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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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[기초전자실험 with pspice] 14 인덕터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 인덕터 인덕터의 종류와 특성을 배우고, 인덕터의 직렬 및 병렬연결 특성을 실험할 수 있다. 또한, 주파수 및 인덕터 용량에 따른 유도성 리액턴스의 변화를 실험할 수 있다. 인덕터는 코일이라고도 하며, 구리선과 같은 도선을 나선 모양으로 감아서 만든다. 코일에 교류전류가 흐르면 자계가 생기며 자계는 전류의 변화에 비례한다. 자계에 의해 전류 흐름을 방해하는 유도전압이 생기며, 이 유도전압은 전류 흐름을 방해하므로 '역기전력'이라고도 한다. 즉, 인덕터는 자계 및 유도전압의 형태로 에너지를 저장하는 소자로 볼 수 있다. 인덕터가 ...2025.04.28
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
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물리전자2 과제5: 전계효과트랜지스터 특성 분석2025.11.181. 로드라인(Load Line)과 트랜지스터 동작 로드라인은 외부 인가 전압에 대한 출력 전류값을 예측하기 위해 필요하다. E = iDR + vD 방정식과 트랜지스터의 I-V 특성곡선의 교점이 정상상태의 전류와 전압값이 된다. VG 변화에 따라 iD와 vD가 변하며, VG 증가 시 정상상태 전류는 증가하고 전압은 감소한다. 이러한 변화는 증폭계수(VD/VG 비율)로 정량화된다. 2. JFET(접합형 전계효과트랜지스터) 제어 및 핀치오프 JFET는 S, G, D 단자의 바이어싱으로 제어된다. G 단자에 양의 바이어스를 인가하면 채널...2025.11.18
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[경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트2025.05.101. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드의 특성) 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로 V=IR로 표현된다. 일반적인 저항체의 경우 양단에 걸리는 전압 V와 저항에 흐르는 전류 I가 비례한다. 반면에 반도체를 이용한 트랜지스터나 다이오드의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 크기나 방향에 따라 달라진다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류를 직류로 변환하는데 쓰인다. 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류-전압 특성으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다. 2. 키르히호프(K...2025.05.10
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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Semiconductor Op Amp 실험 보고서 (A+)2025.01.241. OP AMP(Operational Amplifier 연산 증폭기) OP AMP는 가장 큰 전압 이득을 가지며 +입력단자와 입력단자 간의 전압 차를 이용한 증폭기이다. OP AMP는 입력단자, +입력단자, 정측 전원단자, 부측 전원단자, 출력 단자 총 5개의 단자로 구성되어 있다. 2개의 입력단자 중에 입력단자에 입력 신호를 가하면 입력과는 반대되는 상태의 신호가 출력되고, +입력단자에 입력 신호를 가하면 같은 상태의 신호가 출력된다. 따라서 입력단자를 반전 입력, +입력단자를 비반전 입력이라 칭한다. 2. 반전 증폭기 반전 증...2025.01.24
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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다이오드 실험: 동작원리 및 발광 다이오드 특성 분석2025.11.181. 반도체와 다이오드의 기초 실리콘과 게르마늄은 4족 원소로 대표적인 반도체이다. 진성반도체에 불순물을 첨가하는 도핑 과정을 통해 전도도를 증가시킨다. P형 반도체는 3가 원소를 첨가하여 정공을 캐리어로 사용하고, N형 반도체는 5가 원소를 첨가하여 전자를 캐리어로 사용한다. 다이오드는 P-N 접합으로 이루어지며, 접합 후 공핍층이 형성되고 재결합 과정이 일어난다. 2. 순방향 및 역방향 바이어스 N형 반도체에 음전압, P형 반도체에 양전압을 가하는 것을 순방향 바이어스라고 한다. 순방향 바이어스 시 공핍층의 전위장벽이 감소하여 ...2025.11.18
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