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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서82025.01.121. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였습니다. 설계한 대로 회로를 구현하고 전압을 측정하고 전류값을 계산한 결과 대부분 작은 오차를 보였습니다. 설계실습계획서에서 설계한 회로에 비해 실제로 구현한 회로에서는 channel length modulation에 의해 약간의 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있었습니다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 Cascode Current Mirror 회로를 구현하고 측정한 결과를 분석하였...2025.01.12
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서32025.01.111. 정파정류회로 정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 정파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 안정적인 직류 전압 공급기를 구현할 수 있습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 실습에서는 5kΩ의 부하에 걸리는 직류 전압의 최대치가 4.4V이고, 리플(ripple)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 C의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0....2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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전자회로설계실습 실습 9 결과보고서2025.01.041. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력 저항과 부하 저항값에 변화를 주며 출력전압의 변화를 관찰하였다. 출력전압의 측정값이나 gain에 큰 차이가 없었다. 전원 전압을 12V에서 8V로 하강시키고 입력전압을 증가시키며 측정값의 변화를 관찰하였다. 8V로 하강시키자 일정 입력전압 이상에서 gain을 유지하지 못하고 출력전압이 전원 전압을 넘지 못하는 것을 관찰할 수 있었다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-Series 피드백 증폭기의 Rf에 변화를 주며 LED에...2025.01.04
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서2 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Op Amp의 특성측정 방법 Op Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로를 설계, 구현, 측정, 평가하였습니다. Offset voltage 측정 방법으로 이상적인 Op-Amp를 사용하여 100 Hz에서 Gain이 100 (V/V), 1000 (V/V)인 Inverting Amplifier를 설계하고, 유한한 크기의 open loop gain을 고려하여 이득을 구하는 수식을 제출하였습니다. 또한 Non-inverting amplifier의 gain을 이용하여 offset voltage를 측정하는 방법을 기...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
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