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pspice cascode mirror copd case study mosfet amplifier 설계 폐렴 케이스 3주차 결과 응급실 폐렴 COPD 간호과정 응급실 충수염 COPD 케이스스터디
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"O2 Saturation" 검색결과 1-20 / 1,069건

  • 자료 표지
    Morphine과 Ketorolac의 선행진통법이 수술 후 통증, 코티졸, 산소포화도 및 심박동 수에 미치는 효과 (The Effects of Preemptive Analgesia of Morphine and Ketorolac on Postoperative Pain, Cortisol, O2 Saturation and Heart Rate)
    한국간호과학회 서윤주, 윤혜상
    논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.05
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  • 자료 표지
    Incentive Spirometer를 이용한 심호흡이 시간경과에 따라 늑골골절 환자의 폐기능과 산소포화도에 미치는 영향 (Effects of Deep Breathing with Incentive Spirometer on Pulmonary Function and O2 Saturation by Time Process in Patients with Rib Fracture)
    한국콘텐츠학회 문대환, 김계하, 이석기
    논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.05
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  • 판매자 표지 자료 표지
    A+ 성인간호학 흡인성 폐렴 케이스스터디(간호진단6개 + 간호과정2개)
    , dyspnea, asphyxia를 보여 119에 신고함. 신고 당시 Saturation 60%, Oral suction 시 밥알 등 음식물 나오는 모습 보였으며 O2 5L ... 로 O2 2L nasal prong Saturation 98% 유지 중 이며 AM10:30 산소 제거하고 Saturation check 하였을 때 Saturation 89 ... Pneumonia 정보 제공자 : 요양 보호사 재정 상태: 상 중 O 하 사정일 : 4/21 (2) 간호 사정 A. 문진 영역 1. 건강증진 (Health promotion) 내원
    리포트 | 37페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.04.06 | 수정일 2025.04.10
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  • 판매자 표지 자료 표지
    MOSFET I-V Characteristics결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]
    ) : > , 을 만족하므로 Saturation 영역이다. eq \o\ac(○,3) : > , 을 만족하므로 Triode(Linear) 영역이다.■ Lab 2. MOSFET 특성1) Lab 1 ... \ac(○,2)Triode(Linear)영역에서 을 만족하며 전류가 선형으로 증가한다. eq \o\ac(○,3) Saturation 영역에서 을 만족하며 의 증가에 따라 가 미세 ... (○,1) Cutoff 영역에서 = 0, < 을 만족하며 전류가 흐르지 않았다. eq \o\ac(○,2) Saturation 영역에서 > , 을 만족하며 MOSFET이 증폭기로서 역할을다.
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.27
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  • 자료 표지
    전자회로설계실습 실험 8 예비 보고서
    수식입니다.I _{O}10.1mA(F) 전류원의 출력저항수식입니다.R _{O}를 구하려고 한다. Saturation 영역에서수식입니다.R _{O} = {TRIANGLE V _{O ... 다. 계산하면,수식입니다.R _{O} =500 OMEGA이다.수식입니다.M _{1}과수식입니다.M _{2}가 match되어 있어, 저항수식입니다.R _{1}을 줄이면수식입니다.I ... _{REF}는 커지게 된다.수식입니다.M _{1}과수식입니다.M _{2}에 같은 전류가 흐르므로,수식입니다.I _{O}는 커지게 되고,수식입니다.R _{L}은 고정되어 있어수식입니다
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2026.01.09
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  • 판매자 표지 자료 표지
    Common-Source Amplifier결과보고서[인하대 기초실험2 전자공학과]
    ) : < 를 만족하며 전류가 흐르지 않는 Cut off 영역이다. 이를 통해 문턱 전압 = 0.72V임을 알 수 있다. eq \o\ac(○,2) : > , 을 만족하므로 Saturation ... 의 전류가 차단되어 흐르지 않는다. eq \o\ac(○,2) : 그래프에서 의 증가에 따라 가 급격히 증가하는 Saturation영역으로 이 영역에서는 MOSFET이 증폭기로서 동작 ... 수 있다.• 정리한 표에서 측정한 값들의 동작 영역을 각각 Cutoff, Triode, Saturation으로 구분: 정리한 표를 분석해보면 eq \o\ac(○,1
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.27
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  • 판매자 표지 자료 표지
    A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계
    [V]V _{DS2}2.344 [V]I _{REF}10.07 [mA]I _{O}10.08 [mA](F) 전류원의 출력저항 RO을 구하려고 한다. Saturation 영역에서R ... 전류원을 설계하기 위해서 M2의 VGS를 구하여라. 또한, VGS를 만족시키기 위한 R1값을 구하여라.I _{O} =I _{REF} = {1} over {2} k _{n} '(W ... 이 줄어들어도 상관없는지 설명하라.M1이 Saturation 영역에서 동작하는 것을 보장하기 위해서는 M1의 전압들이 다음을 만족해야 한다.V _{O} GEQ V _{GS} -V
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [분반 1등], [A+], 중앙대학교 전자회로설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서
    므로THEREFORE `R` _{1} `=` {10V`-2.41V} over {10`mA} `=`759 OMEGA 이다.(C) 전류원으로 이용하기 위해서M _{`1}은 Saturation 영역 ... 하라.M` _{1}이 Saturation 영역에서 동작하기 위해서는V` _{o} ` GEQ V _{``GS} `-`V` _{t} `=V` _{OV} `을 만족해야 한다.I` _{O ... V으로 고정되어 있으므로,R _{L}`이 최대가 되기 위해서는{I` _{O} `} `,V` _{O} ``가 최소여야 한다.M _{`1}이 Saturation 영역에 있을 때는I
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.25 | 수정일 2022.09.30
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  • 판매자 표지 자료 표지
    BJT I-V Characteristics결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]
    는 Cutoff 영역에 속한다. eq \o\ac(○,2) : 이므로 이는 Forward-Active 영역에 속한다. eq \o\ac(○,3) : 이므로 Saturation 영역에 속한다 ... 에 속한다. eq \o\ac(○,2): 이므로 Saturation 영역이다. eq \o\ac(○,3) : 이므로 Forward-Active 영역이다.■ Lab 3 ... 영역을 각각 Cutoff, Saturation, Forward-Active로 구분 eq \o\ac(○,1) : 문턱 전압보다 작아 전류가 흐르지 않는 동작 영역으로 이
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.28
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  • 자료 표지
    8. MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]
    하기 위해서,V` _{o} ` GEQV _{``GS} `-`V` _{th} `=V` _{OV} `여야 하므로V` _{o} ` GEQ2.4V`-`2.1V``=`0.3V 여야하고,V ... 가 적어져M _{`1}의V` _{o}가 커진다는 의미이다. 즉M _{`1}이 Saturation 영역에서 동작하기 위한V` _{o}의 최솟값은 0.3V 이므로, 이보다 더 커져도 ... Saturation 영역의 조건을 만족한다.(D)I _{O} =I _{REF} =10mA인 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (R _{L} =500 Ω으로 설계)(E
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.15
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  • 판매자 표지 자료 표지
    전자회로설계실습 8 예비보고서 MOSFET Current Mirror 설계
    임을 알 수 있다. Saturation 영역에서 식,i _{D} `=` {1} over {2} k prime _{n} {W} over {L} (v _{GS} `-`V _{t ... 어도 상관없는지 설명하여라.위에서 언급했듯이 VGS ? Vt < VDS일 때, Saturation 영역에서 동작한다. VGS와 Vt는 M2와 같기 때문에, 각각 VGS=2.41 V ... , Vt=2.1 V이다. 그러므로 VGS ? Vt는 0.31 V이고, 0.31 V < VDS일 때, Saturation 영역에서 작동한다. VGS가 같고 M1, M2 모두
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.29 | 수정일 2022.03.31
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  • 자료 표지
    [A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습8 MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서
    ` _{o} ` GEQV _{``GS} `-`V` _{T} `=V` _{OV} `을 만족해야 하므로V` _{o} ` GEQ2.4V`-`2.1V``=`0.3V 이어야 한다.R _{L}이 ... 보다 커진다.M _{`1}은 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건은V_0 GEQ0.3V이므로R _{L}값이 줄어들어도 그대로 동작한다.(D)I _{O} =I _{REF ... _DS12.34VV_GS22.34VV_DS24.96VI_REF10.1mAI_O10.1mA(F) 전류원의 출력 저항R _{O}을 구하려고 한다. Saturation 영역에서R _{O
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.15 | 수정일 2022.04.20
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  • 자료 표지
    [A+보장]아동간호학 신생아 일과성 빈호흡(TTN) 컨퍼런스, 간호과정, 간호진단, 컨퍼런스 13페이지 자료입니다.
    으며 O2 saturation check 위해 Pulse Oximeter가 발바닥에 부착되어있다. RR 평균 54회/min, O2 Saturation 수치 88%에서 98%로 변동 ... pCo2(27.6), pO2(50), BE(-10), HCO3(15.7), O2 Saturation(84%) 수치가 정상보다 감소한 것으로 보인다. 이를 교정하기 위한 약물 투여 ... .6), pO2(50), BE(-10), HCO3(15.7), O2 Saturation(84%) → respiratory alkalosis- Respiration 평균 54회
    리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.11 | 수정일 2023.07.07
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  • 자료 표지
    [전자회로실험] MOSFET 공통 소스 증폭기
    , 실험회로 1의 공통 소스증폭기의 이론적인 전압 이득을 구하시오.동작 영역I _{D}V _{GS}V _{OV}트랜스컨덕턴스(g _{m})r _{o}Saturation40 mu A2 ... R _{D}에 의해서 전압으로 변환되면서 전압을 증폭하게 된다.위의 2번째 그림은 공통 소오스 증폭기의 전압 전달 특성을 보여준다. 출력전압은 다음과 같으며V _{O} =V ... 전류가 흐르지 않는다.② 포화 영역(Saturation) : 입력 전압이 A와 B점 사이일 경우i _{D} = {1} over {2} mu _{n} C _{ox} {W} over
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25
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  • 판매자 표지 자료 표지
    미숙아 간호과정 <피부손상 위험성>
    하였다.3. G-tube 적용 부위(입술 아래), Nasal Prong 적용 부위(양 쪽 볼), O2 Saturation기 적용 부위(손,발등)에 불필요한 반창고 부착을 줄이고 ... : 손·발등, 양 볼)2. 기저귀 교환 시마다 기저귀 착용 부위의 피부를 사정한다.3. G-tube 적용 부위(입술 아래), Nasal Prong 적용 부위(양 쪽 볼), O2 ... Saturation기 적용 부위(손,발등)에 불필요한 반창고 부착을 줄이고 Duoderm을 사용한다.4. 2시간마다 대상자의 체위를 변경시킨다.5. 처방에 따라 (TPN)정맥 내
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.09.10
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  • 자료 표지
    [성인간호학] 감염내과 SBAR (협력보고서)
    ㅇㅇㅇ님 Saturation이 10/19(22:20) 90대에서 (22:40) 88%로 급격히 떨어지고 PR 130, RR 40 나오셔서 Nasal Cannula O2 2L 적용 ... -100/60 SPO2 90%이고 Nasal Cannula O2 2L 적용중이며 환자는 Fowler’s position 취했으며 가슴이 답답하고 잠을 못자서 컨디션이 좋지 않 ... annula로 O2 6L 까지 적용해도 88~90% 로 내려가서 T cannula로 O2 40주다가 환자가 불편함 호소하여 Nasal cannula로 O2 6L 교체했지만 SPO2 감소
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    | 리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.16 | 수정일 2022.12.22
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  • 판매자 표지 자료 표지
    Common-Emitter Amplifier결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]
    않았으므로Cutoff 영역에 속한다. eq \o\ac(○,2) : 이므로 이는 Forward-Active 영역에 속한다. eq \o\ac(○,3) : 이므로 Saturation ... 다.• 정리한 표에서 측정한 값들의 동작 영역을 각각 Cutoff, Saturation, Forward-Active로 구분 eq \o\ac(○,1) : 이 10V로 아직 감소하지 ... 영역이다. eq \o\ac(○,2) : 그래프에서 값이 급격히 감소하는 구간이므로 Forward-Active 영역이다. eq \o\ac(○,3) : 그래프에서 기울기가 감소하지 않
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.27
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    [성인 케이스] 폐쇄성 압박골절
    하여 16Fr. reinsertChest AP 촬영 후 확인임은현 Dr. visit. pt P/E done. Saturation 유지되어 O2 mask로 change하여 10L/min ... 함.16:00혈압 높아 perdipine 7cc/hr 증량Saturation 유지되어 O2 7L/min 감량17:00혈압 높아 perdipine 8cc/hr 증량18:00혈압 높 ... 130 check되어 Na 2@ mix 처방, 시행I&O positive로 LSX 0.5@ IVSaturation 유지되어 Airvo 50%/45L 유지09:00혈압 높아 per 1
    리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.08.30 | 수정일 2023.11.21
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [A+자료] Alcoholic Liver Cirroshis
    19일 오후에 Paracentesis 실시 후 Dyspnea가 완화되었으며 이에 따라 혈압이 감소하였고, Dyspnea가 완화되었음.2) 자료수집(1) 인적사항이 름 : 장 O O ... 의: Ascites로 인한 Dyspnea 및 Hypoxia로 인해 신체 내 O2 부족으로 낮은 산소 공급량에 대한 보상기전으로 인해 Hb가 상승하였으며, Acites로 인한 ... effusion 진단을 받아본원 81병동 소화기내과에 입원하였으며, Dyspnea 증상이 있으며 약한 복통과 가슴에 통증이 있었음.(2) 활력징후 (의미 있는 데이터 위주로 기록할 것
    리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.26 | 수정일 2024.03.28
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  • 자료 표지
    T-CAD를 활용한 NMOS 설계
    =2.76862V Saturation : O설계 과정 03. P-sub 농도 : 6E18 Source drain doping 농도 : 1E16 Oxide Thickness : 0 ... .0019 Gate Length : 3.72~6.28 Id : 7.533e-4=753.3uA Vth=2.75557V Saturation : O04 결론 및 비교P-sub 농도 : 6E ... =2.74846V Saturation : X설계 과정 03. P-sub 농도 : 7E17 Source drain doping 농도 : 1E16 Oxide Thickness : 0
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 38페이지 | 3,500원 | 등록일 2021.03.03
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2026년 01월 17일 토요일
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