"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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"GAA공정" 검색결과 141-160 / 454건

Solar Cell

소자로 Si 이나 GaAs 등의 반도체의 pn접합이나 쇼트키 접촉에 반도체의 에너지갭 이상의 에너지를 가진 빛이 비춰지면 전자ㆍ정공쌍이 생성되는데. 이 전자와 정공이 접합부분의 전계 ... 실리콘을 이용한 것도 실용화되어 있다. 실제의 변환효율은 Si, 비결정성 Si, GaAs를 재료로 한 것으로서, 각각 약 10~15%, 8~12%, 15~22% 정도이 ... 으로도 상당기간 사용될 전망이다. 2세대는 신소재 및 신공정 개발이 지연되고 있어 시장 전망이 불확실하다.○ 지속적인 성장이 예상되는 태양광발전 시장에 대하여 국내기업들이 더욱 적극

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20

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태양전지의 재료

을 획기적으로 절감할 수 있다는 장점을 지니고 있다.그러나 유리 등 값싼 기판위에 양질의 다결정 실리콘 박막을 제조할 수있는 공정에 대해서는 계속 연구개발 중에 있다.GaAs, InP ... 분산형 시스템 등에 사용된다.단결정 및 다결정 실리콘은 bulk 상태의 원재료로부터 태양전지를 만들기때문에 원재료비는 비싸고 공정 자체도 복잡하여 가격의 절감 측면에서는한계가 있 ... 다.이와 같은 문제를 해결하기 위해 고안된 방법이 유리와 같이 값싼 기판위에 박막 형태의 태양전지를 증착시키는 방안이 출현되었다.이는 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 제조가격

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.31

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MOS 트랜지스터

을 이용MESFET, GaAs HEMT 및 GaAs HBT가 주종을 이루어 널리 사용되고 있다. GaAs 반도체소자는 여러 가지의 장점을 갖고 있는 반면에 제조공정의 어려움, 웨이퍼 크 ... 부분과 IF부분 집적화에 GaAs반도체보다 유리하고 저렴한 기술로 등장되고 있다. SiGe 기술은 기존의 실리콘 공정을 그대로 이용할 뿐 만 아니라 GaAs보다 훨씬 저렴하고, 기존 ... 대에서 무선통신용 단말기에 적용하기 시작하였고, SiGe 트랜지스터는 IMT-2000과 10Gbps급 광통신시스템에 계속해서 적용될 것이다.- GaAs(갈륨비소) :제4세대 통신

리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.09

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MESFET의 특징

emiconductor technologies lacking high quality surface passivation such as GaAs, InP, or SiC, and are faster ... voltage is typically 0.7 V for GaAs Schottky diodes. The threshold voltage therefore must be lower ... 보다도 큰 이동도와 캐리어 표동속도를 갖는 GaAs나 InP와 같은 3-4족 화합물의 MESFET 소자에 대해서는 특히 속도상의 이점이 있다.GaAs MESFETGaAs는 Si

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26

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반도체기술

◈ CH2 웨이퍼 공정* 구리배선기술반도체 금속배선에 있어 기존의 알루미늄(Al) 배선물질보다 낮은 전기저항 및 보다 좋은 전자이주 특성을 갖는 구리를 이용하여 금속연결선을 만드 ... 는 것?장점1) 생산비용 절감2) 신뢰도를 높일 수 있다3) 수율을 높일 수 있다4) 유해환경물질배출 감소5) 고속화, 고집적화?상감공정 : 절연막 내부로 배선라인 트랜치 및 비어 ... 한다는 문제구현할 수 있는 반도체..기존의 값싼 si 공정을 이용하면서도, 에너지 밴드갭, 밴드구조, 유효 질량, 이동도 등 많은 성질들을 바꿈으로써 기능 및 성능을 개선할 수 있

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28

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cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

실리콘 결정 CdTe CIS/CIGS Galnp ₂/ GaAs InGaP / InGaAs / Ge Dye Sensitized 유기물 하이브리드 염료 폴리머 신소재 유기물 흡수 ... -Ⅴ 형 GaAs,InP Ⅱ-Ⅴ 형 CdS / CdTe,CIS 화합물계 유기물 염료 감응형 광화학 반응형 기타 시장 활발 개발중단결정과 다결정 형태의 재료로 나뉨 기본적으로 P-N ... 과 III-V GaAs 계열이 상용화에 가장 활발 CIGS/CIS 는 화합물 기반의 박막 태양전지구 리 , 인듐 , 갈륨 , 셀레늄 화합물을 사용3 세대 태양전지 장점 제조가 쉬움 채색

리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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LED 레포트 A+

… 7발광물질 별 LED의 종류와 특징 … 8각광 받고 있는 LED의 종류 및 특성 … 9LED의 장점 … 14LED의 단점 … 15LED의 제조 공정 … 15LED 설계 방법에 따른 ... 결합하는 P층의 금지대 폭으로 결정된다. GaAs결정은 Eg가 1.4[eV]이므로 그 파장은 약 [그림 2] GaAs 발광다이오드 890nm로 된다.LED의 특징가. 소형화 슬림 ... 하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.3 GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광

리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.03.09

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GaN의 식각

상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐이다. 공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것이다. 반면에 CVD는 수십 ~ 수백 torr 내지는 상압의 환경 ... 로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target ... 은 기판에 증착될 때 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화한다.PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)

반도체공정실험 3조1. Schematic diagram for the evaporator (vacuum system) and sputter deposition system1.1 ... Deposition) 등이 있다. 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때의 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔

리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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[무기화학]연료감응형 태양전지의 원리와 구조

DSSCs 제작을 통한 원리와 구조의 이해웨이퍼 구조 결정질 실리콘 다결정질 실리콘 박막 구조 CIGS 태양전지 Si 태양전지 CdTe 태양전지 GaAs 태양전지 광전기화학구조 ... ( 음극 )백금 전극 제조 과정 ( 양극 )셀 조립 및 전해질 주입 공정{nameOfApplication=Show}

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.03.20

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신재생에너지발전설비기사(태양광) 필기요약

속류차단하고 원상으로 자연복귀하는 기능? 밴드갭에너지의 크기 순서 : GaAs > Si > Ge? 접속함 설치 부품 : 직류출력 개폐기, 피뢰소자, SPD, 역류방지소자, 출력용단 ... 14일 이내에 시설물유지관리지침 자료 검토 제출? 감리원은 착공 30일 이내에 공사업자로부터 “공정관리계획서”를 제출받고, 그 날로부터 14일 이내에 검토 승인하여 발주자에 제출 ... 가 짙은 상황에서 적절한 조치를 취하지 않은 채 공사를 강행- 부분중지가 이행되지 않음으로써 전체 공정에 영향을 끼칠 것으로 판단될 때- 지진 해일 폭풍 등 불가항력적인 사태

시험자료 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.03.08

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27MOCVD공정

MOCVD 공정 Metal Organic Chemical Vapor Deposition목차MOCVD는 무엇인가.기본적으로는 CVD공정이며, CVD에 의한 박막 성장시 ... CVD법에 의해 박막을 만드는 기술 반응 예] Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3CH4 Al(CH3)3 + AsH3 → AlAs + 3CH4MOCVD의 유기화합물 ... , MOVPE에 적절한 증기압 낮은 탄소 오염 / 안정성, 낮은 분해 온도(380℃)높은 비용TMA(CH3)3As액상, GaAs에 Doped된 C 결정 성장시켜 사용TBP(C4H9)PH2

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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[고분자재료실험] 7. PLED소자제작 및 평가 - 예비

고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다.4. 실험이론 및 배경 :일반적으로 고분자는 반복단위인 단분자가 공유결합에 의해서 수십에서 수백 개가 서로 연결 ... 라고 생각되어진다. PATh계 PLED의 경우는 GaAs나 InGaP 반도체 diodes와는 반대로 온도가 올라감에 따라(20-80℃) 발광 강도가 증가함을 보여주는데, 그 이유 ... 항 Encapsulation봉지 공정은 sealing cover 세정, 건조제 & film 부착공정, UV sealant dispensing, 성막공정이 끝난 panel과의 합착, UV light

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.26

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태양전지 DSSC (Dye Sensitized Solar Cell) 원리, 이론, 동향, 특허, 논문 정리 ppt

에너결정 Si, SiC , SiGe 8~13% 6~9% 화합물 반도체 태양전지 2 원계 GaAs , InP , CdS , CdTe 18~30% ( GaAs ) 10~12% ( 기타 ... 종류에 따른 변환 효율 C ell S ensitized S olar D ye태양전지 종류 장점 단점 결정질 실리콘 36% 시장점유 , 높은 변환효율 , 고신뢰성 복잡한 제조공정 ... , 높은 가격 비정질 실리콘 높은 광전기전도도 및 광흡수 간단한 제조공정 , 대면적화 용이 저효율 , 열화현상으로 성능저하 다결정 실리콘 44% 점유 , 결정질과 비정질중간

리포트 | 50페이지 | 20,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2025.02.10

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태양전지

전지1955 CdS 태양 전지(Reynolds et al)1956 GaAs 태양 전지1958 태양 전지를 탑재한 인공 위성 발사(Vanguard 1, U.S.A)1962 단결정 태양 ... 공정- 단결정 실리콘 웨이퍼 제조공정① 고순도(99.99..%)로 정제된 실리콘을 1500℃정도의 고온으로 가열하여 최종적으로 대형의 결정을 만듦② 단결정을 둥글게 잘라 표면을 연마 ... 하여 두께 약 300μm의 웨이퍼라는 얇은판을 만듦..PAGE:9단결정 실리콘 태양전지- 태양전지 제조공정① 웨이퍼표면에 태양전지구조에 필요한불순물을 약 1000℃에서 확산법

리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.02.19

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태양전지 이차전지 연료전지

) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs제조공정..PAGE:16응용일청담태양전지자동차태양전지가로등..PAGE:173.연료전지..PAGE:18화석연료의 매장량 ... 의 반도체들은 광기전력효과(photovotaic effect)를 나타내지만 태양전지의 량생산으로 이어지는 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이며, 실리콘이 가장 ... 된다는 것을 발견한다.광기전력효과(photovotaic effect)..PAGE:12제조공정1. 다결정 고순도 실리콘2. 다결정 고순도 실리콘을녹이기 위해 쎄라믹 용기에집어넣음.3.고진공

리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.08

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LED의 발광원리, LED제조공정, LED 광효율, 조명용어 설명, LED조명 시장, 국가별 정책 전망

- LED(Light Emiting Diode)는 화합물 반도체(예: GaP, GaAs)의 pn 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛을 발하는 현상을 이용한 소자를 말 ... ) 공정에서 시작된다. Wafer는 경쟁력 확보를 위해 현재의 높은 원가를 낮추는 저가형 재료 개발에 몰두하고 있다. Wafer의 크기가 2인치에서 4인치까지로 확대됨에 따라, 얇

리포트 | 84페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.04 | 수정일 2018.02.19

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Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation

는 CVD (Chemical Vapor Deposition)이다. 이 둘의 차이는 증착시키려는 물질이 기판으로 기체상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐 이다. 공정 ... 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔 ... ,Target 자체를 증착하는 방법.• 공정상 진공 환경을 요함.• 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal

리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23

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15Etching

을 줄이는 용액을 사용표면연마 공정에 주로 이용됨. Ga와 As의 (111)면에서의 표면 활성도가 달라서 Ga면보다 As면이 식각속도가 빠르다 2GaAs + 12h(+) +10H2 ... - Etching -목차#. Etching ? #. Wet etching? - 기본과정 - SiO2 식각 - Si3N4 식각 - Si 식각 - Al 식각 -GaAs 식각 ... O → Ga2O3 +As2O3 +4H2O + 12H(+) 식각 용액에 따라 Br2-CH3OH (등방성) H2O2-산(인산, 황산 등) (111)Ga면 이방성5. GaAs

리포트 | 48페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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반도체 레이저 다이오드 (대학원 발표자료)

을 이용한 광파의 발진기 및 증폭기 .  특징 - 소형 , 경량 이며 반도체 공정을 통해 저가격 으로 대량 생산 이 가능 - 발진파장 범위 : 300nm~20µm, 최대 광출력 ... GaAs / GaAs LPE, homojunction Direct modulation 1970-1975 GaAs / GaAlAs Heterojunction Transverse mode ... . 반도체 레이저의 밴드갭 에너지와 발진 파장 직접 , 간접 전이형 밴드갭  전도대의 전자가 가전자 대의 빈 에너지 상태로 전이할 때  GaAs 는 전도대역에서 가전자 대역

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.08

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