수동 소자로 구성된 등가회로로 ...2025.05.04
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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[중앙대전전][전기회로설계실습][결과보고서]-11.공진회로와 대역여파기 설계2025.05.151. 직렬 공진회로와 병렬 LC+직렬 R 공진회로 설계 전기회로설계실습(11번 실습- 결과보고서)에서는 직렬 공진회로와 병렬 LC+직렬 R로 이루어진 공진회로를 설계하고 Q를 1과 10으로 설정하였다. 오실로스코프를 통해 주파수의 변화에 따른 출력파형을 확인하여 공진주파수, 반전력주파수, 대역폭을 측정하였다. 실험값과 이론값을 비교 분석하여 오차율을 계산하였다. 2. RLC 직렬 공진회로 특성 분석 RLC 직렬 공진회로에서는 최대 전압이 나타나는 주파수를 찾았으며, 이 주파수에서 입력과 출력 파형의 위상이 같아지는 것을 확인하였다....2025.05.15
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pspice 비선형op앰프예비레포트2025.05.091. 비교기 비교기 OP앰프를 이용하여 비교기를 가장 간단히 구현하는 방법은 귀환이 없는 개방 루프로 구성하는 것이다. 회로전압 V_in이 V_REF 보다 클 때는 양이고 V_in이 V_REF 보다 작을 때는 음이다. 보통 OP앰프의 이득이 매우 크기 때문에 출력은 포화된다. 즉, V_in이 V_REF 보다 작은 어떠한 V_in값에 대해서도 전압은 음의 공급전압에서 포화된다. 따라서, 출력은 두 가지 가능한 값(음 또는 양) 중에서 하나만을 취하게 된다. 반대로 입력이 V_REF 주변에서 변화할 때, V_in의 V_REF 축을 넘어...2025.05.09
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P-N 접합의 접촉전위와 전류 특성2025.11.181. 접촉전위(Contact Potential) P-N 접합에서 P측의 정공과 N측의 전자가 확산되면서 접합부에 전기장이 형성된다. 이로 인해 발생하는 평형 상태의 전위차를 접촉전위 V0라 하며, 이는 이동 전하의 확산을 방해하는 내재적 전위 장벽 역할을 한다. 접촉전위는 V0 = (kT/q)ln(NaNd/ni²) 식으로 표현되며, 여기서 Na는 P측 수용체, Nd는 N측 공여체, ni는 본질 반도체의 캐리어 농도이다. 2. 공간전하 영역(Space Charge Region) 접합부에서 캐리어가 고갈되는 영역을 천이영역(transi...2025.11.18
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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옴의 법칙 실험 결과보고서2024.12.311. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지, 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지를 확인하였다. 탄소저항의 경우 표시저항과 실험을 통해 얻은 저항 값의 오차율이 약 1.667%와 5.4%로 옴의 법칙을 만족하는 것으로 나타났다. 반면 다이오드의 경우 전압-전류 그래프가 직선이 아니며 역방향 전압에서 전류가 흐르지 않는 등 옴의 법칙을 만족하지 않는 것으로 확인되었다. 다이오드는 순방향 전압이 가해질 때 전류가 급격히 증가하며 각 다이오드마다 동작 전압이 다른 것으로 나타났다. 1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에...2024.12.31
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전류에 따른 자기장 측정 및 비오-사바르 법칙 검증2025.11.141. 솔레노이드 자기장 비오-사바르 법칙과 앙페르 법칙을 이용하여 솔레노이드에서 생성되는 자기장을 분석했다. 무한한 크기의 솔레노이드에서 자기장의 크기는 단위 길이당 감긴 횟수에 비례하며, 유한한 길이의 솔레노이드에서는 끝으로부터의 거리에 따라 달라진다. 실험 결과 솔레노이드 내부의 자기장은 전류에 따라 선형 관계를 보이다가 0.4A 이상에서 포화되는 현상을 확인했으며, 측정된 자기장이 실제 자기장보다 약 1.3배 크게 측정됨을 발견했다. 2. 직선 도선의 자기장 분포 비오-사바르 법칙을 이용하여 유한한 길이의 직선 도선이 만드는 ...2025.11.14
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[전기전자실험1] 브릿지 정류회로(2)2025.01.231. 반파 정류 회로 반파정류는 교류전압을 인가하였을 경우 양(+)의 주기는 도통되고 음(-)의 주기는 차단시킴으로써 양(+)의 파형을 가지는 것을 말한다. 반파정류의 평균 DC 전압은 V_dc = 0.318V_m이고, PIV(최대 역방향 전압)는 V_m이다. 2. 전파 정류 회로 전파 정류 회로는 다이오드를 사용하여 교류의 +, - 어느 반 사이클에 대해서도 정류를 하고, 부하에 직류 전류를 흘리도록 한 회로이다. 전파정류에서 평균전압은 V_dc = 0.636V_m이고, 출력 신호의 기본주파수는 입력의 2배가 된다. 3. 브릿지 ...2025.01.23
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RC,RL,RLC회로의 과도상태와 정상상태2025.05.011. RC,RL,RLC회로의 과도상태 RC,RL,RLC회로에서 전원이 켜질 경우 과도상태가 발생합니다. 인덕터와 커패시터에 에너지가 저장되다가 시간이 지나면 인덕터의 역기전력이 무의미해져 쇼트되고, 커패시터의 분극이 포화상태에 이르러 전기장의 형태로 에너지가 저장되어 회로가 개방됩니다. 따라서 전류가 흐르지 않는 회로가 됩니다. 2. RC,RL,RLC회로의 정상상태 RC,RL,RLC회로에 10V AC가 공급되면 축전기와 인덕터가 교류 전원에 의해 저항의 성질을 가지게 됩니다. 이를 각각 용량리액턴스와 유도리액턴스라고 합니다. 이러한...2025.05.01
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